【課題】シリコンなどの半導体材料の電気活性に影響を与える可能性がある欠陥の特性を明らかにすること。
【解決手段】シリコンなどの半導体の表面粒子欠陥、特に金属粒子を検出する方法であって、表面粒子近傍の半導体構造表面を適当な光源からの少なくとも１つの高強度の光ビームにさらして、光ルミネッセンス反応を収集して処理すること、粒子の汚染物質が半導体構造中に拡散した結果生じる許容できない汚染レベルを特定するためにその結果を用いることを含む方法。任意で、半導体構造を焼鈍し、汚染物質の拡散速度を特定するために焼鈍前後の光ルミネッセンス反応を収集する。また、同様の装置についても記載されている。
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【課題】
【解決手段】被試験半導体デバイスの直流安全動作領域を測定する機器（instrument）は、被試験デバイス（device-under-test）の入力に調整可能なバイアスを印加する手段を備え、その手段には安全動作限界値内のバイアスポイントで直流バイアスを印加する直流バイアサー（biaser）と、続いて高速かつ重畳させた矩形のバイポーラパルスを含む可変のバイアスを印加する可変のバイアサーとを含み、さらに該機器はほぼ安全動作限界値のＩ−Ｖ応答の詳細を外挿（extrapolation）できるようにその電流応答を測定する手段を備える。また、半導体デバイスの直流安全動作領域を測定する方法も開示する。
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【課題】シーリングリング組立部品と電気化学容量電圧（ＥＣＶ)の測定結果に使用する電気化学セルへのシーリングリングの据付の改良方法に関する。
【解決手段】リング２は、リングの中央の穴５とホルダー１の正面の間の流動体の交流を提供する少なくとも一つの二番目の穴６が設けられたホルダー１の中に設置される。その二番目の穴６は効果的に気泡を取り除き電解液を活性化するその或いはそれぞれの二番目の穴６を通ってシーリングリング２に入ってくる電解液に一定の循環流を与えるために平行方向でしかし中央の穴の内壁に対して接線方向に位置補正されている。ホルダー１は繊細なシーリングの表面を損傷する危険性をかなり少なくしてリングの取り外しを容易にしている。
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【課題】試験中の半導体デバイスの動的電流−電圧（Ｉ−Ｖ）伝導特性を正確に測定する半導体監視機器及びその測定方法を提供することである。
【解決手段】
試験中の半導体デバイスの動的電流−電圧（Ｉ−Ｖ）伝導特性を測定する機器は、試験中のデバイスの入力と出力の両方において、高速で印加した一般に方形波のバイポーラパルスの形を用いて調整可能なバイアスを適用する手段と、状況に応じて、試験中のデバイスの入力と出力の両方で直流信号を適用することにより試験中の半導体デバイスの直流電流−電圧（Ｉ−Ｖ）伝導特性を測定する手段と、入力と出力の両方で電流応答を測定する手段を備えている。試験中の半導体デバイスの動的電流−電圧（Ｉ−Ｖ）伝導特性の測定方法も、また上記と同様である。
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