高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）などの新規のエンハンスメントモード電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）は、Ｎ極表面を有し、分極界を使用してＮ極方向におけるゲート下の電子群を減少させ、向上した分散抑制および低ゲート漏れを有する。本発明は、Ｎ極表面を有する窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）層および窒化ガリウム（ＧａＮ）層から構成されるエンハンスメントモード高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）デバイスを提供し、該デバイスは、ＧａＮ（２）層上に成長するＡｌＧａＮ（２）層上に成長する、ＧａＮ（１）層上に成長するＡｌＧａＮ（１）層を備えるデバイスのためのゲート下のエピ層構造を備え、該ゲート下の該ＡｌＧａＮ（１）層は、該ＡｌＧａＮ（１）層内の分極界が、ゼロゲートバイアス下で該ＡｌＧａＮ（２）層とＧａＮ（１）層との間の界面において電子ガスを激減させるために十分な厚さに成長する。
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本発明は、光電子工学用途のための発光ダイオード（ＬＥＤ）光抽出に関する。チップおよび／または蛍光体変換層からの光抽出が最適化される、（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ発光ダイオード（ＬＥＤ）が提供される。ＬＥＤおよびパッケージ光学素子の新規の成形によって、高効率発光ダイオードが達成される。本発明は、典型的に白色光を備え、光の複数の波長を放射する、通常は発光ダイオード（ＬＥＤ）である光学装置を備える。そのような装置は通常、類似の装置よりも高い効率である。
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成形プラスチック光学素子と組み合わされた、Ａｉｌ（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）ＮおよびＺｎＯを直接ウエハ接合した発光ダイオード（ＬＥＤ）であって、ＬＥＤ表面と接触するＺｎＯ錐体または任意の高屈折率材料から成形プラスチック光学素子に入る指向性光が空気中に抽出される、発光ダイオード（ＬＥＤ）が開示される。具体的には、（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）ＮおよびＺｎＯを直接ウエハ接合した発光ダイオード構造が、テーパ形のレンズと組み合わされ、レンズに入る大部分の光が臨界角以内となり、抽出される。ここで、テーパ形のレンズ材料は、ＬＥＤ表面と接触するＺｎＯまたは任意の高屈折率材料よりも低い屈折率を有する。
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基板と、前記基板の上に形成された緩衝層（そのような層が必要である場合）、電気的に注入される第１発光種（ＰＥＳ）を含む第１活性領域と、前記ＰＥＳから発光された光によって光学的に励起される第２発光種（ＳＥＳ）を含む第２活性領域と、フォトニック結晶とを含む高効率発光ダイオード（ＬＥＤ）であって、前記フォトニック結晶は回折格子として作用し、高い光抽出効率とＳＥＳの効率的な励起を提供し、また遠視野放射パターンを調整する。
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配列（Ｘ−Ｙ−Ｚ）_ｎ、式中、Ｘはアスパラギン酸、グルタミン酸、アスパラギン、アラニンおよびグルタミンから選択されるアミノ酸であり、ＹおよびＺはアラニン、セリン、スレオニン、ホスホセリン、ホスホスレオニン、およびそれらの誘導体から選択されるアミノ酸である、のペプチドを含む化合物群が本明細書中に開示されている。これらの化合物は、石灰化した表面に堅固にしかも特異的に結合する特性を有し、歯および骨の表面の再鉱化、骨および歯の欠陥の診断、骨および歯の欠陥の治療、石灰化の同定、局在化、または操作が望まれる、インビトロおよびインビボの両方、ならびに産業的、合成の、医学的、歯学的、および研究用途における石灰化した堆積物の存在および局在の分析を含む様々な用途に該化合物を役立たせる。
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