【課題】化学剤及び反応性気体の混合を最小にする原子層堆積装置及び方法を提供する。
【解決手段】分配前方ライン２６を設置し且つ監視することにより、所望のとき及び所望の箇所にてのみ第一の前駆体及び第二の前駆体がその他の化学剤及び反応性気体と混合される。また、独立的で且つ、専用のチャンバ出口１７、２９、隔離弁２４、３４、排出前方ライン２２、３２及び排出ポンプ２０、３０が提供され、これらは、必要なとき、特定の気体に対して作動される。 （もっと読む）

【課題】ランプ発生器の精度を良好にする。
【解決手段】制御回路によりランプ発生器を制御してこのランプ発生器がランプ変調されたアナログランプ出力を発生するようにし、各アナログランプ出力に対応するデジタル符号を発生するようにする制御回路と、アナログ入力信号とアナログランプ出力とを受けるように接続された比較回路は、受けたアナログ入力信号がアナログランプ出力に等しくなった際に信号を発生するようにしたアナログ‐デジタル変換器であって、前記ランプ発生器が、ランプ符号を発生する曲線発生器と、このランプ符号から行及び列アドレスとロック信号とを発生させるアドレス回路と、各々が電圧出力を有する複数のユニットセルのアレイであって、行及び列アドレスとロック信号とに基づくアナログランプ出力を発生する当該アレイとを有するようにする。 （もっと読む）

【課題】 有効なメモリ帯域幅を拡張させるためのメモリアクセス処理を制御するためのメモリコントローラの構成及び動作方法を提供すること。
【解決手段】 本発明では、メモリアクセスリクエストは、メモリコントローラの入力キューに連続的に受け取られる。リクエストの入力キューへの受信後、シーケンスマトリックスが再構成され、逐次的なリクエスト間のコンフリクトまたは潜在的遅延がコンフリクト検出器により特定される。コンフリクト検出器は、データバスとの間のデータフローを最適化するため、メモリコアアクセスリクエストを再構成する。例えば、バンクビジー状態または他の遅延が逐次的に受け取られたメモリリクエストにおいてコンフリクト検出器により認識されると、メモリコントローラは、可能である場合にはコンフリクトまたは遅延を解消するため、あるいはそうでない場合には、遅延を最小化するため、保留中のメモリリクエストを実行する順序を再構成する。 （もっと読む）

【課題】テスト目的のために、中間レベルの電圧の使用を容易にし得る、電圧検出のために構成される改良型入力バッファ回路および方法が提供を提供すること。
【解決手段】電圧検出のために構成される例示的入力バッファが、基準ジェネレータおよびマルチステート検出器を含む。その基準ジェネレータは、入力信号としてマルチステート検出器に提供される少なくとも２つの基準電圧を生成するように構成される。そのマルチステート検出器は、入力基準信号を受け取り、その入力基準信号と２つの基準電圧との比較を介して、動作の、ハイ、ローおよび中間レベルの状態を表す３つの出力ターミナルに出力信号を提供するように適切に構成される。例示的入力バッファ回路は、バックツーバックに配置され、コモンノードを共有するように構成されるトランジスタの２つの差動ペアを含み得、結果として、電流の要求量がより少なくなる。 （もっと読む）

【課題】メモリーに能動終端制御信号を与えるモジュール・レジスタによりメモリーの能動終端制御を行う方法及び装置を提供する。
【解決手段】モジュール・レジスタは、読出し及び書込みコマンドに関してシステム・コマンド・バスをモニターする。読出しまたは書込みコマンドを検知すると、モジュール・レジスタはメモリーへの能動終端制御信号を発生する。メモリーは、その１つまたは２つ以上のモード・レジスタにプログラムされている情報に基づき能動終端をターン・オンする。メモリーは、その１つまたは２つ以上のモード・レジスタにプログラムされている情報に基づき能動終端を所定の時間オン状態に維持する。 （もっと読む）

【課題】メモリセルの閾値電圧を自動的に測定する方法と装置を提供する。
【解決手段】測定回路２０２は、基準電流発生器２１２と、メモリセル１１４と、ビット線プリチャージ回路２１８と、比較／ラッチ回路２２０、２２２とを含む。基準電流がメモリセル電流よりも大きい場合、ビット線電圧は増大する。基準電流がメモリセル電流よりも小さい場合、ビット線電圧は低下する。ビット線電圧とプリチャージされたビット線基準電圧とを比較する比較器２２０が切り替わるまで、基準電流は大きなステップで発生される。基準電流発生器は２１２、比較器２２０が切り替わるまで、小さなステップで電流を発生する。基準電流は１０ｎＡの精度でメモリセル電流１１６に収束する。次いで、メモリセル電流１１６からメモリセルの閾値電圧が決定される。 （もっと読む）

【課題】基板上に堆積された膜組成物及びその半導体デバイスを提供すること。
【解決手段】基板を少なくとも１つの付着性材料に、この材料が基板上に吸着するのに十分な露出を行うことによってイニシエーション層を形成する。イニシエーション層は第１の反応性部位を与え、この部位を第１の反応材料と、原子層堆積条件下で化学的に反応させて第２の反応性部位を形成する。第２の反応性部位を第２の反応材料と、イニシエーション層上に反応層を形成するのに十分なプロセス条件下で化学的に反応させる。このプロセスを繰り返して、連続的な反応層をイニシエーション層上に形成することができる。イニシエーション層を構成する付着性材料は、原子層堆積法によって劣化しないものである。イニシエーション層は、１つまたは複数の反応層とともに最終的な膜を構成する。 （もっと読む）

【課題】モリコントローラの複雑さを低減する目的でメモリデバイスのシステム読出し待ち時間を均一化する。
【解決手段】制御回路２０００は、制御回路が前記フラグ信号を受け取ってから所定数の読出しクロックサイクル後に、前に受け入れたコマンドに関連するデータをメモリデバイスがメモリアレイから少なくとも１つのデータ信号線上に出力開始し、メモリデバイスの読み出し待ち時間と等しくするために、前記読み出しクロックサイクルの数は信号伝播の特徴にしたがって予め定められる。 （もっと読む）

【課題】 ワード線電圧を生成する方法と装置が開示される。
【手段】 ワード線電圧発生器は、第１電流源と調整可能電流源と電圧変換器とを備え、これらは電流加算ノードに接続される。第１電流源は第１電流を生成し、第１電流から導出される電圧は、相互接続されたビット・セルのストリングにおけるメモリ・セルの位置と共に変化するセル位置依存温度係数を少なくとも部分的に含む。調整可能電流源は温度変化から実質的に独立した第２電流を生成する。電圧変換器は第１電流に比例するワード線電圧を持つワード線信号を生成するよう構成される。 （もっと読む）

【課題】高速メモリシステムにおける全てのメモリデバイスのシステムリードレイテンシーを均一化させるメモリデバイスを提供する。
【解決手段】高速メモリサブシステムにおいて、各メモリデバイスの最小デバイスリードレイテンシーの差と、メモリデバイスとメモリコントローラとの間の信号伝搬時間の差があるため、システムリードレイテンシーが大幅に変化する。そこで、各デバイスのシステムリードレイテンシーの差を比較し、全てのデバイスが同一のシステムリードレイテンシーを示すようにさせるデバイスシステムリードレイテンシーで、各メモリデバイスをオペレートさせることによって、 （もっと読む）