説明

スス マイクロテク リソグラフィー,ゲーエムベーハーにより出願された特許

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仮接合されたウェハーを剥離するための改善された装置が、剥離装置と、クリーニングモジュールと、テーピングモジュールとを含む。剥離された薄化後のウェハーを保持するために剥離装置内で真空チャックが用いられ、その真空チャックは、後続の洗浄するプロセスステップ及びダイシングテープに取り付けるプロセスステップ中に、薄化後の剥離されたウェハーとともに留まる。一実施の形態では、剥離された薄化後のウェハーは真空チャック上に留まり、真空チャックとともにクリーニングモジュールの中に移動し、その後、テーピングモジュールの中に移動する。別の実施の形態では、剥離された薄化後のウェハーは真空チャック上に留まり、最初に、クリーニングモジュールが薄化後のウェハー上に移動してウェハーを洗浄し、その後、テーピングモジュールが薄化後のウェハー上に移動して、ウェハー上にダイシングテープを取り付ける。 (もっと読む)


一時的なウェハーボンディングのための改善された装置が一時的なボンダークラスター及びデボンダークラスターを備える。一時的なボンダークラスターは、接着剤層によるボンディング、接着剤層とリリース層との組み合わせによるボンディング及びUV光硬化性接着剤層とレーザー吸収リリース層との組み合わせによるボンディングを含む電子ウェハーボンディング工程を行う一時的なボンダーモジュールを備える。デボンダークラスターは、熱摺動デボンダー、機械的デボンダー及び照射デボンダーを備える。 (もっと読む)


加工中に無機基板を支持するのに使用される剛性仮支持体を製作する方法が、加工される第1の表面と、該第1の表面と反対側の第2の表面とを備える無機基板を準備すること、続いて、液体層を該無機基板の該第2の表面に塗布すること、続いて、該塗布した液体層を硬化し、それにより、該無機基板の該第2の表面に取り付けられる剛性仮支持体を形成する、硬化すること、続いて、該剛性仮支持体により該無機基板を支持しながら該無機基板の該第1の表面を加工することを含む。該硬化は、初めに、該塗布した液体層を紫外(UV)線に曝露させること、及びその後、該塗布した液体層の硬化を完了させかつ物質のガス放出を促すのに十分な温度で露光後ベーク(PEB)を実施することを含む。 (もっと読む)


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