ナノチューブファブリック層内の密度、多孔率及び／又は間隙を制御する方法を開示する。一実施形態では、ナノチューブファブリック内のラフト化の度合いを制御することによりこれが達成される。当該方法は、ナノチューブ塗布溶液中に拡散した個々のナノチューブ要素の濃度を調整することを含む。高濃度の個々のナノチューブ要素は、このナノチューブ塗布溶液を使用して形成されるナノチューブファブリック層内のラフト化を促進する傾向にあり、他方、低濃度はラフト化を抑制する傾向にある。別実施形態では、当該方法は、ナノチューブ塗布溶液中に拡散したイオン粒子の濃度を調整することを含む。低濃度のイオン粒子は、このナノチューブ塗布溶液を使用して形成されるナノチューブファブリック層内のラフト化を促進する傾向にあり、他方、高濃度はラフト化を抑制する傾向にある。別実施形態では、これら両方の濃度パラメータが調整される。
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基材を、触媒有効金属を含有する炭化水素質供給原料と接触させて、基材上に供給原料を堆積させ、次いで、堆積された供給原料を酸化して、基材から炭化水素質成分および炭素質成分を除去し、一方、その上に触媒有効金属を保持し、上に保持された触媒有効金属を有する基材を炭素源材料と接触させて、カーボンナノチューブを基材上に成長させる、カーボンナノチューブを製造するための方法および装置。製造は、油精製常圧塔残留物などの石油供給原料で行って、低コストで大量にカーボンナノチューブを生成することができる。また、その細孔内に単層カーボンナノチューブを有する多孔性材料を含む複合体を開示する。
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【課題】
ナノファブリック材料およびスケーラブルな不揮発性ナノチューブスイッチに基づく、スケーラブルなラッチ回路、不揮発性メモリおよび動作回路を提供する。
【解決手段】
不揮発性抵抗変化メモリが提供される。このメモリは少なくとも１つの不揮発性メモリセルと選択回路とを含む。各メモリセルは、導電端子間に配置され、かつ導電端子と電気的に結合しているナノチューブファブリック部材を有する２端子ナノチューブスイッチングデバイスを含む。選択回路は、読出しおよび書込み動作のために２端子ナノチューブスイッチングデバイスを選択するように動作する。制御信号に応答して、書込み制御回路が書込み信号を選択されたメモリセルに供給して、ナノチューブファブリック部材の抵抗変化を引き起こし、この抵抗がメモリセルの情報状態に対応する。選択されたメモリセルと結合している抵抗検知回路は、ナノチューブファブリック部材の抵抗を検知し、制御信号を書込み制御回路に提供する。読出し回路はメモリセルの対応する情報状態を読み出す。複数の不揮発性レジスタファイル内で使用する不揮発性ラッチ回路および不揮発性レジスタファイル構成回路もまた提供される。 （もっと読む）

【課題】
不揮発性ナノチューブダイオード及び不揮発性ナノチューブブロック、並びにそれらを用いるシステム及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
一態様において、不揮発性ナノチューブダイオードデバイスは、第１及び第２端子と、陰極及び陽極を含み、前記第１導電端子に印加される電気刺激に応答して、前記陰極と前記陽極の間に導電経路を形成することができる半導体素子と、前記半導体性素子と電気的に導通するナノチューブファブリック部材を含むナノチューブスイッチング素子とを含み、前記ナノチューブファブリック部材は、前記半導体素子と前記第２端子の間に配置されて、その間で導電経路を形成することができ、前記第１及び第２端子に対する電気刺激は、複数のロジッグ状態をもたらす。 （もっと読む）

【課題】
不揮発性メモリ素子およびクロスポイントスイッチと、不揮発性ナノチューブ素子を使用した不揮発性メモリ素子およびクロスポイントスイッチのアレイとを提供する。
【解決手段】
一態様において、被覆ナノチューブスイッチは、（ａ）複数の非配向ナノチューブを含むナノチューブ素子であって、上面、下面、および複数の側面を有するナノチューブ素子と、（ｂ）ナノチューブ素子と接触する第１および第２の端子であって、第１の端子はナノチューブ素子の上面全体に配置されてこれを実質的に覆い、第２の端子はナノチューブ素子の下面の少なくとも一部分と接触する、第１および第２の端子と、（ｃ）第１および第２の端子に電気的刺激を印加することができる制御回路と、を含む。ナノチューブ素子は制御回路によって第１および第２の端子に印加される、対応する複数の電気的刺激に応じて複数の電子状態を切り替えることができる。それぞれ異なる電子状態に対して、ナノチューブ素子は第１および第２の端子間に異なる抵抗の電気経路を提供する。 （もっと読む）

メモリアレイが複数のメモリセルを含み、各セルがビットライン、第１ワードラインおよび第２ワードラインを受けている。各メモリセルはメモリセルの選択を許容するセル選択回路を含んでいる。各メモリセルは２端子スイッチ装置も含み、ナノチューブ物体と電気的に連絡された第１および第２導電性端子を含んでいる。メモリアレイはメモリ操作回路も含み、各セルのビットライン、第１ワードラインおよび第２ワードラインに動作結合されている。回路は適切なラインを作動させることによってセルを選択することができ、また、適切な電気的刺激を適切なラインに印加して第１端子と第２端子間のナノチューブ物体の相対的抵抗値を再プログラム可能に変えることができる。相対的抵抗値はメモリセルの情報状態に対応している。
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スピンコーティング用液体と適用技術が解説されている。これらは、特性を制御したナノチューブ膜或いは繊維の製造に使用できる。電子機器製造用のナノチューブを含んだスピンコーティング用液体は複数のナノチューブを含有する溶剤を含む。これらナノチューブは１ｍｇ／Ｌ以上の濃度である。ナノチューブは予備処理によって金属不純物や粒子不純物を所定レベルに減少させてある。この所定の金属及び粒子の不純物レベルは電子機器製造工程と両立できるように選択される。溶剤も電子機器製造工程と両立できるように選択される。
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複数の制御装置を有するナノチューブを基礎とする交換エレメントとこのようなエレメントから製造される回路。交換エレメントは、入力ノードと、出力ノードと、少なくとも１つの導電性ナノチューブを有するナノチューブ・チャネル・エレメントとを含む。ナノチューブ・チャネル・エレメントに関連して、上記入力ノードと上記出力ノードとの間には、導電性のチャネルを制御可能式に形成しかつ形成しない制御構造体が配置される。出力ノードは、チャネルの形成が実質的に出力ノードの電気的状態によって影響されないように構成されかつ配置される。制御構造体は、ナノチューブ・チャネル・エレメントの反対の両側に配置される制御電極とリリース電極とを含む。制御及びリリースは差動入力を形成するために使用される、またはデバイスが適切に構成されていれば回路を不揮発的に動作させるために使用されることが可能である。交換エレメントは、構成に依存して差動入力及び／または不揮発性行動を有する論理回路及びラッチへと配置されることが可能である。
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