説明

ナヴォテック・ゲーエムベーハーにより出願された特許

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【課題】試料表面を荷電粒子により調査及び/又は改変するのを容易且つ費用効率的に可能にし、表面電荷蓄積に関係する問題が克服されるような装置及び方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子により試料を調査及び/又は改変する装置、特には走査電子顕微鏡が提供される。この装置は、荷電粒子のビームと、該荷電粒子のビームが通過する開口30を持つ遮蔽エレメント10とを有し、該開口30は充分に小さく、上記遮蔽エレメント10は上記試料の表面20に対して十分に接近して配置されて、上記荷電粒子のビームに対する該表面における電荷蓄積効果の影響を減少させる。 (もっと読む)


本発明は、粒子ビームシステム(10−10’’’’、12−12’’)を作製する方法に関するものであり、一つの第1基板14の上にコンピュータ制御された粒子ビーム誘発して堆積させることにより少なくとも一つの第1粒子ビームシステム10−10’’’’が作製され、少なくとも一つの第2基板16の上に第2粒子ビームシステム12−12’’が、少なくとも一つの第1粒子ビームシステム10−10’’’’からコンピュータ制御の粒子ビーム誘発して堆積させることにより作製される。本発明の方法により多数の粒子ビームシステムを比較的短時間で作製できる。
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荷電粒子により試料を調査及び/又は改変する装置、特には走査電子顕微鏡が提供される。この装置は、荷電粒子のビーム(1,2)と、該荷電粒子のビームが通過する開口(30)を持つ遮蔽エレメント(10)とを有し、該開口(30)は充分に小さく、上記遮蔽エレメント(10)は上記試料の表面(20)に対して十分に接近して配置されて、上記荷電粒子のビームに対する該表面における電荷蓄積効果の影響を減少させる。 (もっと読む)


本発明は、真空室内でクロム層をエッチングする方法であって、前記真空室にハロゲン化合物を導入するステップと、電子ビームを前記クロム層のエッチングされるべき領域上に向けるステップと、前記真空室に酸素含有化合物を導入するステップとを備えるような方法に関するものである。他の態様によれば、本発明は、絶縁体又は低い熱伝導性を持つ基板上に配された金属及び/又は金属酸化物からなる層を高い分解能で除去する方法であって、上記層を真空室内に配置するステップと、該層に収束された電子ビームを3〜30keVのエネルギで衝撃させるステップとを有し、上記電子ビームが時間及び面積当たりのエネルギ伝達が上記層の該層の融点及び/又は気化点より高い局部的加熱を生じさせ、上記層の除去が上記真空室への反応ガスの供給無しで実行されるような方法にも関するものである。

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