説明

コミサリア、ア、レネルジ、アトミク、エ、オ、エネルジ、アルテルナティブにより出願された特許

191 - 195 / 195


変形可能なサスペンションブリッジ(1)が、ブリッジ(1)を横方向において支柱(7)間に配置された中間セグメント(8)と2つの外側に突き出た周辺セグメント(9)とに細分するような形で配置された2つの支柱(7)によって、基板(3)に取り付けられる。周辺アクチュエータ(11)および中間アクチュエータ(10)は、周辺セグメント(9)および中間セグメント(8)を個々に独立して基板(3)に垂直に変形させるのを可能にする。その結果として、基板(3)上に形成されかつブリッジ(1)と基板(3)との間に位置する第1の導電性エレメント(5)とブリッジ(1)の下面に一体的にしっかりと固定された第2の導電性エレメント(6)との接点を開閉することができ、それによって、スイッチは、2つの機械的に安定な位置を有する。
(もっと読む)


本発明は、第1集電体と第2集電体と(13、15)が、それぞれ配置されている前面と背面(4a、4b)を有する電解質膜(4)を含む積層体であって、各集電体が金属堆積を有し、複数の横断通路を有する積層体を備える燃料電池に関する。第1電極と第2電極(14、16)とが、それぞれ、電解質膜(4)と直接接触するようになる第1集電体と第2集電体(13、15)とに接して配置される。
(もっと読む)


記録装置は、同一基板(7)に固定されているナノメートル規模のチップを備えたマイクロポイント(6)のネットワークを有する。このマイクロポイントのネットワークは、変形可能なメモリ支持体(1)と協働し、このメモリ支持体は、前記ネットワークをメモリ支持体と接触させる際にマイクロポイント(6)の種々の高さ範囲に順応し、その後、データの熱的、電気的及び(又は)機械的記録を行う。メモリ支持体(1)は、基板(4)上に配置された少なくとも1つの変形可能なメモリ層(3)を含むスタックから成る。変形可能なメモリ層は、メモリ層(2)と可撓性層(3)を積み重ねることにより具体化できる。メモリ層(2)をマイクロポイント(6)とインタフェースする層(5)によって被覆するのがよい。メモリ層(2)に対するマイクロポイント(6)の圧力により、可撓性層(3)までのスタックの漸次変形が誘起される。
(もっと読む)


本発明は、有用な層(1)が最初に犠牲層(2)によって基板を構成する層(3)に接続される方法に関するものである。犠牲層(2)をエッチングする前に、犠牲層(2)に接触する層の少なくとも一方の層の表面(4、5)の少なくとも一部をドープする。犠牲層(2)をエッチングした後で、表面(4、5)を表面エッチングして、そのドープした部分の粗さを増大させる。ドープする前に、有用な層(1)の一部にマスク(9)を被着させて、表面(4、5)のドープする領域およびドープしない領域の輪郭を設定する。これらの領域の一方により、表面エッチング段階の後でストッパが構成される。
(もっと読む)


本発明は、電磁送信手段によって個別にアドレス指定できるマイクロシステム・アレイを備える装置、およびかかる装置の1つにアドレス指定する方法に関する。本発明によれば、マイクロシステム(2)は、電磁送信手段(4、5、8)によって、好ましくは無線周波で制御回路(3)と通信する。このアドレス指定方法の初期設定段階は、以下の連続的ステップを含む。制御回路(3)が各マイクロシステム(2)をそれに固有の識別コードでアドレス指定し、制御回路(3)によって提供される短縮アドレス指定コード(C)がマイクロシステムのレジスタに格納される。さらに、それに続いてアドレス指定段階が行われ、制御回路(3)が全てのマイクロシステム(2)にリセット信号およびインクリメント信号を送信する。各マイクロシステム(2)は、リセット信号を受信したときに少なくとも1つのカウンタのリセットを制御し、インクリメント信号を受信したときにこのカウンタの内容のインクリメントを制御する。さらに、各マイクロシステム(2)は、そのカウンタとレジスタの内容を比較し、その結果、かかる内容が一致したときに、所定のコマンドの実行をトリガする。
(もっと読む)


191 - 195 / 195