【課題】基準電圧を確定するための方法、回路及びシステムを提供する。
【解決手段】不揮発性装置、及び装置を作動させる方法が開示されており、同方法は、異なるグループのメモリセルの閾値電圧分布の関数として、メモリセルのグループを読み取るための読み取り基準レベルを変更する段階を含んでいる。変更する段階は、不揮発性メモリセルアレイのメモリセルのグループに関係付けられた履歴セルの履歴読み取り基準レベルを確定する段階と、感知された論理状態分布を記憶されている論理状態分布と比較する段階と、を含んでいる。 （もっと読む）

２次電子注入（ＳＥＩ）は、ＮＲＯＭセルなどのＯＮＯ層内に別個の電荷蓄積領域を有するＮＶＭセルをプログラムするために使用される。低ワード線電圧（Ｖｗｌ）、負基板電圧（Ｖｂ）、更に狭い及び深いインプラントの種々の組合せによりプロセスが促進される。第２ビット問題を制御することができ、保存及びパンチスルーを改善することができる。より低いＳＥＩプログラミング電流が、ビット線抵抗、必要な接点の数、及び電源要件に関する制約の緩和をもたらすことができる。 （もっと読む）

不揮発性メモリチップは、少なくとも２つの遷移領域にワードラインのエクステンションを備え、（最小寸法Ｆより小さい）サブＦの間隔が隔てられたワードラインを有する。エクステンションの周辺は、少なくともＦの間隔が隔てられている。本発明は、少なくとも最小寸法Ｆの幅を備えたマスク生成エレメントから周辺のトランジスタに接続するためのトランジスタ領域にエクステンションを備えたサブＦワードラインを生成するステップを有することを特徴とする、不揮発性メモリチップをワードライン・パターニングする方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】過剰消去を軽減する。
【解決手段】開示されている方法は、数多くのプログラムと消去のサイクル後の、焼付に伴うマージンロスを最小にするために、同時に消去する行のグループを判定する段階を含んでいる。本方法は、或いは、最終的な消去閾値電圧分布の幅を最小にするために、同時に消去する行のグループを判定する段階と；そのグループを同時に消去する段階と；或るグループが消去検証されると、そのグループの消去を停止する段階と；前に消去検証されなかったグループに対して消去する段階を実行する段階と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】２つのビットを記憶するＮＲＯＭセルを正確に読み出す。
【解決手段】本方法は、メモリセルの異なるグループの閾値電圧分布の変化の関数としてメモリセルのグループを読出すための読出し基準レベルを変更する段階を含む。変更ステップは、不揮発性メモリセルアレイのメモリセルのグループと関連付けられた履歴セルのグループの履歴読出し基準レベルを決定する段階と、履歴セルのグループの正確な読出しを可能にする段階と、第１の読出し基準レベルに応じてメモリ読出し基準レベルを選択する段階と、不揮発性メモリアレイのセルを読出す段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】メモリアレイの密度を高めることのできる不揮発性メモリアレイ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 不揮発性メモリアレイは、サブＦ（サブ最小特徴サイズＦ）幅だけ離間して配置されたワード線と、該ワード線にほぼ垂直なビット線とを有する。少なくとも最小特徴サイズＦの幅を有するマスク生成素子から、スペーサー技術を用いてサブＦワード線を生成する段階を含む不揮発性メモリアレイのワード線パターン形成のための方法を含む。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリの書き込み・消去のためのパルス操作を減少させて、高速・高精度の書き込み・消去を行う。
【解決手段】メモリアレイ内のメモリセルのビットを操作する方法及びシステムであって、第１セルを予め定められた状態に置くことを目的とする第１操作パルスを第１セルの端子に印加する段階と、第２セルを予め定められた状態に置くことを目的とし且つそのパルス特性が第１操作パルスに対する第１セルの応答の関数である第２操作パルスを第２セルの端子に印加する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】マイクロコントローラーによって制御される不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】NVMアレイと関係付けられた周辺回路を制御するようになっているマイクロコントローラーを含む不揮発性記憶(NVM)装置を操作するためのシステム及び方法が開示されている。本方法は、少なくとも１つのオペレーションコマンドを、NVM装置のマイクロコントローラーに提供する段階と、操作信号をNVM装置の周辺回路に適用して、少なくとも１つのオペレーションコマンドに基づいてNVMアレイを操作する段階と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】メモリアレイにおいて、ＮＲＯＭセル等の不揮発性メモリセルのプログラム時に電流消費量を最小にする。
【解決手段】 電流消費量を最小にする方法は、正の電源からアレイ経由で接地電源へ直流を流すことなくセルのプログラムを行う方法、各プログラムパルス間のプログラム電圧を伝えるグローバルビット線を放電することなく複数のセルのプログラムを行う方法、及び過渡電流を用いてセルのプログラムを行う方法を含む。 （もっと読む）

本発明は、基準電圧を決定するための方法、回路、及びシステムである。本発明の幾つかの実施形態は、NVMブロック又はアレイ内でセルを動作する(例えば読み取る)際に使用される動作基準セルのセットを設定するためのシステム、方法、及び回路に関する。本発明の一部として、NVMブロック又はアレイのセルの少なくとも1つのサブセットは、試験基準セルの2つ又はそれ以上のセットの各々を使用して読み取ることができ、ここで試験基準セルの各セットは、試験基準セルの互いのセットから少なくとも僅かにオフセットされた基準電圧を生成又は供給することができる。NVMブロックの少なくとも1つのサブセットを読み取るのに使用される試験基準セルの各セットについて、読み取り誤り率が計算又は決定することができる。 （もっと読む）