【課題】自動車の高電圧システムと自動車の車体との間の漏れ抵抗を測定する。
【解決手段】高電圧（ＨＶ）システムと自動車の車体との間に接続され、ＨＶシステムと自動車の車体との間の容量性リアクタンスを実質的に打ち消す誘導性リアクタンスを有するエミュレートされたインダクタンスを含み、信号源は、ＨＶシステムと自動車の車体との間に、ＡＣ電流信号及びＡＣ電圧信号のうちどちらか一方を出力し、センサーは、ＨＶシステムと自動車の車体との間のＡＣ電圧信号に対するＡＣ電流応答、及び、ＨＶシステムと自動車の車体との間のＡＣ電流信号に対するＡＣ電圧応答のどちらか一方を測定する。 （もっと読む）

任意の電源が、その電源に対する１つの負荷の電力消費を、その電源に対する他の負荷の適正な動作のための最低電源電圧を維持するように制限するための適応電流制限。フラッシュ・システム用などのバッテリ用途のために、本発明は、最初にシステムの等価直列抵抗を計算する必要なく、昇圧コンバータの最大出力電流を利用できるようにする。本発明はまた、高負荷イベント中に、他の負荷における変動を補償するために、電流負荷を高くまたは低く調節する。電流負荷における変更は、絶え間なく上方および下方へ一定量変化することが繰り返されるのを避けるヒステリシス領域を伴って、一定量変化式に行われる。
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【課題】新規なステップアップ／ステップダウン・スイッチングレギュレータを提供する。
【解決手段】第１及び第２の導線を備えたインダクタと、第１の導線を電源に制御可能に結合するための第１のスイッチと、第１の導線と回路接地部との間にある第１のデバイスと、第２の導線を回路接地部に制御可能に結合するための第２のスイッチと、第２の導線とレギュレータとの間にある第２のデバイスとを有するレギュレータのための、ステップアップ／ステップダウン・スイッチングレギュレータ制御方法である。電源がレギュレータ出力を上回る電圧を有する時にスイッチをある位相シーケンスで動作させ、電源がレギュレータ出力よりも低い電圧を有する時に同じ位相シーケンスで動作させる段階を含み、位相は、第１及び第２のスイッチが閉じている位相１と、第１のスイッチが閉じて第２のスイッチが開いている位相２と、両方のスイッチが開いている位相３とである。 （もっと読む）

パッケージ・オン・パッケージ（ＰＯＰ）セキュア・モジュールは、ＢＧＡメッシュ・キャップと、第１のＢＧＡパッケージと、第２のＢＧＡパッケージとを備えている。第１のＢＧＡパッケージは、第１の集積回路（例えば不正行為検出論理を備えたマイクロコントローラ）を備えている。第２のＢＧＡパッケージは、第２の集積回路（例えばメモリ）を備えている。第２のＢＧＡパッケージは、第１のＢＧＡパッケージにピギー・バックで取り付けられており、また、ＢＧＡメッシュ・キャップは、第２のＢＧＡパッケージにピギー・バックで取り付けられている。ＢＧＡメッシュ・キャップのプリント回路板基板部材は、埋設反不正行為メッシュを備えている。このメッシュは、モジュール内で、保護された方法で第１の集積回路に接続されている。モジュールが使用されると、下方に位置しているプリント回路板に埋め込まれたメッシュがＢＧＡキャップ・メッシュに結合され、したがってこれらの反不正行為メッシュの両方が不正行為検出論理によって制御される。
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【課題】有効な磁場の分布を変えることによって膜の堆積／エッチング特性を変えるための磁気フィルタ装置を備えたプラズマ・システムを提供すること。
【解決手段】磁気フィルタ装置が磁石または磁石群とターゲット（通常では半導体ウェハ）の間に配置され、望ましい処理結果を得るために磁場を変えるために選択され、構成される。堆積ごとに、この磁気フィルタはより均一な堆積を供給するように、後に続くエッチングまたは研磨処理におけるウェハのエッジでの増大したエッチング速度を補償するためにウェハのエッジまたは隣接部で増大した堆積速度を供給するように選択される。アニール処理とドーピングに関して、磁場はウェハ全域にわたってより均一で同等のアニール処理またはドーピングを供給するように変える。様々な応用が開示される。 （もっと読む）

たとえば携帯電話、ＭＰ３プレーヤ、デジタル・カメラ等の携帯型デバイスなどの既存のアーキテクチャに自律的なコントローラを付加する方法及び装置。メモリ・カードとデバイスのシステム・コントローラとの間に配置された回路を制御して、メモリ・カードをシステム・コントローラに結合することや、メモリ・カードをその回路上の高速Ｉ／Ｏコントローラに結合することができる。メモリ・カードが回路上の高速Ｉ／Ｏコントローラに結合される場合、回路は、メモリ・カード取り外しイベントを示す信号をシステム・コントローラに供給する。ＵＳＢ接続などのＩ／Ｏ接続を有するシステムでは、回路はまた、その接続をシステム・コントローラから切断し、ＵＳＢの切断を示す信号をシステム・コントローラに供給し、より高速のＩ／Ｏ能力を供給するために高速データ転送ユニットを介してメモリ・カードへのＩ／Ｏ接続を行う。種々の特性及び能力が開示されている。
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ＭＥＭＳ、又はその他のデバイスをパッケージングする、ウェハ・レベル・パッケージングの方法である。いくつかの実施形態においては、まず、通常の厚さのＭＥＭＳウェハが、通常の厚さのキャップ・ウェハに接合され、それに続いて、ＭＥＭＳウェハの裏面が薄くされる。この後では、接合されたウェハ積層体、及び気密実装されたＭＥＭＳデバイスのキャッピングは、依然として、さらに加工するのに十分に強固である。これに基づいて、薄くされた基板上に貫通ビアを容易に形成することができ、引き出されるべき領域（たとえば、金属パッド／電極、高度にドープされたシリコンなど）で停止させることができる。これが工程の最終の面であるので、ビアは部分的に充填することができる。ビアが硬い金属で完全に充填されない限り、厚く金属で被覆されパターン形成されたビアでさえも、生じ得る熱応力を緩和するためのずっと大きな空間がある。様々な実施形態が、開示される。
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バルク音波デバイス内のチタン−タングステン合金を母材とするミラー及び電極は、接着層とバリア層とシード層の必要性を排除することで製法を簡単化し、タングステン層の利点を保持する。高低の音響インピーダンス材料の交互層を使用するが、ここで高音響インピーダンス層は好ましくは物理蒸着法により堆積し、湿式エッチングを用いて等方的にパターン形成したチタン−タングステン合金層とする。好ましくは、低音響インピーダンス層にＳｉＯ₂を用いるが、必要に応じて他の低音響インピーダンス材料を用いることもできる。電極と負荷もまた、チタン−タングステン合金とすることができる。チタン重量比３〜１５％の範囲のチタン−タングステン合金が、好適である。 （もっと読む）

集積回路上のＩ／Ｑアナログ／デジタル変換器を有する統合テレビ受信機。テレビ受信機は、典型的には一つ以上のオフチップのインダクタのような一つ以上のフィルタ要素とほとんど完全に統合される。発明されたシングルコンバージョン及びダブルコンバージョンが開示される。シングルコンバージョン型において、ベースバンドへのコンバージョンが開示される。ダブルコンバージョンにおいて、先ず高ＩＦ周波数へのアップコンバージョン、次いでベースバンドへのコンバージョンが開示される。種々の他の特徴が開示される。 （もっと読む）

同調可能受信器が開示され、初期帯域選択を実施するための複数の選択フィルタと、出力電力レベルが所定の電力閾値を超えることを防止するように利得が制御される可変利得低雑音増幅器（ＬＮＡ）と、選択チャネル内の信号を通過させ、対応する影像帯域の信号を阻止するための複数のデジタル同調可能追跡フィルタと、受信ＲＦ信号をさらに増幅し、差動信号出力を生成するための第２ＬＮＡと、受信ＲＦ信号をＩＦ信号に変換し、一方、影像帯域の信号を阻止するダウン・コンバーティング段と、ダウン・コンバーティング段の出力に存在する望ましくない信号をさらに阻止するためのＩＦトラップと、損失を補償するようにＩＦ信号を増幅するＩＦ増幅器と、チャネル選択を提供し、かつ望ましくない信号を阻止するＩＦフィルタと、ＩＦ信号を増幅して、その電力レベルを仕様内に維持するための可変利得ＩＦ増幅器とを含む。
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