説明

ユニベルシテート・シユトウツトガルトにより出願された特許

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【課題】回路技術的に少ない費用で実現されかつ高い信頼性を示すLEDを持つ画素の制御用制御回路を提供する。
【解決手段】
発光ダイオードを持つ画面の画素の制御用制御回路は、少なくとも1つの演算増幅器(11)を持ち、この演算増幅器の第1の入力端(12)に、発光ダイオードの駆動トランジスタを通る電流に関係する測定信号(Umess)が印加可能であり、この演算増幅器の第2の入力端(13)に、能動及び/又は受動構成要素から成る回路網(15,15′)及び少なくとも1つのコンデンサ(C)が接続され、この回路網(15,15′)が、ディジタル目標値信号を印加可能な複数の入力端(U〜U)を持ち、演算増幅器(11)の出力端(16)が画素のデータ線路に接続されている。 (もっと読む)


【課題】 従来の方法より安価なアクティブマトリクスOLEDディスプレイの製造方法を提供する。
【解決手段】 アクティブマトリクスOLEDディスプレイの製造方法において、画素の駆動のために、減少した数のフォトリソグラフィによる構造化段階により、少なくとも2つの薄膜トランジスタ及び記憶コンデンサを設ける。 (もっと読む)


【課題】少数の工程段階又はマスキング段階しか必要としないトランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板(1)上に第1の種類及び第2の種類のトランジスタ(20,21)を製造する方法において、
a)第1の種類のトランジスタ(20)の後になっての接触領域(3a,3b)に第1の 伝導型のドーピングされた半導体領域を形成し、
b)第1の真性半導体層(4)を全面に析出し、
c)真性半導体層(4)に第1の伝導型の接触領域(3a,3b)が生じるように、半導 体領域にあるドーパントを活性化し、
d)ゲート誘電体(6)を析出し、
e)第1の導電層(7)の析出及びこの導電層(7)の構造化によりゲート電極(7a,7b)を形成し、
f)第2の種類のトランジスタ(21)のため第2の伝導型の接触領域(8)を形成する ドーパントによりイオンドーピングし、
g)不活性化層(10)を析出し、
h)接触開口(K)をあけ、
i)第2の導電層(11)を析出しかつ構造化する。 (もっと読む)


本発明はオブジェクトベースのプロセッサアーキテクチャに関し、メモリ内やプロセッサレジスタ内でポインタやデータを互いに厳密に分離することによって、正確なポインタ識別を行うものである。メモリへのアクセスは、オブジェクトを参照するポインタを介して独占的に実行される。オブジェクトはポインタやデータのための分離したエリアや、2つのエリアの長さを表わすための属性フィールドを含んでいる。ポインタレジスタ内のポインタとオブジェクトのポインタエリア内のポインタの両者は、それらが参照するオブジェクトのアドレスを直接的に含んでいる。提案されるプロセッサアーキテクチャは、ハードウェアにおいて全体的に、或いは部分的に実行される自動ガーベッジコレクションの統合を認める。リアルタイムケーパブルなガーベッジコレクションは、ハードウェアのサポートを通じて特に効果的に実行される。 (もっと読む)


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