垂直方向に離間し電気的に絶縁され互いに平行な縦長の通電及び接地平板電極を備えるＣＯ_２ガス放電レーザーに関する。各電極はその両縁に沿って設けられたセラミックスペーサストリップで離間されている。補助電極が通電電極の両端部に長手方向に離間して通電電極と同一面内に設けられる。補助電極は接地電極から垂直方向に離間するが、電気的に接地電極に接続される。補助電極は、セラミックストリップの内縁間の離間距離より小さい距離だけ離間した２つの隆起部を有する。補助電極の隆起部は、レーザーを操作している際に共振器内に発生するレーザー光によるセラミックストリップの侵食を防止する。 （もっと読む）

二酸化炭素（ＣＯ_２）スラブレーザー共振器用のミラーアセンブリであって、断面形状が矩形のセンター部材と、一対の熱平衡化サイドバーを備える。センター部材の前縁部に凹面反射面が形成される。サイドバーはセンター部材のいずれかの面に取り付けられて、反射面よりも前方へ延び出す。センター部材及びサイドバーの寸法を、ミラーアセンブリの熱中立平面が反射面に近接した位置になるように設定する。これにより、共振器内でレーザー光が往復したとき生じる加熱による反射面の曲率半径の変化を最小にすることができる。 （もっと読む）

レーザーミラーアセンブリは改善されたポインティング安定性を持つ。細長いミラーは凹面反射部分を持つ。一対の細長いプレーナー部分は凹面反射部分の両側に平行に伸びる。前記プレーナー部分は反射部分から段差で低くなっている。ミラーは銅から形成される。一対のステンレス鋼片（４０）はプレーナー部分（２６）に連結される。銅のミラーとステンレス鋼片（４０）に間のバイメタル効果は運転中に起きる加熱の差によるミラーの歪みに対抗する様に作用する。代替的実施の態様において、アルミニウム細片がミラーの裏面に取り付けられる。
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パルスＣＯ_２レーザは、レーザの基本波長で透過性の音響光学（ＡＯ）物質を含むキャビティ内音響光学（ＡＯ）ＱスイッチでＱスイッチされる。一例では、ＡＯ材料はゲルマニウムである。 （もっと読む）

４方向バイナリ電力結合器の実施形態は、第１の１：１変圧器からなり、これは第１の電力増幅器の出力から受け取った５０オーム出力インピーダンスと第２の電力増幅器の出力から受け取った５０オーム出力インピーダンスとを結合して、第１の変圧器出力における２５オーム第１の変圧器出力インピーダンスを与える。第１の１００オーム差分抵抗は第１の電力増幅器出力と第２増幅器出力との間に接続されている。第２の１：１変圧器は、第３の電力増幅器の出力から受け取った５０オーム出力インピーダンスと第４の電力増幅器の出力から受け取った５０オーム出力インピーダンスとを結合して、第２の変圧器出力における２５オーム第２の変圧器出力インピーダンスを与える。第２の１００オーム差分抵抗は第３の電力増幅器出力と第４電力増幅器出力との間に接続されている。５０オーム差分抵抗は第１の変圧器出力と第２の変圧器出力との間に接続されている。第３の変圧器は、２５オーム第１の変圧器出力インピーダンスと２５オーム第２の変圧器出力インピーダンスとを結合して、負荷への直接接続に適合する第３の変圧器出力における１２．５オーム出力インピーダンスを与える。第２の実施形態は修正されたウィルキンソン電力結合器を与え、これは、等長で等インピーダンス特性を有する四分の１波長同軸伝送ラインからなる。各々の同軸伝送ラインの内側導体の入力端は、関連する電力増幅器の出力から５０オーム出力インピーダンスを受け取るように適合されている。各々の同軸伝送ラインの内側導体の出力端は共通の伝送ライン出力接続点へ接続されて、１２．５オーム出力インピーダンスを受け取る。各々の同軸伝送ラインの外側導体は接地へ接続されている。各々の同軸伝送ラインについて、５０オーム差分抵抗は伝送ラインの内側導体と共通差分抵抗接続点との間に接続されている。共通伝送ライン出力接続点は負荷への直接接続に適合されている。第３の好ましい実施形態は、等長で等インピーダンス特性を有する複数の同軸伝送ラインからなる電力結合器を与える。各々の同軸伝送ラインの内側導体の入力端は関連する電力増幅器からの電力増幅器出力インピーダンスを受け取るように適合されている。各々の同軸伝送ラインの内側導体の出力端は、伝送ライン出力インピーダンスを受け取る共通伝送ライン出力接続点へ接続されている。同軸伝送ラインの各々の外側導体は接地へ接続される。共通伝送ライン出力インピーダンスは負荷へ直接に接続するように適合されている。 （もっと読む）

複数のレーザ共振器からのビームを合成する方法は、レーザのそれぞれの出力を周波数変調することを含み、１つ以上のレーザでは他のレーザと位相をずらして周波数変調する。周波数変調されたビームは、離れた平行な経路に沿って導かれ、経路に沿った面で重なりフラットトップ強度分布を有する合成ビームを形成する。 （もっと読む）

本発明レーザーアニーリングシステムのためのレーザービーム・ミクロスムージングを提供する。レーザービーム・ミクロスムージングは、レーザービームを実質的に走査方向に固定的に保持しつつ、レーザービームをレーザーアニーリングシステムの走査方向と直交する方向にシフトさせることを含む。走査方向に直交する方向にレーザービームをこの様にシフトすることにより、レーザービームの特徴中の小規模不均質部分をスムーズにし、従来技術のレーザーアニーリングシステムに関係する縞模様が生ずるのを防止する。 （もっと読む）

ＣＯ_２レーザ基準発振器（ＲＯ）は、Ｑスイッチ法（ＱＳ）あるいはＱスイッチキャビティダンプ法（ＱＳＣＤ）ＣＯ_２レーザ（１０）を励起する入射を提供し、ＲＯ（１２）レーザの出力周波数は、基準発振器（１２）の共振ミラーの１つをディザリングする、適切な電子機器を用いてレーザ線のピークにロックされる。この入射された放射線は、Ｑスイッチ法レーザキャビティ内で放射線増幅を励起し、発振周波数は入射放射線の波長を促進する。電子フィードバック制御回路を用いて、Ｑスイッチ法レーザの縦モードを線中央にロックする。ＱＳレーザ内のパルスの増幅時間の変化を用いて、キャビティの長さをＱＳレーザに入射されるのと同じレーザラインのピークでの振動が可能な値に維持する。 （もっと読む）

シュワルツシルト対物鏡を使用してフォトマスク像を基板上に投影する光学システムは、エキシマレーザと、該レーザとビーム分割プリズムからのレーザ光線を成形するビーム成形光学素子を含む。ビーム分割プリズムは、互いに角度を成して傾斜する４つのフェーセットを含む分割面を有する。４つのフェーセットは成形されたビームをシステム軸に対して角度を成して伝播する４つのビーム部分に分割する。これらのビーム部分はフォトマスクで重なって、そして、ビーム部分の光のすべてがシュワルツシルト対物鏡の凸面鏡の中央オブスキュレーションゾーンの外側の環状ゾーンにおいて対物鏡の凸面鏡に入射するように、互いに開いて凹面鏡の入口孔に入る。これは、通常このオブスキュレーションゾーンによって引き起こされる伝達損失を本質的になくす。
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スラブレーザは、離間し向かい合って配置された２つの細長い電極を含む。中実誘電性材料の１つ又は２つのスラブが電極間において電極の長さに渡って延伸する。電極ギャップは２つの電極のうちの１つと、１つの誘電スラブの間、あるいは、２つの誘電スラブの間に形成される。電極ギャップはレーザガスで満たされる。ギャップの長さに渡って延伸してレーザ共振器を画定するように構成された１組の鏡が配置されている。電極間にＲＦ電位を与えてギャップ中に気体放電を生成し共振器内を循環するレーザ放射を引き起こす。電極間に誘電性材料を挿入することにより、放電構造の抵抗キャパシタンス（ＲＣ）時定数は、誘電性材料がないときのＲＣ時定数と比べて増大する。これは放電におけるアーク生成を妨げ、誘電インサートが無い場合よりも可能であるより高い励起パワー、より高いレーザガス圧及びより高い出力パワーでレーザが作動することを可能にする。
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