【課題】半導体製造装置から排出されたガスを洗浄することができる排ガス処理装置を提供する。
【解決手段】
排ガス処理装置１は、内部に液体３１が貯留されるチャンバー１０と、チャンバーに、チャンバーに貯留される液体の液面よりも上方に形成された空間に臨んで設けられたガス導入口２０及びガス排出口５０と、チャンバー内に設けられた隔壁部３０により画成され、ガス導入口及びガス排出口に連通するガス流路４０と、ガス排出口に接続され、チャンバーから排出されたガスが通過するガス排出路５１と、ガス排出路に介設され、チャンバー内を排気する排出手段とを備えた排ガス処理装置であって、ガス排出路の排出手段より下流側から分岐して前記ガス流路の一端側に連通する循環路６０を備えている。 （もっと読む）

【課題】複数の導入管を通じてガス導入が行える半導体製造装置において、薄膜の膜厚、濃度の面内分布をより均一化できるようにする。
【解決手段】チャンバー１５に対して複数のガス導入配管２５３ａ〜２５３ｅを接続し、各ガス導入配管２５３ａ〜２５３ｅに対してフローメータ２５４ａ〜２５４ｅを備えた構成とする。これにより、ガスの導入場所に応じて独立してガス流量を制御でき、半導体基板６０に対して形成される薄膜の膜厚、濃度の面内分布を同時に均一化することが可能となる。特に、バッチ処理を行う場合にも、多数の半導体基板６０に対して形成される薄膜の膜厚、濃度の面内分布を均一化を図ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】減圧下でウォールデポを生じさせることなくサセプタを大径化できる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】水平な円板状のサセプタ１１と、サセプタ１１を内部空間１３ａに収容する反応容器１３と、内部空間１３ａにガス流を形成するガス給排手段と、サセプタ１１に載置された半導体ウェーハ１２を加熱する加熱手段１７と、反応容器１３を外部から空冷する冷却手段とを備え、反応容器１３は中央が上方に膨出してサセプタ１１を覆う窓部１４ａを有する。サセプタ１１の外径Ｗが４９０ｍｍ以上７００ｍｍ以下であり、窓部１４ａの厚みｔが４ｍｍ以上７ｍｍ以下であり、窓部１４ａの曲率半径Ｒが５８０ｍｍ以上６２０ｍｍ以下であり、サセプタ１１の上面から窓部１４ａ内面までの高さの最大値Ｈが２００ｍｍである。 （もっと読む）

【課題】窓用フランジ部の設計の自由度を低下させず、また窓用フランジ部が固定フランジに対して半径方向外側に殆どずれず、窓部の破損及び損傷を確実に防止する。
【解決手段】半導体ウェーハ１１がサセプタ１２上に水平に載置される。反応容器１３は、中央が外方に膨出するように湾曲した透明の窓部１６ａ，１７ａと、この窓部の端部に一体的に設けられた不透明の窓用フランジ部１６ｂ，１７ｂと、この窓用フランジを固定する固定フランジ２１，２２とを有する。減圧手段は反応容器内を減圧し、加熱手段２４はウェーハを窓部を通して反応容器外から加熱する。冷却手段は窓部を反応容器外から空冷し、ガス給排手段２６は反応容器内にガスを供給するとともに反応容器内のガスを排出する。反応容器内が減圧手段により減圧されて窓用フランジ部が固定フランジに圧接される力が発生したとき、この力を固定フランジが垂直に受けるように構成される。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置において、サセプタの外周側に配置されるランプの寿命が短くならないようにする。
【解決手段】複数のランプ５０は円環状に配置された複数の円配列５１〜５３を構成すると共に、複数の円配列５１〜５３がサセプタ４０の中心軸を中心に同心円状に配置されている。また、複数のランプ５０それぞれは、サセプタ４０の中心軸に垂直な面に平行に配置され、一端部５０ａが他端部５０ｂよりもサセプタ４０の中心軸側に配置されている。そして、複数の円配列５１〜５３それぞれにおいて、各ランプ５０は、サセプタ４０の中心軸とランプ５０の一端部５０ａとを通ると共にサセプタ４０の中心軸に垂直な方向に延びる直線７０に対し、他端部５０ｂ側が同一方向および同一角度にそれぞれ傾けられている。 （もっと読む）

【課題】Ｏリングの温度が、該Ｏリングの耐熱温度以下となるようにすることができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】複数のＯリング６０は、フランジ部１１ｂ、１２ｂのうち石英窓１１ａ、１２ａの凸側と該凸側とは反対側とにそれぞれ同心円状に配置されてフランジ部１１ｂ、１２ｂを挟んでいる。そして、同心円状に配置された複数のＯリング６０のうち内側のものと外側のものとで隣り合うＯリング６０とフランジ部１１ｂ、１２ｂと冷却チャンバ２１、２２とで構成された複数のガス用通路２６のうち、少なくとも、もっとも処理室１３側に位置するガス用通路２６に、不活性ガス流入装置３０によって不活性ガスを流す。これにより、不活性ガスを介してフランジ部１１ｂ、１２ｂの熱を冷却チャンバ２１、２２に伝達し、フランジ部１１ｂ、１２ｂに接触しているＯリング６０の温度を耐熱温度以下に下げる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置において、サセプタの外周側に配置されるランプの寿命が短くならないようにする。
【解決手段】複数のランプ５０は複数の円配列５１〜５３を構成すると共に、複数の円配列５１〜５３がサセプタ４０の中心軸を中心に同心円状に配置されている。そして、サセプタ４０の中心軸側に位置して隣り合う１、２列目の円配列５１、５２の間隔よりも、サセプタ４０の外周側に位置して隣り合う２、３列目の円配列５２、５３の間隔が密になっている。これにより、サセプタ４０の外周側に位置するランプ５０の一つ当たりの光の強度が小さくなるので、サセプタ４０の外周側に位置するランプ５０の寿命が短くならないようにすることができる。 （もっと読む）

【課題】成膜加熱中に異常信号を得た異常モードにおいて、安全モードに移行する際にも石英ドームの石英窓とフランジ部との接合部に発生する応力が所定の安全応力値を超えないようにする。
【解決手段】半導体ウエハ７０が配置された処理室１５が減圧され、石英ドーム１１、１２を側面加圧され、処理室１５が加熱された状態で、検知部４０によって処理室１５の異常状態が検知されたとき、石英ドーム１１、１２に対する側面加圧を停止し、当該側面加圧の停止後に処理室１５を大気圧に戻す。 （もっと読む）

【課題】サセプタに複数の半導体ウエハを配置して熱処理するに際し、各半導体ウエハの均熱化を図る。
【解決手段】サセプタ２０の一面２１に垂直な方向で、メインシャフト３１の上端部３１ａおよび各アーム３２と半導体ウエハ６０とが離間していると共に、各アーム３２の間に半導体ウエハ６０を配置する。これにより、各半導体ウエハ６０がアーム３２の影にならないようにして、アーム３２がハロゲンランプ４０の輻射熱を阻害しないようにする。これにより、半導体ウエハ６０の均熱化を図る。 （もっと読む）

【課題】半導体処理装置の耐食性を向上させる、半導体基板処理システム及び半導体基板を処理する方法を提供する。
【解決手段】半導体処理装置用コーティングのシステム及び方法である。半導体基板処理システムは、半導体処理ガスを封じ込めるためのエンクロージャを含む。エンクロージャは、その内側表面が少なくとも部分的に、炭化珪素コーティングで希望の厚さに被膜される。エンクロージャは、半導体基板を処理するための処理チャンバに半導体処理ガスを運ぶための吸込み配管、処理チャンバ、及び使用済み半導体処理ガスを処理チャンバから離れた場所に運ぶための吐出し管、或いはそのいずれかであることが可能である。内側表面は、珪素及びダイアモンド状炭素、或いはそのいずれかを含む追加コーティングを含むことができる。 （もっと読む）