本発明は、基材表面（１６）をプラズマ処理するための装置（１０）を提供する。本装置は、プラズマを発生させるためのプラズマ源（１２）及びプラズマ制御電極（１４）とを含んで構成される。本装置は更に、プラズマ制御電極（１４）とプラズマ源（１２）との相対的運動、又はプラズマ制御電極（１４）とプラズマ源（１２）の基材（１６）に対する相対的運動を行わせるための駆動手段を含んで構成される。プラズマ制御電極（１４）は、基材（１６）に隣接して配置され、基材表面（１６）の制御された処理を容易にするものである。
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結晶制御振動子は、振動子に使用するのに適した材料から形成される結晶を含む。しかし、材料自体の熱膨張特性は、振動子の動作温度範囲にわたって振動子の周波数の温度依存性を制御可能にする。調時装置は、結晶制御振動子を組み込むことができる。 （もっと読む）

本発明は、四級アンモニウム基および／または四級ホスホニウム基を含むビス-陽イオン化合物に関する。本発明はまた、ホスホリパーゼB阻害剤としてのビス-陽イオン化合物の使用および微生物感染症の治療または予防のためのビス陽イオン化合物の使用に関する。 （もっと読む）