レーザ装置（１）は、基準光源（２）と、基準ファイバ（３）と、少なくとも１つのレーザダイオード（４）とを有し、基準ファイバ（３）は、屈折率ｎ１を有するコア（５）及び屈折率ｎ２を有する第１クラッド（６）を備え、第１クラッド（６）は屈折率ｎ３を有する第２クラッド（７）により囲まれており、屈折率ｎ１は屈折率ｎ２よりも大きく、屈折率ｎ２は屈折率ｎ３よりも大きく、レーザダイオード（４）は、基準ファイバ（３）の第１クラッド（６）の中を通って導かれるレーザ光（８）を放射し、基準光源（２）は、所定の波長λＲ（１０）を有する基準光（９）を放射し、基準光（９）は、基準ファイバ（３）のコア（５）の中を通ってレーザダイオード（４）へ導かれ、基準ファイバ（３）のコア（５）の中を通ってレーザダイオード（４）へ導かれる基準光（９）は、レーザダイオードの注入同期閾値よりも大きい所定の波長λＲ（１０）における出力（１１）を有する。
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光放射線（７）によって材料（８）のレーザ加工を行うための装置が、シード・ポンプ（２）により励起されるシード・レーザ（１）と、増幅器ポンプ（４）により励起される増幅器（３）と、コントローラ（５）と、スキャナ（６）とを備え、コントローラ（５）は、シード・ポンプ（２）、増幅器ポンプ（４）およびスキャナ（６）を互いに同期させながら制御し、これによって、シード・レーザ（１）により放射される光パルス（１０）が、増幅器（３）を通して伝播され、スキャナ（６）によって材料（８）に向けられるようになり、この装置は、光放射線（７）が第１の電力の範囲内にあるときに、コントローラ（５）が、増幅器（３）を光減衰器として動作させるべく増幅器ポンプ（４）を制御し、出力電力が第２の電力の範囲内にあるときに、コントローラ（５）が、増幅器（３）を光増幅器として動作させるべく増幅器ポンプ（４）を制御することを特徴とする。
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光放射（３８１）を提供する装置（３８０）であって、装置は、シーディング放射（３８７）を提供するシードレーザー（３８２）と、シーディング放射（３８７）を増幅する少なくとも１つの増幅器（３８３）と、反射器（３８４）と、を有し、この場合に、シードレーザー（３８２）は、ファブリペロー半導体レーザーであり、シードレーザー（３８２）は、反射器（３８４）を介して増幅器（３８３）に接続され、反射器（３８４）は、ファイルシードレーザー（３８２）によって放射されたシーディング放射（３８７）の中のある比率（３８８）をシードレーザー（３８２）内に反射して戻すべく構成され、且つ、増幅器（３８３）は、屈折率ｎ１を具備したコア（３）と、屈折率ｎ２を具備したペデスタル（４）と、を有する光ファイバ（１）を有し、且つ、この場合に、光ファイバ（１）は、ペデスタル（４）を取り囲む屈折率ｎ３を具備したガラスから製造された第１クラッディング（５）を含み、この場合に、ｎ１はｎ２より大きく、且つ、ｎ２はｎ３より大きい。 （もっと読む）

光放射（１０）を提供する装置であって、この装置は、ポンピング放射（２）を提供するポンピング源（１）と、輝度コンバータと、を有し、この装置は、輝度コンバータ（３）が、その長さの少なくとも一部に沿って実質的に堅い領域を含んでいることを特徴としている。
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希土類添加ファイバ（１）、レーザダイオードソース（２）、ショートパルスレーザ（１８）、及びコントローラ（９）を有し、希土類添加ファイバ（１）が、レーザダイオードソース（２）によって励起されて光放射（１０）を供給し、この希土類添加ファイバ（１）によって放出された光放射（１０）とショートパルスレーザ（１８）によって放出された光放射（１１）を合成する材料加工用の装置であって、この装置は、コントローラ（９）が、希土類添加ファイバ（１）から放出された光放射（１０）をショートパルスレーザ（１８）によって放出された光放射（１１）と同期化させてプリパルス（２１）とメインパルス（２２）を有する複数のパルス（５）を供給し、プリパルス（２１）の平均ピークパワー（２３）がメインパルス（２２）のピークパワー（２４）を上回っていることを特徴としている。
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光放射（１０）を提供する装置であって、ポンプ放射（７）を提供するためのポンプ列（８）と、第１ポンプ結合器（１）と、導波管（３）とを備え、ポンプ列（８）からのポンプ放射（７）は、第１ポンプ結合器（１）を介して導波管（３）に結合され、導波管（３）は、ポンプ放射（７）をガイドするポンプガイド（４）と、ポンプ放射（７）によりポンプされた時に光放射（１９）を出射する利得媒体（５）とを備える。
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光放射線（１０）により材料（６）を工業的に処理する装置は、光放射線（１０）を伝える導波路（１）、および、前記導波路（１）の出力端部（１２）から前記光放射線（１０）を材料（６）上へと導向する焦点合わせ光学機器（５）を備え、前記導波路（１）は、その断面の全体にわたって屈折率プロフィル（２５）と光学的利得プロフィル（１７）とにより定義される導波プロフィル（１９）を有し、且つ、前記導波プロフィル（１９）および焦点合わせ光学機器（５）は、前記材料（６）の表面における光パワー分布（１６）が、該光パワー分布（１６）の中心から第１および第２半径（ｒ１），（ｒ２）に配置された第１および第２光パワー（Ｐ１），（Ｐ２）であって前記第１および第２半径（ｒ１），（ｒ２）より小さな第３半径（ｒ３）における第３光パワー（Ｐ３）よりも実質的に高い強度である第１および第２光パワー（Ｐ１），（Ｐ２）を有する。
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