説明

セーエスウーエム、サントル、スイス、デレクトロニック、エ、ド、ミクロテクニック、ソシエテ、アノニム、ルシェルシュ、エ、デブロプマンにより出願された特許

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【課題】対象物の元素組成を同定する方法を提供する。
【解決手段】この方法は、選択されたエネルギー範囲を獲得するために少なくとも1つのエネルギー選択規準に応じて照射エネルギー範囲のエネルギー範囲を選択するステップ(210)と、選択された元素を獲得するために、少なくとも1つの元素・選択規準に応じて、対象物の分析が実行される純粋な元素及び/又は化合物を選択するステップ(215)と、選択されたエネルギー範囲に応じて、選択された純粋な元素及び/又は化合物の吸収係数を決定するステップ(220)と、選択された純粋な元素及び/又は化合物の積分密度を決定するステップ(230)と、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】改善された雑音特性を備え、かつ、例えば、イメージセンサ又は微小電極アレイのようなセンサの電荷検出器回路とともに動作する信号読み出し回路及び方法を提供する。
【解決手段】電流源640と列信号線620とを備えた少なくとも1つの信号読み出し回路605を備えた半導体電荷センサ600を開示する。このセンサは、また、信号読み出し回路に動作可能に結合された少なくとも1つの電荷検出器回路610を備える。信号読み出し回路は、入力を少なくとも1つの列信号線と少なくとも1つの電流源とに動作可能に接続することのできる少なくとも1つの開ループ増幅器650と、開ループ増幅器の出力654に動作可能に接続することができかつ負帰還ループを選択的に形成するように動作する少なくとも1つの帰還線630とをさらに備え、開ループ増幅器は反転電圧利得を有する。 (もっと読む)


本発明は、とりわけ、電荷パルス振幅及び時間検出回路に関し、きわめて小さい振幅及び時間的な雑音を提供し、かつ、従来技術による電荷パルス検出回路における雑音特性限界を克服するものである。本発明の実施形態は、電荷パルスを検知ノード上に供給する検知装置、低いインピーダンスを備えた検知ノード上の電圧をバッファリングする能動バッファ、信号電荷を検知ノードから除去する再充電装置、及び、再充電装置からの雑音を減衰させるとともに信号電圧パルスを送信する能動バッファの出力に接続された雑音フィルタを含んでもよい。さらなる及び別の実施形態が、詳細に説明され、かつ、権利を主張される。
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【課題】干渉計デバイス及び干渉法を開示する。
【解決手段】一実施形態において、デバイスは、第1の平均波長λLEの放射線を放射する電磁放射線源と、第1のアスペクト比を持つ位相格子と、第2のアスペクト比を持つ吸収格子と、検出器と、を備えている。電磁放射線源、位相格子、吸収格子、及び検出器は、放射線に関して互いに連結されている。吸収格子は、検出器と位相格子との間に配置されており、電磁放射線源は線源格子の前方に配置されており、位相格子は、放射された放射線において、Πよりも小さい位相シフトを生じさせるよう設けられている。 (もっと読む)


【課題】改善された特性および/またはより低い製造コストを有するゼロ次回折フィルタを提供すること、およびそのようなゼロ次回折フィルタを製造する方法を提供する。
【解決手段】周期的な回折微細構造を有し導波路を形成する第1の層1と、少なくとも1つの隣接した第2の層2とを備えるゼロ次回折フィルタであって、前記第1の層は、前記第2の層の屈折率よりも少なくとも0.2だけ高い屈折率を有するゼロ次回折フィルタ。前記第2の層のうちの少なくとも1つは、ナノ細孔を含む多孔質層である。回折微細構造の周期は、100nmから3000nmである。 (もっと読む)


薬学的用途向けの錠剤(4)は、その表面の少なくとも一部の上に、可視スペクトル領域で読み取ることができ、視覚的安全性特徴として役立つ回折性微小構造(11)を有する。この錠剤は、複数の個別粉末粒子からなり、該個別粉末粒子の表面の中に回折性微小構造(11)が刻印される。そのような錠剤を製造するための圧縮工具(1,1a,1b,3)は、該圧縮工具(1,1a,1b,3)の一プレス表面上に微小構造(11)を有し、該微小構造(11)は、該圧縮工具(1,1a,1b,3)の該プレス表面の材料の、個々のクリスタライト(30)の寸法より小さな寸法を有する。該圧縮工具の微小構造(11)は、例えばイオンエッチングまたは刻印により製造することができる。
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【課題】従来技術の欠点を回避する、カラー・イメージ・センサと、その製造方法と、カラー・イメージ検知方法とを提供すること。
【解決手段】カラー・イメージ・センサは複数のピクセルを有する。ピクセル上に、ゼロ次回折カラー・フィルタ(DCF)(1)が配置される。異なるゼロ次DCF(1)、例えば赤と、緑と、青の光をそれぞれ透過するDCF(1)が、カラー・イメージ・センサのピクセルに割り振られる。カラー撮像装置に対するDCF(1)の使用は、現在使用されているラッカーよりも良好な定義済み帯域フィルタまたはノッチ・フィルタをもたらす。DCF(1)は、時間と、温度と、任意の環境的攻撃に関してより安定である。DCFパターンの製造は、様々なタイプのDCFが同時に製造され得るので、従来型染料フィルタ・パターンの製造よりも単純で安価である。 (もっと読む)


変調振幅および時間的位相が局部位置に依存している変調された光放射場(I)を、複数のピクセル1で検出することができる。各ピクセル1は、入射光(I)を比例電気信号に変換する変換ステージ(T)と、サンプリングステージ(S)と、2つの減算/合計ステージ(SUB1,SUM1;SUB2,SUM2)と、出力ステージと、により構成される。各ピクセルは、個別にアドレス指定することができる。光放射場(I)は、局部検知され、波動場の変調周波数の4倍の周波数でサンプリングされる。減算/合計ステージ(SUB1,SUM1;SUB2,SUM2)は、いくつかの平均周期の間に、変調周期ごとに周期の半分だけ離れた2つのサンプル間の差異を累算し、2つのステージは、4分の1周期により互いに対して時間シフトされる。結果として生じる2つの出力信号は、局部エンベロープ振幅および時間的位相の決定に用いられる。これらのピクセル1は、非常に少ない電力を消費し、かつ小さな面積を必要とする回路により実現することができ、線形または2次元アレイセンサにおける多数のピクセルの実現を可能にする。
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単一光子限界に接近する非常に高い感度を有する固体イメージ・センサ(1)は、3つのモジュール構築ブロック、すなわち、(a)光サイトと、相関2重サンプリングのために使用される中間光電荷蓄積機能と、信号バッファリングまたは増幅用の電子回路とを有する、ピクセル(2.11、2.12、...)と、(b)複数のそのようなピクセル(2.11、2.21、...)がトランジスタ・スイッチを使用して接続され、低域通過フィルタ(30.1)を含む、列または行信号線(3.1)と、(c)行信号線(3.1、3.2、...)が接続され、アナログ・マルチプレクサ(42)とともに複数のアナログ増幅器(41.1、41.2、...)から成る、読み出し回路(4)と、を用いて実現される。光生成信号は読み出され、相関2重サンプリング方法を実施するため、アナログまたはデジタル・ドメインのどちらかにおいて、リセット・レベルが減算される。
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ピクセル(1)が、光検出器で使用するために平面的な表面を有する半導体基板(S)の中に形成される。このピクセルは、入射光(In)を電荷キャリアに変換するための活性領域と、この活性領域の両端間に横方向電位(Φ(x))を生成するためのフォトゲート(PGL、PGM、PGR)と、活性領域内で生成された電荷キャリアを蓄積するための積分ゲート(IG)およびダンプ・サイト(Ddiff)とを含む。ピクセル(1)は、活性領域内の電荷分離と、活性領域から積分ゲート(IG)までの電荷輸送とを追加的に促進する分離促進手段(SL)をさらに含む。この分離促進手段(SL)は、例えば、入射光(In)が、所与の横方向電位分布(Φ(x))では、電荷キャリアが積分ゲート(IG)まで輸送されることがない区間に当たらないように設計された遮蔽層である。
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