【課題】磁気ランダムアクセスメモリ（磁気メモリ）（magnetic random access memory）に使用する磁気異方性多層薄膜、具体的には、多層のＣｏＦｅＳｉＢ／Ｐｔ膜を含む磁気異方性多層薄膜を提供する。
【解決手段】垂直磁気異方性多層薄膜は、第１Ｐｔ／ＣｏＦｅＳｉＢ層と前記第１Ｐｔ／ＣｏＦｅＳｉＢ層上に形成された第２Ｐｔ／ＣｏＦｅＳｉＢ層とを含む。 （もっと読む）

【課題】 高い結晶化度、均一な大きさ、高い化学的安定性を有する磁性体コア−半導体シェル（例えば、マグネタイト−カドミウムセレナイド（Ｆｅ_３Ｏ_４＠ＣｄＳｅ））ナノ粒子及びこれを合成する方法を提供する。
【解決手段】 コア−シェル構造は、マグネタイトの前駆体を還元して、コアに該当するマグネタイトシードを形成した後、連続的にＣｄＳｅ前駆体を還元してマグネタイト上にＣｄＳｅをコーティングする過程により複合機能マグネタイト−カドミウムセレナイドナノ結晶を合成する。 （もっと読む）

【課題】接合ワイヤーの初期スピンモーメント方向に関係なく接合ワイヤー間の磁壁の厚さが一定のナノ接合を提供する。
【解決手段】本発明は、２個の接合ワイヤーが接合されるナノ接合であって、接合される接合領域を含む接合面が四分円形を有する第１の接合ワイヤーと、前記第１の接合ワイヤーと前記接合領域で接合し、前記第１の接合ワイヤーの四分円の接合面と原点対称する四分円形の接合面を有する第２の接合ワイヤーとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低いスイッチング磁場と高い磁気抵抗比を有する磁気トンネル接合構造を提供する。
【解決手段】本発明は、非磁性中間層に分離される自由層と固定層とを含む磁気トンネル接合構造であって、非晶質ＮｉＦｅＳｉＢ強磁性層を含む自由層と、前記自由層の上部に形成された非磁性体からなる中間層と、前記中間層の上部に形成された強磁性層である固定層と、を含むことを特徴とする。前記自由層は、例えば非晶質ＮｉＦｅＳｉＢ/ＲＵ/非晶質ＮｉＦｅＳｉＢ層で構成することができる。 （もっと読む）