【課題】部品点数の削減及び実装面積を小さくすることができる半導体装置及び半導体集積装置を提供する。
【解決手段】トランジスタＱ１に形成されたコレクタ電極は、リードフレームによりコレクタ端子Ｔｃに直接接続してあり、エミッタ電極は、ボンディングワイヤによりエミッタ端子Ｔｅに直接接続してある。また、トランジスタＱ１のベース電極には、抵抗素子Ｒ１を介して接続された第１ベース端子Ｔｂ１と、ベース電極に直接接続した第２ベース端子Ｔｂ２とを備えている。また、トランジスタＱ１のベース電極とエミッタ電極との間には抵抗素子Ｒ２を接続してある。トランジスタ装置１０は、外部との接続用の端子を４つ備える４端子構造を有する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤが倒れるなどの製品不良を防止した半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレーム２の裏面上にレジスト層７を形成する。次に、リードフレーム２の表面に半導体チップ３を搭載してワイヤ４によって半導体チップ３及びリードフレーム２を電気的に接続する。その後、レジスト層７の裏面が露出され、かつ、レジスト層の側面が覆われるように、封止部材６を形成する。そして、レジスト層７を取り除いた後に、リードフレーム２の裏面にメッキ層５を形成する。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードの実装数を増大させ、外部に効率良く光を取り出すことができる照明装置及び照明装置用駆動回路を提供する。
【解決手段】照明装置１は、発光ダイオードマトリクス４と、発光ダイオードマトリクス４を載置する基板６と、基板６上に設けられる光反射体７と、を備え、光反射体７は、発光ダイオード３０毎に発光した光を反射する側壁部９を有する。光反射体７には、発光ダイオードマトリクス４毎に発光ダイオードマトリクス４を収容する貫通孔８が形成してもよく、側壁部９の表面を、光反射材料により被覆する。貫通孔８を、発光ダイオードマトリクス４の発光方向に拡開した錐体形状の側壁部９で形成してもよい。照明装置用駆動回路は単一の直流電源で駆動することができる。上記構成によれば、発光ダイオード３０の実装密度を高め、発光輝度を高くし、かつ、熱放散性の良好な照明装置１が得られる。 （もっと読む）

【課題】、ワイヤのダメージを防いだ半導体装置及び絶縁層生成方法を提供する。
【解決手段】リードフレーム１には、外部接続用のリード１１Ｂが設けられている。半導体チップ２は、その表面２１に電極２２Ｂが設けられる。半導体チップ２は、その裏面２３とリードフレーム１の表面１３とが対向するように、リードフレーム１上に搭載される。ワイヤ３Ｂは、半導体チップ２の電極２２Ｂとリードフレーム１の表面１３とにワイヤボンダされ半導体チップ２とリードフレーム１とを電気的に接続する。絶縁層８は、半導体チップ２の裏面２３とリードフレーム１との間に設けられている。絶縁層８は、その厚さＤが１０μｍ以内となるように設けられている。 （もっと読む）

【課題】トレンチ構造のトランジスタの形状及び電極構造に関して自由に設計を行なうことができる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０の表面には複数の凹部１０ａ，１０ａ，…が設けられ、各凹部１０ａには、表面からエミッタ領域ＲＥとベース領域ＲＢとがこの順序で配置されている。その他の領域がコレクタ領域ＲＣとなってトランジスタを構成する。基板全面に電極としての導電体を設ける場合、凹部１０ａによる段差のため、ベース領域ＲＢ上のベース電極１２Ｂとエミッタ領域ＲＥ上のエミッタ電極１２Ｅとは分離された状態で形成される。そして、エミッタ電極１２Ｅ及びベース電極１２Ｂを被覆する層間絶縁膜１３を形成し、層間絶縁膜１３を介してエミッタ電極１２Ｅ及びベース電極１２Ｂとそれぞれコンタクトを取るためのボンディングパッド１４Ｅ及び１４Ｂをデバイスの上層に形成する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面をトレンチ構造にしてエミッタ領域及びエミッタ電極を設け、デバイスサイズを小型化、高集積化することができる半導体装置及び該半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０は、Ｎ型不純物としてのアンチモンが含有され、コレクタ領域ＲＣを形成している。シリコン基板１０の表面には、複数の凹部１０ａ、１０ａ、…を形成している。各凹部１０ａの略階段状の表面には、エミッタ領域ＲＥを形成してあり、エミッタ領域ＲＥの下側及び各凹部１０ａを除くシリコン基板１０の表面には、ベース領域ＲＢを形成してある。エミッタ領域ＲＥにはＮ型不純物としてのリンが、ベース領域ＲＢにはＰ型不純物としてのボロンが含有されている。 （もっと読む）

【課題】基板の表面をトレンチ構造にしてベース領域及びベース電極を設け、デバイスサイズを小型化、高集積化することができる半導体装置及び該半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０は、Ｎ型不純物として、例えば、アンチモンが含有され、コレクタ領域ＲＣを形成している。シリコン基板１０の表面には、複数の凹部１０ａ、１０ａ、…を形成してある。各凹部１０ａを除くシリコン基板１０の表面の一部には、エミッタ領域ＲＥが各凹部１０ａで離隔されるように形成してあり、コレクタ領域ＲＣの上側であって、各凹部１０ａの底面及び側面、並びにエミッタ領域ＲＥの下側には、ベース領域ＲＢを形成してある。エミッタ領域ＲＥにはＮ型不純物としてのリンが、ベース領域ＲＢにはＰ型不純物としてのボロンが含有されている。 （もっと読む）

【課題】トレンチ構造のトランジスタの電極を確実に分離することができる半導体装置及び該半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】各凹部１０ａの側面及び各凹部１０ａ周辺のシリコン基板１０上面には、シリコン酸化膜１１が形成してあり、さらに、シリコン酸化膜１１の上面には、シリコン窒化膜１３が形成されている。シリコン窒化膜１３の縁辺は、シリコン酸化膜１１の縁辺より突出させてオーバハング形状（庇状）にしてある。また、各凹部１０ａの開口部周りのシリコン酸化膜１１は、等方性エッチングによってオーバハング形状にしてある。すなわち、各凹部１０ａの開口部周りは、シリコン窒化膜１３によるオーバハングとシリコン酸化膜１１によるオーバハングが形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板の表面をトレンチ構造にしてエミッタ領域及びエミッタ電極を設け、デバイスサイズを小型化、高集積化することができる半導体装置及び該半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０は、Ｎ型不純物（例えばアンチモンＳｂ）が含有され、コレクタ領域ＲＣを形成している。シリコン基板１０の表面には、複数の凹部１０ａ、１０ａ、…を形成している。各凹部１０ａの底面及び側面には、エミッタ領域ＲＥを形成してあり、エミッタ領域ＲＥの下側及び各凹部１０ａを除くシリコン基板１０の表面には、ベース領域ＲＢを形成してある。エミッタ領域ＲＥにはＮ型不純物としてのリンが、ベース領域ＲＢにはＰ型不純物としてのボロンが含有されている。 （もっと読む）

【課題】サージ吸収速度及びサージ耐量を向上させたサージ吸収用半導体素子及びサージ吸収用半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎ型サブストレート２１にＰ型の主接合３２が形成されており、サージ電流を吸収するサージ吸収用半導体素子の製造方法において、Ｎ型サブストレート２１にＰ型の主接合３２を形成した後、Ｎ型サブストレート２１のＰ型の主接合３２周辺に金又は白金などの重金属を、７５０℃以上１２００℃以下の温度で拡散する。 （もっと読む）