本体（６）と、第１の位置（Ｃ）で本体に固定される少なくとも１つのレンズ（９）と、レンズまで所定の距離（Ｚｂｃ）にある第２の位置（Ｂ）で光ファイバ（３）用のコネクタ（１１）を取り付ける手段とを備えたＦＳＯ通信装置（４）であって、レンズは自由空間を経由してＦＳＯ通信装置へ送信された光束（８）を光ファイバ内へ集束するように設計されていることを特徴とするＦＳＯ通信装置（４）。コネクタを取り付ける手段は、本体の膨張係数より大きな膨張係数をもつ温度補償デバイス（１０）であり、温度補償デバイスは本体に第３の位置（Ａ）で固定され、温度補償デバイスが温度変化によって伸縮することを可能とする自由端を有することを特徴とし、第２の位置は第３の位置と第１の位置の間に位置することを特徴とする。
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較正法において、デルタドーピング層が設けられる材料で形成された複数のバルク試料に基づき、多層半導体構造中のデルタドーピング層のドーパント濃度とプロセスパラメータとの間の関係が判定される（Ｓ１）。所望のドーパント濃度が選択され（Ｓ２）、プロセスパラメータと所定のドーピング濃度との間の関係に基づき、所定のドーピングレベルを有する半導体構造が生成できる（Ｓ３）。
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その上に導電ストリップ（１２）が配置される、誘電体基板を備えるインピーダンス−マッチング・カプラ（１）。好ましくは誘電体膜の誘電層（１４）が、導電ストリップ及び第１の誘電層の上に形成され、導電ストリップを取り囲む。金属層（１６，１８）が最後に誘電層の最上に配置される。誘電層は、誘電体基板の誘電定数よりも実質的に高い、好ましくは１０倍よりも高い誘電定数を有している。厚さ１００μｍ未満、好ましくは５から１００μｍの間、より好ましくは１０から７０μｍの間の誘電体膜が好都合である。誘電体基板の厚さは好ましくは誘電層よりも厚く、好ましくは１０倍よりも大きい。導電ストリップは好ましくは幅が一定である。誘電体膜の厚さは、好ましくは導電ストリップの幅の１０％よりも大きい。
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多数の非線形光ファイバ（１２Ａ〜１２Ｃ）は、並列構成で配置される。ファイバ（１２Ａ〜１２Ｃ）は、零分散波長よりわずかに長い波長を有する光増幅器（１８）により、ファイバごとに励起される。分波器（１４）は、パラメトリック増幅を達成可能な個々のファイバに対して、ある波長区間内の光信号の入出力を可能にする。対応する各区間の外側にある励起波長を選択することにより、クロストークが抑制される。個々のファイバ特性によって、非線形ファイバ（１２Ａ〜１２Ｃ）が個々のレーザポンプにより励起されるか、又は２つ以上の非線形ファイバが共用のポンプ（１８）により励起される。零分散波長、２次分散係数及び４次分散係数等のファイバ特性を適応させることにより、有益な増幅特性が、個々の波長区間において達成される。
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光信号のブロードバンド増幅のためのファイバ増幅器の用途に適したゲルマニウム酸塩ガラス組成物を提供する。ガラスは、好ましくは、３５−７５％のＧｅＯ_２、０−４５％のＰｂＯ、５−２０％のＢａＯ、５−２０％のＺｎＯ及び２−１０％のＲ_２Ｏ（Ｒ＝Ｎａ、Ｌｉ、Ｋ）含む。ツリウムイオン(Ｔｍ^３＋)がドープされ、ホルミウムイオン（Ｈｏ^３＋）が共ドープされている。本発明のガラス組成物は以前のガラスに比べてはるかに大きな帯域幅を与える。また、既存のシリカ光ファイバとの相性も非常に優れている。 （もっと読む）

第一のランタノイド、好ましくは、Ｔｍ（ツリウム）をドーパントとして、別の酸化ランタノイド、例えば、Ｈｏ（ホルミウム）を共添加物として添加したテルライトガラス組成物を提供する。このガラスは、４乃至１２モル％のアルカリハロゲン化物ＸＹを含み、このＸは、Ｌｉ（リチウム），Ｎａ(ナトリウム)，Ｋ(カリウム)，Ｒｂ（ルビジウム），Ｃｓ(セシウム)，Ｆｒ（フランシウム）の元素グループから選択され、このＹは、Ｆ(フッ素)，Ｃｌ(塩素)、Ｂｒ(臭素)，Ｉ(ヨウ素)の元素グループから選択される。このガラスが、１０モル％のアルカリハロゲン化物であるＣｓＣｌ(塩化セシウム)を含有していることが好ましい。アルカリハロゲン化物ＸＹを添加することで、第一のランタノイドイオンから第二のランタノイドイオンへのエネルギー遷移を強化することができ、その結果として、第一のランタノイドイオンのエネルギー下準位に反転分布が形成される。第一のランタノイドイオンのエネルギー上準位寿命と下準位寿命との間の比率を１以下の値に下げる。結果として、効率的な増幅ファイバが実現できることになる。
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