【課題】 容易に実行可能なＰＤ構成を用いて、高いスループットレートをもたらす方法を提供すること。
【解決手段】 複数のアパーチャを有するパターン決定手段を用いて荷電粒子のビームをターゲット（４０）にマスクレスで照射し、所定の軸に対して横に、上記パターン決定手段に対して相対移動している（ｖ）ターゲット上に、上記パターン決定手段における上記アパーチャのイメージを形成する方法において、上記イメージの位置を、上記ターゲットの相対移動の距離が上記ターゲットにおいて測定される上記イメージの幅（ｗ）の倍数以上である画素露光期間の間、上記ターゲットに沿って移動させるようにし、上記画素露光期間の後に、上記ビームのイメージの位置を変化させるようにし、この位置の変化は上記ビームのイメージの上記位置の移動をほぼ補うものである。 （もっと読む）

【課題】アパーチャアレイの照射損傷を抑え、小型化を実現できるブランキングアパーチャアレイ装置を提供する。
【解決手段】粒子ビームを生成し、アパーチャアレイ手段（２０３）およびブランキング手段（２０２）を用いて粒子ビームを多数のビームを生成するパターン描画手段を通して方向づけ、残りの全部が全体としてパターン化された粒子ビーム（ｐｂ）を形成する。そして、パターン化された粒子ビーム（ｐｂ）を基板表面に投射して、開口したアパーチャのイメージを形成する。アパーチャのサブセットが、露光時間の何分の一の間開口し、かつ該露光時間の残りの時間中は閉じられており、それに伴って基板表面の画素の露光の閾値より低い値において部分露光が生じ、該閾値が、全露光時間中開口しているアパーチャによって生じる全露光に対応する値よりも低いかあるいは等しくなっている。 （もっと読む）

【課題】 低エミッタンスおよび均質な電流分布を持つ１組の粒子ビームレットを生成するマルチビーム源を提供する。
【解決手段】 エネルギ荷電粒子の複数のビームレット（１１２）を発生するためのマルチビーム源（１０１）は、荷電粒子の照明ビームを発生する照明システム（１０２）と、ビームの方向に見て照明システムの後に配置され、かつ照明ビームから複数のテレセントリックまたは均質なビームレット（１１２）を形成するように適応されたビーム形成システム（１０３）とを含む。前記ビーム形成システム（１０３）は、ビーム分割手段と電気ゾーン装置（１０９）とを含む。前記電気ゾーン装置は、異なる静電電位を印加されかつしたがってビームレットに影響を及ぼすように適応された複数の略平面状部分電極から構成される、複合電極（１１０）を含む。 （もっと読む）

【課題】ＤＡＰの電極の電源を提供し、かつ高集積の偏向器アレイを簡素な方法で実現する。
【解決手段】粒子ビーム処理または検査装置用のマルチビームパターン定義装置３００は、荷電粒子ビームを発生し、複数のアパーチャを通過させた後に、ターゲット上に結像されるビームレットを形成する。偏向アレイ手段３０２、各ビームレット用の複数の静電偏向電極３２１を有する。各偏向電極に静電電位を個別に印加することができる。対向電極３１１は、偏向アレイ手段とは独立して、対向電極アレイ手段３０１を介して、対向電位に電気接続される。対向電位は、システムの信頼性を改善するために、共通接地電位または個別電位とすることができる。それぞれの対向電極に対して起動電圧が印加されたときに、ビームレットをその公称経路外に偏向させるように、各偏向電極は、関連する対向電極３１１と協働して、充分に偏向させる。 （もっと読む）

【課題】 容易に実行可能なＰＤ構成を用いて、高いスループットレートをもたらす方法を提供すること。
【解決手段】 複数のアパーチャを有するパターン決定手段を用いて荷電粒子のビームをターゲット（４０）にマスクレスで照射し、所定の軸に対して横に、上記パターン決定手段に対して相対移動している（ｖ）ターゲット上に、上記パターン決定手段における上記アパーチャのイメージを形成する方法において、上記イメージの位置を、上記ターゲットの相対移動の距離が上記ターゲットにおいて測定される上記イメージの幅（ｗ）の倍数以上である画素露光期間の間、上記ターゲットに沿って移動させるようにし、上記画素露光期間の後に、上記ビームのイメージの位置を変化させるようにし、この位置の変化は上記ビームのイメージの上記位置の移動をほぼ補うものである。 （もっと読む）

電荷を帯びた粒子のビームでターゲット（４１）を露光するための荷電粒子露光装置（１００）は、照明システム（１０１）は、パターン画定手段に対する照明ビームの入射の方向を変動させるように構成された偏向手段（４０１）を含み、パターン画定手段（２０）は照明ビームの形状を所望のパターンにし、投影光学システム（１０３）は、パターン画定手段で画定されたビーム形状の画像をターゲット（４１）上に投影し、投影光学システムは、例えばパターン画定手段にパターンを読み込むプロセス中にブランクアウトするために、すなわちビームレットをその非偏向経路から充分な角度だけ傾けるように偏向手段（４０１）が作動したときに、開口を有しかつ前記開口の外側を通るビームの通過を阻止するように構成されたブロッキングアパーチャ手段（２０４）を含む。 （もっと読む）

粒子ビーム装置のパターンロック装置において、パターンの投影は少なくとも２つの連続する投影段を用いてなされ、記録手段は、中間投影面の公称位置の箇所に配置され、基準マークは、最終でない投影段により生成された基準マークの中間像の位置において、粒子ビームの位置を決定する記録手段上に投影される。さらに、記録手段上の走査動作を起こすため、基準ビームレットは、パターン描画手段に設けられた偏向手段を用いて、時間依存性の電圧に依存して横方向にシフトされる。 （もっと読む）