【課題】 価格的にも妥当でかつ大きな生産性（歩留まり）で製造することが可能であり、更にその横方向のビームプロファイルが横方向の導波（路）によって広範囲において調整可能なように構成されたとりわけＩｎＰ系面発光型レーザダイオードの提供。
【解決手段】 第１のｎドープ半導体層（２）と少なくとも１つのｐドープ半導体層（４、５）とによって包囲されるとともにｐｎ接合を有する活性層（３）と、該活性層（３）のｐ側に位置するとともに第２のｎドープ半導体層（８）に隣接するトンネル接合（７）とを有する面発光型半導体レーザの導波路構造の製造方法であって、第１のエピタキシャル成長プロセスにおいて、前記少なくとも１つのｐドープ半導体層（４、５）上に、ｎドープ遮断層（６、６ａ）が形成され、次いで、該ｎドープ遮断層（６、６ａ）が、アパーチャ（１０）の形成のために、部分的に刻削され、そして第２のエピタキシャル成長プロセスにおいて、前記トンネル接合（７）のために提供される層が、前記遮断層（６、６ａ）及び前記アパーチャ（１０）上に形成されることを特徴とする。
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【課題】 より妥当な価格的でかつより大きな生産性（歩留まり）で製造することが可能なとりわけ埋込トンネル接合を有するＩｎＰ系面発光型レーザダイオード（ＢＴＪ−ＶＣＳＥＬ）を提供すること。
【解決手段】 第１のｎドープ半導体層と少なくとも１つのｐドープ半導体層とによって包囲されるｐｎ接合を有する活性層、及び該活性層のｐ側に位置しかつ第２のｎドープ半導体層と隣接するトンネル接合を有する面発光型半導体レーザの埋込トンネル接合の製造方法であって、トンネル接合（１）のために提供される層は、第１の工程において、物質選択性エッチングによって、前記トンネル接合（１）の所望の直径に至るまで横方向に刻削され、及び第２の工程において、エッチングにより形成された空隙が前記トンネル接合（１）と隣接する少なくとも１つの半導体層（２、３）からのマストランスポートによって閉塞されるまで適切な雰囲気中で加熱されることを特徴とする。
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埋込トンネル接触部を持つ表面放射半導体レーザの単一モード・パワーを増加するために、トンネル接触層（６）は、開口直径（ｗ１）と開口深さ（ｄ１）とを有する開口を具備し、かつｎドーピング電流搬送層（７）でカバーされ、隣接する電流搬送層（７）は、開口の領域に、隆起部直径（ｗ２）と隆起部深さ（ｄ２）とを有する隆起部（１５）を具備するとともに、隆起部（１５）の側面領域の少なくとも周辺で電流搬送層（７）上に構造化層（８； ９）が設けられ、その厚み（ｄ３； ｄ４）が構造化層の光学的厚みが隆起部深さ（ｄ２）の領域において電流搬送層（７）の光学的厚みと少なくとも等しくなるように選択されている構造が提案されている。 （もっと読む）