説明

インスティチュート フュア ミクロエレクトロニク シュトゥットガルトにより出願された特許

1 - 3 / 3


【解決手段】光および温度に依存する信号を発生させる回路配置において、入射電磁放射線に応じた第1および第2電気信号を発生させる複数の第1および第2センサ素子を有する。第1センサ素子は、可視光の少なくとも大部分を含む第1波長範囲(62)から第1電気信号を発生させるように設計される。第2センサ素子は、主として赤外放射線を含む第2波長範囲(64)から第2電気信号を発生させるように設計される。第1波長範囲(62)は、第2波長範囲(64)と重複し、よって第1波長範囲(62)は第2波長葉に(64)と同様に赤外放射線を含む。
【効果】2つの種類の異なるセンサ素子を用いて、簡単でかつより費用対効果の高い構成で、精度の高い温度信号および画像信号を得る。 (もっと読む)


【課題】半導体ウエハから集積回路チップを、費用効率よく、かつ高品質、高歩留まりで製造する。
【解決手段】集積回路を製造する方法は、半導体ウエハ10の規定された部分18に回路構造20を生成する工程を含む。ウエハ部18は、まず、局所ウェブ状接続部24のみを介して残りの半導体ウエハ10上に保持されるように解放され、かつウェブ状接続部24は、その後分断されることにより、規定されたウエハ部18が半導体ウエハ10から解除される。本発明では、ウエハ部18は、ウェブ状接続部24がウエハ部18の横周縁部に配置されるようにして解放される。 (もっと読む)


【課題】半導体ウエハから集積回路チップを、費用効率よくかつ高品質、高歩留まりで製造する。
【解決手段】集積回路26を製造する方法であって、第1および第2面12,14を有する半導体ウエハ10を設ける工程と、前記第1面12の領域の少なくとも一つの規定されたウエハ部18の下方にウエハキャビティ16;44’を生成する工程と、前記規定されたウエハ部18に回路構造20を生成する工程と、前記半導体ウエハ10から前記規定されたウエハ部18を解除する工程であって、前記ウエハ部18は、ウェブ状接続部24のみを介して、前記残りの半導体ウエハ10上に保持されるようにして、第1工程シーケンスで解放され、かつ前記ウェブ状接続部24は、第2工程シーケンスで分断される工程とを含む。ウエハ部18の解放は、その下方で多孔質シリコンを用いてキャビティ16を生成することによって行われる。 (もっと読む)


1 - 3 / 3