【課題】低コストで、処理回路と制御回路と変換回路とを一体的に集積することができ、余計なマスクや工程を必要としないガス検知半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ガス検知半導体装置１は、シリコン基板２上に形成され、当該シリコン基板２は、ＣＭＯＳ技術互換性のある高温金属からなるヒーター６が埋め込まれた酸化ケイ素絶縁薄膜３を有している。上記高温金属は、タングステンである。上記装置１は少なくとも、絶縁層４によってヒーター６から隔離されるガス感受性層を備える１つの検知領域を有している。最終製造過程工程の１つの工程として、検知領域内に薄い膜を形成するために、基板がエッチバックされる。当該エッチバック工程及びガス感受性層の形成工程を除いて、タングステンヒーター６を含む他のすべての層は、タングステン金属化を用いたＣＭＯＳプロセスが利用される。 （もっと読む）