説明

エーエスエム・アセンブリー・オートメーション・リミテッドにより出願された特許

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【課題】基板を1つの位置から他の位置に搬送するための装置を提供する。
【解決手段】基板上にボンディングを実行するためのボンディング装置は、ボンディング中に第1基板をクランプするための第1基板保持デバイス18及びボンディング中に第2基板をクランプするための第2基板保持デバイス20を備える。第1アクチュエータは、そのオンローディング位置からそのボンディング位置までの第1供給経路に沿って、及びそのオフローディング位置からそのオンローディング位置まで第1帰還経路に沿って、第1基板保持デバイス18を駆動するために作動する。第2アクチュエータは、そのオンローディング位置からそのボンディング位置までの第2供給経路に沿って、及びそのオフローディング位置からそのオンローディング位置まで第2帰還経路に沿って、第2基板保持デバイス20を駆動するために作動する。 (もっと読む)


【課題】設置面積の小さいデュアルヘッドディスペンスシステムを提供する。
【解決手段】第一の軸に沿った接合パッドの行と第一の軸に垂直な第二の軸に沿った列とを含んでいる基板上に、ダイボンディング用の接着剤がディスペンスされる。第一ノズル20を組み込んでいる第一ディスペンスヘッド12と、第二ノズル22を組み込んでいる第二ディスペンスヘッド14とが設けられ、光学システム18を用いて接合パッドのパターン認識を行い、第一ノズル20及び第二ノズル22を同時に駆動して基板の同一の列状セクションにおけるディスペンス目標位置上へ、接着剤をディスペンスする。 (もっと読む)


【課題】半導体チップを基板に接合するために均一に分散されたハンダの層を形成するための軟質ハンダディスペンス装置を提供し、特に大型の反動チップのための接合プロセスの生産性を改善する。
【解決手段】半導体チップを前記基板上に接合するために基板上にハンダをディスペンスする装置は、ディスペンス本体と、このディスペンス本体を通じて延在する第1及び第2のディスペンスチャネルとを備え、ディスペンスチャネルのそれぞれは、別々のハンダワイヤを受け取るように操作されて、基板に面する前記ディスペンス本体の端部に前記ハンダワイヤを供給する。ディスペンスチャネルは、加熱された基板に接触した際に溶融する固体状態のワイヤを前記ディスペンス本体の端部から導入するようにさらに操作される。 (もっと読む)


【課題】サイクル時間、空間要件、コストを減少し、基板の切断線を決定することを可能にする。
【解決手段】シンギュレーション前に基板の切断線を決定するための方法であり、基板は互いに実質的に平行な第1及び第2列のアラインメントマークを備え、各第1及び第2列のアラインメントマークからのアラインメントは切断線の位置を設定するために構成される。第1カメラの相対動作経路に沿って第1列のアラインメントマークを配置して第2カメラの相対動作経路に沿って第2列のアラインメントマークを配置するステップを含む。止まることなしに基板を第1及び第2カメラに対し各相対的動作経路に沿って動かしている間に第1及び第2カメラがそのような動作中の第1及び第2列のアラインメントマークから複数のペアのアラインメントマークの画像を捉える。その後、各切断線の位置が切断線に対して第1及び第2列のアラインメントマークに沿って各ペアのアラインメントマークの画像から決定され、シンギュレーションの間使用するため貯蔵装置に貯蔵される。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、少なくともある程度、前述の従来技術のダイボンディング方法の欠陥を防止するダイボンディングのための直接ダイボンディング方法を提供することである。
【解決手段】融点Tmを有するはんだ層を備えたダイをボンディングするための方法を提供する。ボンドヘッドをTmより高いボンドヘッド設定温度T1に加熱し、基板をTmより低い基板設定温度T2に加熱する。その後、ボンドヘッドでダイを持ち上げ、はんだ層を融解するために、温度T1に向かってダイを加熱する。ダイを前記基板にボンディングするために、ダイのはんだ層を基板上に押し付け、その後、はんだ層がT2に向かって冷却されて凝固するように、ダイをボンドヘッドから分離する。 (もっと読む)


【課題】半導体チップを基板に接合するために、均一に分布したハンダの層を形成するための、軟質ハンダの吐出装置の提供。
【解決手段】半導体チップを基板に実装するための方法は、ハンダ吐出装置を基板上に位置合わせするステップと、このハンダ吐出装置を通じて基板に所定長さのハンダワイヤを通過させるステップとを備える。供給方向の基板へのワイヤの供給はワイヤ供給装置で制御される。ハンダ吐出装置は、基板の表面にハンダワイヤを供給して基板上に溶融ハンダの線を吐出するのと同時に、位置決め装置によって供給方向に略垂直な2つの直交軸の少なくとも1つに沿って基板に対して移動する。半導体チップは次いで、基板上に吐出された溶融ハンダ上に実装される。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、電子部品を選別するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】選別装置は、発光ダイオードのような電子部品のために提供され、各電子部品の特性を検査し、且つ決定するための検査ステーションを含む。第1のトレイは、検査された電子部品を受容するための複数の容器を有し、第2のトレイは、検査された電子部品を受容するための第1のトレイより多い容器を有する。より多い頻度で生じる検査された特性を備えている電子部品は、第1のトレイの容器内にロードされ、より少ない頻度で生じる検査された特性を備えている電子部品は、第2のトレイの容器内にロードされる。 (もっと読む)


【課題】フレキシブルな再形状構成及び様々な寸法のダイス用プッシュアップピンの再設置を可能にする真空エンクロージャー及びプッシュアップピン・アセンブリを備える形状構成可能なダイ分離装置を提供すること。
【解決手段】広範囲のダイ寸法を取り扱うために使用することができる形状構成可能なダイ分離装置が設けられる。この装置は、ピンサイトの幾つかでエゼクタピンを所望の形状構成に選択的に装着するための複数のピンサイトを有するピン装着アセンブリと、ピン装着アセンブリを包囲する真空エンクロージャーと、を備える。真空エンクロージャーは、寸法付けられ、かつ、ピン装着アセンブリに装着された異なる形状構成のエゼクタピンを収容するように配置された複数の開口を備える支持プラットフォームを具備する。エゼクタピンは分離されるべきダイに向かう開口を通じて突出するように駆動可能である。 (もっと読む)


【課題】基板を提供する段階と、基板にスズ層をメッキする段階と、スズ層上にニッケル層をメッキする段階と、その後に、ニッケル層上に1層以上の保護層をメッキする段階と、を備えるリードフレームの製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレームを加熱することにより、スズを有する1層以上の金属間層が形成され、銅がリードフレームのベース材料からリードフレーム表面へと拡散することが防止される。 (もっと読む)


【課題】担持体上に半導体デバイスを整合させるための装置及び方法を提供すること。
【解決手段】担持体上に配置された複数の半導体デバイスを整合させるための装置及び
方法が提供される。整合ガイドは使用時の各デバイスに隣接して設置され、かつ各半導体デバイスの所望の整合に対応するように配置される。整合に関しては、半導体デバイスは複数のホルダーを備える位置決めデバイスによって保持され、各ホルダーは半導体デバイスを保持する力を生成するように形状構成される。アクチュエーターも設けられて、これらのアクチュエーターが作動して位置決めデバイス及びホルダーを移動させて半導体デバイスを整合ガイドに対して偏倚させ、これらの半導体デバイスが前記整合ガイドと整合される。 (もっと読む)


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