【課題】ケミカルエッチングでは多層膜の夫々の皮膜に適応するエッチング液に取替えなければ成らず、多大の時間と手間暇がかかり、サンドブラスト方法では、硬質の皮膜は除去できるものの、軟質被膜や有機被膜は殆ど除去できず、シリコンへのダメージも与えるもので、又、レーザー加工では、シリコンに深いダメージを与え、課題を有していた。
【解決手段】バキュームチャック１に再生可能な多層膜・パターン付きウェーハＷをチャックするステップと、バキュームチャック１を回転させるステップと、カンナ台６を進退させるステップと、バイト３の先端の超硬又はダイヤモンド刃先３ａでウェーハＷの多層膜・パターンを切削するステップと、超硬又はダイヤモンド刃先３ａとウェーハＷとの切削速度を調整することにより外周から中心近傍まで一定の周速度で切削するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】従来のケミカルエッチング方法での実施のように、多大の時間と手間暇がかかることもなく、サンドブラスト方法での実施のように、皮膜を問うことなく、シリコンへのダメージも与えることもなく、又、レーザー方法のように、シリコンに深いダメージを与えることとなく、所望の多層膜・パターンを高精度の研削加工する。
【解決手段】バキュームチャック１に再生可能な多層膜・パターン付きウェーハＷをチャックするステップと、チャック用回転軸３を回転させて多層膜・パターン付きウェーハＷを回転させるステップと、砥石プレート回転軸１１を回転させて上面に配設したホーニング砥石９を回転させるステップと、ショックアブソーバー６を介装したボールネジ７を回動させて多層膜・パターン付きウェーハＷにホーニング砥石９を接触させて研削するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】導電性、絶縁性、誘電性、抵抗性等を目的としたメタル膜、ノンメタル膜や、Ｌｏｗ−ｋ膜、有機膜、その他の膜や多層膜等の、多種多用な成膜が施されており、これらの再生可能な多層膜・パターン付きウェーハからシリコンウェーハを再生するための方法を提供する。
【解決手段】バキュームチャック１に再生可能な多層膜・パターン付きウェーハＷをチャックするステップと、フライカッター刃４を植設させたフライカッタープレート５を回転させるステップと、エアベアリングスピンドル６によりフライカッタープレート５を降下させると共にスライドテーブル２でバキュームチャック１を摺動させてフライカッター刃４で多層膜・パターン付きウェーハＷの多層膜・パターンを切削するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】研磨時の半導体ウエハが安定せず、また、チャックプレートの上下方向の微動は可能であるが、研磨時の半導体ウエハの僅かな傾斜には追従できないもので、課題を有していた。
【解決手段】内腔１ａを有するスピンドル軸１と、フランジ状の鍔部２ｂを備えたヘッド保持部材２と、接続部材３と、ヘッド基体固定用ボルト４ａにより固定した下方が開口したヘッド加圧エア室４ｂを形成すると共に係合用鍔部４ｃを膨出させたヘッド基体４と、回転駆動用ピン５と、ヘッド駆動プレート６と、ヘッド本体７と、バックプレート８と、ウェーハ加圧用エア系９ａａで連繋させたウェーハ加圧エア室を設けて張設した可撓性膜９と、調芯用リング１０と、調芯用ゴムリング又は多数の調芯用ゴム球１１とを備え、調芯用リング１０の内側とヘッド基体４の外周との間には間隙を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】ワークヘッドプレートの傾きに対応する球体を介装しており、ジンバルポイントが高く成ると共に、ワークヘッドプレートの下向きにかかる圧力の平均化が困難で、外周辺において研磨ヘッドの僅かな傾きに追従できなく安定化が計れなく、研磨ヘッドを持ち上げる時のウェーハのフライアウトの要因となっていた。
【解決手段】スピンドル軸１と、円筒状上部３ａとカップ状下部３ｂとを一体に備えたヘッド保持部材３と、アウター球面ベアリング４と、複数のドライブピン５と、インナー球面ベアリング６と、ドライブピン５を挿通させる複数のドライブピン挿通穴７ｂと刻設したヘッド本体７と、環状のエアバック８と、可撓性膜１０と、接続用ボルト１１とを備え、アウター球面ベアリング４とインナー球面ベアリング６とによるジンバルポイントＰを可撓性膜１０の下面と一致させた。 （もっと読む）

【課題】従来のカップホイールダイヤモンド砥石のように目詰まりを起こすことなく、複数のＭＥＭＳデバイス又はＮＥＭＳデバイスを製造する過程の半導体ウエハにＣｕメッキされたメッキ層である金属層を高効率で研削加工ができるフライカッター研削装置を提供する。
【解決手段】チャックプレート４にチャックされて研削加工される半導体ウエハＷと、フライカッタープレート９の下面にフライカッター刃１０とを備え、スピンドルケーシング７とスピンドル軸８とはエアベアリング１１を介装すると共に、フライカッター刃１０はフライカッタープレート９の外周辺に沿って環状に植設させ、半導体ウエハＷを多数のＭＥＭＳデバイス又はＮＥＭＳデバイスに製造する過程で形成される金属層を研削する。 （もっと読む）

【課題】従来のカップホイールダイヤモンド砥石のように目詰まりを起こすことなく、複数のＭＥＭＳデバイス又はＮＥＭＳデバイスを製造する過程の半導体ウエハにＣｕメッキされたメッキ層である金属層を高効率で研削加工ができるようにする。
【解決手段】本発明は、チャックプレート４にチャックされて研削加工される半導体ウエハＷと、フライカッタープレート９の下面にフライカッター刃１０とを備え、スピンドルケーシング７とスピンドル軸８とはエアベアリング１１を介装すると共に、フライカッター刃１０は外側フライカッター刃１０ａと同高又は若干高くした１又は２の内側フライカッター刃１０ｂ．１０ｃを環状に植設させ、半導体ウエハＷを多数のＭＥＭＳデバイス又はＮＥＭＳデバイスに製造する過程で形成される金属層Ｍを研削する。 （もっと読む）

【課題】研磨する半導体ウエハの僅かな傾斜にも抵抗することなく追従できると共に、遠心力が一方に偏ることなくワークスピンドルを構成でき、安定した回転が得られるワークスピンドルの提供。
【解決手段】スピンドル軸２とワークヘッド３との間に球面軸受４を介装し、中心穴５ａを開口させフランジ部５ｂを膨出させた金属製サスペンション５と、球面軸受４の太陽球４ａと凹面受け部４ｂと間隙部４ｃと、凹面受け部４ｂに埋設させた多数の遊星球４ｄと、ワークヘッド３に形成した加圧室３ａと、加圧室３ａに張設した可撓性膜６と、を備え、加圧室３ａにゲル状流体を流入させて可撓性膜６を膨縮させる流体流通系７は太陽球４ａを固定したスピンドル軸２の軸心と金属製サスペンション５の中心穴５ａとワークヘッド３を連通させた。 （もっと読む）

【課題】仕切部材を有するユニバーサルチックにおいて、通気性のチャックプレートと不通気性の仕切り部材との材質の違いから、半導体ウエハに吸着痕が残ることを防止できる半導体ウエハの研磨方法を提供する。
【解決手段】チャックプレート１は通気部材で形成すると共に下面にリング状の凹溝１ａを刻設し、凹溝１ａに不通気性のリング状の仕切部材３を嵌入させる。チャックホルダー２は不通気性部材で形成すると共に仕切部材３に連繋する内側流体流通部４と外側流体流通部５とを形成したユニバーサルチャックを用いて、仕切部材３の内側と外側にわたって半導体ウエハＷをバキュームさせて研磨加工中は内側流体流通部４と外側流体流通部５との両方を負圧にし、仕切部材３の内側のみに半導体ウエハＷをバキュームさせて研磨加工中は内側流体流通部４は負圧にし外側流体流通部５は加圧にする。 （もっと読む）

【課題】仕切部材を有するユニバーサルチックにおいて、小さいサイズの半導体ウエハを加工する場合に半導体ウエハの外周辺のチャックプレートに発生するバキュームによる目詰まりを防止できる半導体ウエハの研磨方法を提供する。
【解決手段】チャックプレート１を通気部材で形成すると共に内側円形状プレート１ａと外側環状プレート１ｂとに形成しすると共に間に不通気性の仕切部材３を上面を平坦状にして嵌入させる。チャックホルダー２は不通気性部材で形成すると共に、仕切部材３に連繋する内側流体流通部４と外側流体流通部５とを形成したユニバーサルチャックを用いてチャックプレート１の仕切部材３の内側と外側にわたってバキュームさせて研磨加工中は内側流体流通部４と外側流体流通部５との両方を負圧にし、仕切部材３の内側のみバキュームさせて研磨加工中は内側流体流通部４は負圧にし外側流体流通部５は加圧にする。 （もっと読む）