【課題】高分子錯体層を用いて基体表面に無電解めっきにより金属パターンを容易に形成することのできる金属パターンの製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体デバイス、電子部品評価用テスタ、プローブカード、ＩＣカード、光デバイス等に用いられる基板表面（基体１の表面）に金属微細配線等の金属パターン７を形成するにあたって、まず、高分子層形成工程では、触媒金属イオンと錯体を形成可能な高分子層３を基体１の表面上のめっき予定領域に選択的に形成する。次に、高分子錯体層形成工程では、触媒金属イオンを含む処理液を高分子層３に接触させてめっき予定領域に触媒金属イオンと高分子層３との高分子錯体層４を形成する。次に、無電解めっき工程では、無電解めっき液を高分子錯体層４に接触させて高分子錯体層４上に無電解めっき層５（金属層）を無電解めっきにより形成し、金属パターン７を構成する。 （もっと読む）

【課題】一貫して湿式法により絶縁基体の表面に密着性の優れためっき層を形成しためっき体、およびめっき方法を提供することにある。
【解決手段】ガラス基板に対する酸・アルカリ洗浄工程ＳＴ１工程、マスキング工程ＳＴ２、触媒化処理工程ＳＴ３、無電解ニッケルめっき工程ＳＴ５、金めっき工程ＳＴ６をこの順に行う。ニッケルめっき層としては、リン含有量が６〜１０質量％のニッケルめっき層（柱状析出タイプの中リンニッケルめっき層）を用いる。また、中リンニッケルめっき層を形成する前段階で行う洗浄工程では、水洗浄として超音波洗浄を行い、水洗浄後には水溶性有機極性溶媒による溶剤洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い配線基板を製造することを可能にする配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板の製造方法は、以下の各工程を含む。ベース基板１０上に形成された導電パターン２０の一部を覆うように、ベース基板１０に熱硬化性樹脂３２を設ける。第１の加熱工程によって、熱硬化性樹脂３２を半硬化させる。導電パターン２０にめっき処理を行って、導電パターン２０における熱硬化性樹脂３２からの露出部にめっき層２６を形成する。その後、第２の加熱工程によって、熱硬化性樹脂３２を硬化させて、樹脂層３０を形成する。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高くかつ環境に配慮した配線基板を効率よく形成することが可能な配線基板の製造方法及びめっき装置を提供する。
【解決手段】配線基板の製造方法は、表面の少なくとも一部がスズ層２４である配線パターン２０と陽極４２とをめっき槽４５内で対向させ、めっき槽４５の両端に配置された陰極を配線パターン２０に接触させて電解めっきを行い、スズ層２４の少なくとも一部を覆うように鉛フリーはんだ層３０を形成することを含む。配線パターン２０と陽極４２との間隔を０．０２〜０．１ｍとする。陰極４４間の距離を２ｍ以下とする。配線パターン２０に流れる電流の電流密度が２００〜１０００Ａ／ｍ^２になるように電解めっき工程を行う。 （もっと読む）

【課題】 電気めっきによってブラインドビアホール内にめっき層を容易に形成することを目的とする。また、ブラインドビアホール内に電気めっきで形成しためっき層によって異なる導体層間を接続することを目的とする。
【解決手段】 プリント配線板の製造装置１は、プリント配線板１０の原板１０’と、めっき液Ｌを貯留するめっき槽２０と、めっき液Ｌをめっき槽２０内で循環させる循環装置３０と、電気めっきのための電圧をプリント配線板１０の原板１０’と陽極板５０に印加する給電装置４０と、から構成されている。そして、給電装置４０のマイナス極４１は、めっき液Ｌの液面から突出した原板１０’の第２導体層１１Ｂのみに接続されている。 （もっと読む）

【課題】 半田の濡れ性の高い高半田濡れ性領域と、半田濡れ性の低い、あるいは半田が濡れない低半田濡れ性領域を効率よく形成することのできる表面処理方法、および電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】 実装基板１の端子３を形成する際、ニッケルめっき層１２の表面に金めっき層１３を形成しておき、所定領域にレーザ光を照射する。その結果、レーザ光の照射領域では、金めっき層１３の一部が除去されるとともに、金とニッケルとが拡散し合い、ニッケルと金との混合層１５からなる低半田濡れ性領域３２０が形成され、レーザ光の照射されなかった領域に、金めっき層１３がそのまま残る高半田濡れ性領域３１０、３３０が形成される。このようなレーザ照射を行う際、実装基板１の表面に気流を発生させて、溶融気化した異物の再付着を防止する。 （もっと読む）