【課題】
誘電体電荷トラップメモリの動作速度及び／又は耐久性を向上させる技術を提供する。
【解決手段】
メモリデバイスは、ワードライン及びビットラインを含む誘電体電荷トラップ構造メモリセルのアレイを含む。該アレイに、読み出し、プログラム及び消去の動作を制御するように構成された制御回路が結合される。コントローラは、該アレイのメモリセル内の誘電体電荷トラップ構造を熱アニールする支援回路を備えるように構成される。熱アニールのための熱を誘起するために、ワードラインドライバ及び前記ワードライン終端回路を用いて、ワードラインに電流を誘起することができる。熱アニールは、サイクルダメージからの回復のために、通常動作とインターリーブされて適用されることが可能である。また、熱アニールは、消去のようなミッション機能中に適用されることもでき、それにより該機能の性能を向上させ得る。 （もっと読む）

【課題】 集積回路に用いられる充電ポンプ回路、例えば、負電圧を発生するために用いられるＰＭＯＳ負ポンプ回路において、ボディ効果の影響を減少し、充電ポンプの効率を改善する。
【解決手段】 第１の前充電ＭＯＳＦＥＴトランジスタに結合された第１のサブ・ポンプを含む第１のポンプ段を備え、第１のサブ・ポンプは、第１の前充電ＭＯＳＦＥＴトランジスタのゲートをポンプ・ダウンするように用いられ、それにより、第１の前充電ＭＯＳＦＥＴトランジスタの前充電効率を高める。前充電ＭＯＳＦＥＴの効率が高ければ高い程、パス・トランジスタのゲート・レベルは低くなる。従って、充電分担効率は良好となり、ボディ効果は除去される。後続のポンプ段は、第１のポンプ段と同じである。さらに、ＰＭＯＳＦＥＴだけによって履行されるので、単一のウェルだけが必要とされ、小さいレイアウトが達成され得、高効率の負のポンプが得られ得る。 （もっと読む）