本発明はポリウレタンを含まない熱可塑性フォーム研磨体で半導体基板の金属表面を化学的機械研磨（ＣＭＰ）するためのスラリーを提供する。スラリーは研磨粒子安定剤と、半導体基板上の金属表面の研磨中にスラリーを約２．５から約４．０の間のｐＨ値に保つ酸緩衝剤とを含んでいる。さらに別の実施形態では、本発明はＣＭＰ研磨システムを提供する。研磨システムは半導体基板上の金属表面の研磨中にスラリーを約１から約６の間のｐＨ値に保つスラリーを備えている。システムはさらに、研磨中に金属表面の一部を除去するためにスラリーと協働するポリウレタンを含まない熱可塑性フォーム基板を有する研磨体を含む研磨パッドを備えている。 （もっと読む）

本発明は、一実施形態において、化学的機械的研磨用の研磨パッド（１００）を提供する。研磨パッドは、研磨本体（１１０）を備えている。研磨本体は、凹面セル（１２５）を備えた表面（１２０）を有する熱可塑性発泡体基板（１１５）を備えている。研磨剤（１３０）は、凹面セルの内部表面（１３５）を被覆する。研磨剤は、炭化物または窒化物を含有する無機金属酸化物を含む。本発明の別の実施形態は、研磨パッド（２００）を製造するための方法である。

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