【課題】粒子発生アセンブリと、薄い箔を有する箔支持アセンブリと、基材上または被膜上での化学反応を引き起こす処理区域とを含む粒子ビーム処理装置に関し、サイズがより小さくかつより高い効率で動作する粒子ビーム処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】粒子ビーム発生アセンブリ110と、箔支持アセンブリ140と、処理アセンブリ170とを含み、粒子ビーム発生アセンブリ内において、例えば電子のような粒子の雲が、少なくとも１つのタングステンフィラメントを加熱することによって発生する。その次に、電子は、粒子ビーム発生アセンブリよりも著しく低い電圧に設定されている箔支持アセンブリに高速度で移動するように引き出される。基材が処理区域の中を通して粒子ビーム処理装置の中に送り込まれ、粒子ビーム発生アセンブリを出て上記処理区域内に入る電子にさらされる。電子は基材に侵入してその基材を硬化させ、化学反応を引き起こす。 （もっと読む）

本発明は、サイズがより小さく、より高い効率で作業する粒子線処理装置に関し、そしてまた、処理可能な材料から成る基材上のコーティングを処理するために、例えばフレキシブル包装のためにこのような装置を使用することに関する。処理装置は、粒子線生成アセンブリとフォイル・サポート・アセンブリと処理アセンブリとを含む。粒子線生成アセンブリにおいて、電子を生成し加速することにより、電子がフォイル・サポート・アセンブリを通過するようにする。フレキシブル包装用途において、低電圧、例えば110kボルト以下で操作する処理装置に基材を供給し、そして、加速粒子に対して暴露することにより、基材上のコーティングを処理する。
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