【課題】メンテナンス及び清浄の頻度を低減し、長い稼動期間を有する反応炉を提供する。
【解決手段】反応炉２０は、ハウジング２２及びエッチングチャンバ２４を含み、ウェーハ２６は、底部電極２８に結合したチャックに配置される。チャンバ２４はさらに、チャンバ２４において発生したプラズマの結果として、接地されるか又は浮動電位を生成することを許可される側面周縁電極３０を含み、見通し経路に沿って、ウェーハ２６から、電極３２へ、又は電極３２を反応炉２０の反応チャンバ５１に結合させる窓３８へと、例えばスパッタリングによって材料が堆積するのを防止するシールド５０を含む。 （もっと読む）

【課題】ワークピースの層にエッチングすべき構造物の幅の臨界寸法増大を抑制する方法を提供すること。
【解決手段】構造物を規定するために、エッチングする層の少なくとも１部を覆って堆積され、保護するハードマスクであって、反応性金属を含有するハードマスクを選択する工程と；
エッチング工程の最中に、前記ハードマスクの腐食速度を遅くするために、前記ハードマスクを酸化性ガス流に露出させる工程、ここで、酸化性ガス流は窒素ガス、フッ素ガス、ホウ素ガスおよび炭素ガスの少なくとも１つを含む、
を具備する、ワークピースの層にエッチングすべき構造物の幅の臨界寸法増大を抑制する方法。 （もっと読む）

加工チャンバ、繰り返しトリガされるように適合させたフラッシュ・ランプ、フラッシュ・ランプの制御入力に接続されてフラッシュ・ランプをトリガするコントローラを用いて半導体加工を実施するためのシステム及び方法が開示される。本システムは、ウェハ加工において、フラッシュ・ランプと並行して固体プラズマ・ソースを配備することができる。
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【課題】磁気トンネル接合デバイス及びメモリデバイスで使用するような金属−絶縁体−金属の積層薄膜スタックを収容するデバイス構造を製作する技術を提供する。
【解決手段】本発明は、一般的に半導体製作に関し、特に、磁気トンネル接合デバイスの製作に関する。特に、本発明は、トンネル接合部内の誘電体層をエッチング停止層として使用し、パターン化処理から生じる可能性がある電気的短絡を排除する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】多孔性低ｋ誘電体膜上に不透過性膜を堆積させる方法を提供する。
【解決手段】相互接続構造における多孔性低ｋ誘電体膜のようなデバイス上への不透過性膜の接着性を改善するための方法。本方法は、多孔性低ｋ誘電体膜の水、アルコール、ＨＣｌ、ＨＦ蒸気のような捕捉された蒸気又は吸着された分子を放出するために、不透過性膜の堆積前の原位置アニーリング段階を提供する。本方法はまた、多孔性低誘電性膜の堆積に続いて、捕捉可能分子を含む大気に露出することなく不透過性膜の原位置堆積を提供する。本方法は、更に、多孔性低ｋ誘電体膜の一部分の除去に続いて、捕捉可能分子を含む大気に露出することなく不透過性膜の原位置堆積を提供する。実質的に全ての捕捉又は吸着分子を多孔性低ｋ誘電体膜から除去することにより、堆積した不透過性膜と低ｋ誘電体膜の間の接着性が改善される。本方法は、多孔性ハイドロシルセスキオキサン又は多孔性メチルシルセスキオキサン、エアロゲルのような多孔性シリカ構造体、低温堆積シリコン炭素膜、低温堆積Ｓｉ−Ｏ−Ｃ膜、及びメチルドープ多孔性シリカのような多くの多孔性低ｋ誘電体膜に特に適用可能である。
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ナノレイヤ堆積（「ＮＬＤ」）と呼ばれる、ＣＶＤ及びＡＬＤのハイブリッド堆積プロセスが提供される。このナノレイヤ堆積プロセスは、非自己制御型堆積プロセスにおいて、第１の複数の前駆体をチャンバに導入し、第１の層を基板上に堆積させる第１のステップと、次に、該第１の組の前駆体をパージする第２のステップと、第２の複数の前駆体を導入し、堆積された薄膜を修正する第３のステップとを含む周期的シーケンス堆積プロセスである。第１の組の前駆体を用いるＮＬＤプロセスにおける堆積ステップは、非自己制御型であり、基板温度及びプロセス時間の関数である。第２の組の前駆体が、既に堆積された膜の特徴を修正する。第２の組の前駆体は、膜の組成の修正、ドーピング、又は堆積された膜からの不純物の除去のように、堆積された膜の処理を行うことができる。第２の組の前駆体は、堆積された膜上に別の層を堆積させることもできる。追加の層は、既存の層と反応して複合層を形成するか、又は最小の反応を起こしてナノラミネート膜を形成することができる。
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磁気トンネル接合（ＭＴＪ）デバイスは、上側磁性層のプラズマ・オーバーエッチング中トンネル接合層が停止層として機能するストップ−オン−アルミナプロセスによって作製することができる。結果として得られたＭＴＪデバイスの側壁は、上側磁性層を下側磁性層から電気絶縁するように機能するトンネル接合層の近傍で非垂直である。プラズマ・オーバーエッチング中に使用されるガスは、ハロゲン含有化学種を含まず、これによりアルミナ・トンネル障壁層に比べて、高度に選択性のある磁性層のエッチングを提供する。ガス内に酸素を導入することで、オーバーエッチングの再現性を高めることができる。最後に、作製プロセス中のフォトレジストの除去に続いて、Ｈｅ及びＨ₂を用いてプラズマ処理した後に洗浄及び焼成することにより収率が高くなる。 （もっと読む）

非対称交流電圧（好ましくは４０ｋＨｚ）が、同軸（好ましくは、せん頭円錐形）関係を有する一対のターゲットの間に与えられ、（１）基板表面に材料を均一な厚さで付着し、（２）ターゲット又は他の表面から誘電体材料を除去し、（３）ターゲットの単一の点弧をなし、その後に、ターゲットの点弧を消し、（４）プラズマ放電からの低エネルギー（「冷」）電子を使用することによって、基板温度を減じて、低エネルギー流を作り出す。非対称は、交互の半サイクルの電圧と、他の半サイクルの電圧との間の大きさの差に起因する。第２の交流電圧（好ましくは、無線周波数）が、非対称交流電圧を変調して、円滑なプラズマ点弧をもたらす。ターゲットの各々に印加された異なる電圧の振幅は、基板の表面に、異なる位置で、実質的に一定の付着厚さを作る手段でもある。 （もっと読む）