【課題】半導体ウェハを裏面からエッチングすることなしに、ダイの側壁部と低部エッジおよびコーナーからのダメージをとそれにより応力を除去する方法を提供する。
【解決手段】動作層を有する半導体ウエハ１１は動作層がキャリア１３から離れた状態でキャリアに搭載され、キャリア上で半導体ウエハの主表面から少なくとも途中までダイシングされる。少なくとも途中までダイシングされた半導体ウエハは、キャリアに載せられた状態で自然エッチング剤１４０を用いて前記主表面からエッチングされることにより、少なくとも途中までダイシングされた半導体ウエハから製造されるダイから十分な半導体材料を除去し、ダイシングにより引き起こされる少なくとも幾らかの欠陥を取り除くことにより、ダイのたわみ曲げ強度を向上する。 （もっと読む）

【課題】切削速度、アライメント時間及び歩留りを改善しスループットを高める。
【解決手段】基板の第１の面側から、基板の全深さには満たない所定の深さまで、紫外または可視放射レーザによって溝を掘る。次に、第１の面の反対側である第２の面側から、前記溝が貫通するように基板の材料を除去する。この材料の除去は、例えば、ラッピング及び研磨、化学的エッチング、プラズマエッチングまたはレーザアブレーションによって行う。 （もっと読む）

加工の際に有害物質を放出する材料（１５）を加工するように構成されたレーザ加工装置であって、放出された有害物質の少なくとも幾らかを装置の加工領域から排出するための真空排出システム（２４，２５）を有している。放出された有害物質で排出されなかったものの堆積を加工領域に封じ込めるために、少なくとも第一の封じ込めゾーン（３６）が加工領域を包囲している。第二の封じ込めゾーン（３７）が第一の封じ込めゾーン（３６）を取り囲んでもよく、また、有害物質の堆積を第一の封じ込めゾーン（３６）に封じ込めるのを助けるために二つの封じ込めゾーン（３６，３７）の間に圧力差を設けてもよい。加工された材料（１５）上に堆積した放出有害物質が移送の際にレーザ加工装置から放出されるのを防止するために、加工された材料（１５）を洗浄ステーションに移送するための移送チャンバ（４０）を設けてもよい。
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ウェハ１０のダイシング中およびダイシング後の、ウェハのダイ１１を支持する支持用基板またはチャック２０。支持用基板は、アイランド２１のアレイを備え、アイランドの上面は、ウェハ上のダイのアレイ、または、ウェハから個別切断されたダイのアレイで位置合わせされて、支持用基板の主面より上に引き上げられている。アイランド間の間隔は、ウェハをダイシングするためのレーザーの切り溝、または、ブレードの幅より大きい。レーザーによるダイシングのために、アイランドの上面は、主面より上の十分な高さを有し、ウェハをダイシングするために使用されるレーザービーム３０のエネルギーを、支持用基板を実質的に機械加工することなく、アイランド間のチャネル内で放散させる。
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レーザ切削加工される加工物（１２）の表面は、レーザ切削加工で生み出される切削屑が、その表面に付着するのを減らすことで、レーザビーム（１４）を用いる切削加工の間に生み出される切削屑（１５）から、界面活性剤膜（１１）で保護される。この界面活性剤膜は、好ましくは後で、この界面活性剤膜上に被着した切削屑（１５１）といっしょに除去される。
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プレート型偏光ビーム・スプリッタ２２は、入射レーザビーム２１を分割して、第１のレーザビーム２４と第２のレーザビーム２５を形成する。第１のレーザビームが、第２のレーザビームのものとは異なる発散または収束を持つように、第１のレーザビーム２４を、円弧状のリフレクタ２３を用いて光学的に修正する。第１のレーザビーム２４を、集光レンズ２６の光軸上の第１の焦点２７に集束させ、また、第２のレーザビーム２５を、この光軸上の第２の焦点２８に集束させて、加工物を切削加工する。この装置は、ガルバノメータ・スキャナで操向されたレーザビームを用いて切削加工するのに適している。
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シリコン被加工物５は、シリコン被加工物向けのハロゲン環境を提供してレーザ加工用の活性支援ガスを形成することで０．５５ミクロン未満の波長をもったレーザビーム４を用いてレーザ２により加工する。レーザビームはシリコンの切除閾値を超える出力密度でシリコン被加工物上に集束させ、かくして支援ガスをレーザの焦点又はその近傍でシリコン被加工物と反応させ、レーザ加工速度を増大させ、加工品質における改善に起因して加工された被加工物の強度を増大させる。本発明は、六フッ化硫黄（ＳＦ_６）の存在下にてシリコンウェーハを賽の目に切断し、得られるダイの強度を増大させる具体的用途を有する。
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動作層を有する半導体ウエハ１１は動作層がキャリア１３から離れた状態でキャリアに搭載され、キャリア上で半導体ウエハの主表面から少なくとも途中までダイシングされる。少なくとも途中までダイシングされた半導体ウエハは、キャリアに載せられた状態で自然エッチング剤１４０を用いて前記主表面からエッチングされることにより、少なくとも途中までダイシングされた半導体ウエハから製造されるダイから十分な半導体材料を除去し、ダイシングにより引き起こされる少なくとも幾らかの欠陥を取り除くことにより、ダイのたわみ曲げ強度を向上する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】接着層１２によってキャリアテープ１３に接着されたウェーハ基板１１が、キャリアテープを最大限でもスクライビングするようにウェーハ基板を貫通し接着層を貫通してレーザ加工され、接着層１２とキャリアテープ１３の大幅な積層剥離や接着層１２からのバリの大量発生もなく、個片化された接着層が貼付された個片化されたダイ１５を形成する、ダイボンディング方法及び装置。キャリアテープ１３は、キャリアテープから接着層を外すために好ましくは紫外線光によって硬化される。個片化されたダイは掴み上げられダイパッド上に配置されて、ダイをダイパッドに接着するために、接着層１２が好ましくは熱によって硬化される。 （もっと読む）