昇華された蒸気の定常流れを真空チャンバへ送達するための蒸気送達システムは、固体物質の気化器、機械式スロットルバルブおよび圧力ゲージ、それに続く真空チャンバへの蒸気導管を備える。蒸気の流量は、その気化器の温度、およびその気化器とその真空チャンバとの間に置かれる機械式スロットルバルブのコンダクタンスの設定の両方により決定される。その気化器の温度は、閉ループ制御により設定点温度に決定される。この機械式スロットルバルブは、電気制御され、例えば、バルブの位置は、圧力ゲージの出力に対する閉ループ制御下にある。このようにして、蒸気の流量は、ほぼ圧力ゲージの出力に比例し得る。上記気化器から上記真空チャンバへの蒸気に曝露されるすべての表面は、凝縮を防ぐために加熱される。ゲートバルブおよび回転式バタフライバルブが、上流スロットルバルブとして作用するように示される。
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イオン源（４００）の耐用年数は、反応性ハロゲンガス（ＦまたはＣｌ）を使用して、イオン源（４００）および引出し電極（４０５）のインサイチュでのエッチング洗浄の備えを有する供給源によって、ならびに洗浄間のサービス期間を延長する特徴を有することによって強化または延長される。後者は、正確な蒸気流制御、イオンビーム光学素子の正確な集束、および沈着物の形成を防止するか、または電極の破壊を防止する引出し電極の熱制御を含む。半導体ウェハ処理用のドーパントイオンを生成するためのイオン源から成る装置は、遠隔プラズマ源に結合され、このプラズマ源は、第１イオン源および引出し電極内の沈着物を洗浄することを目的として、第１イオン源にＦイオンまたはＣｌイオンを供給する。これらの方法および装置は、昇華蒸気供給源などの凝縮可能な供給ガスを作動させる場合、長時間の機器動作可能時間を可能にし、低温イオン源に使用するのに適する。
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