【課題】結晶欠陥の少ない窒化ガリウム系化合物半導体の結晶エピタキシー構造を提供する。
【解決手段】基材３１を提供し、基材３１に対し表面過熱掃除を実行するステップ４１と
、第一の温度の下で基材３１の上に低温窒化ガリウム緩衝層３２’を形成するステップ４
２と、温度を昇温し、第一の窒化ガリウム緩衝層の表面に結晶核を形成させることによっ
て高温窒化ガリウム緩衝層３２”を形成するステップ４３と、温度を降下し、第二の温度
の下で高温窒化ガリウム緩衝層３２”の上に第二の窒化インジウム・ガリウム緩衝層３３
を形成するステップ４４と、温度を昇温し、第三の温度の下で第二の窒化インジウム・ガ
リウム緩衝層３３の上に窒化ガリウム結晶エピタキシー層３４を形成するステップ４５と
からなる。 （もっと読む）