サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッドにより出願された特許
2,221 - 2,221 / 2,221
超解像近接場構造の記録媒体、並びにその再生方法及び再生装置
超解像近接場構造を利用して、高いCNRを実現する読み取り専用の記録媒体を提供する。
情報が記録された読み取り専用の記録媒体であって、情報が表面に記録された基板と、基板の前記表面上に、相変化物質により形成された反射層と、反射層上に形成された第1誘電体層と、第1誘電体層上に、金属酸化物またはナノパーチクルにより形成されたマスク層とを有する。
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