本発明は、一次レーザービーム（２）を発生するレーザー装置（１）を使用することによって、半導体材料のウェハ（１２）内に形成された半導体素子を分離する方法に関する。前記ウェハ（１２）に対する少なくとも第１格子構造を有する第１回折格子（４、１４）を使用し、少なくとも１つの一次レーザービーム（２）を前記第１格子構造（４、１４）に衝突させることによって、前記少なくとも１つの一次レーザービーム（２）を複数の二次レーザービーム（５）に分割する。前記レーザー装置（１）を前記ウェハ（１２）に対し第１方向に移動させることによって、少なくとも１つの第１切込み溝を形成する。この方法は更に、前記レーザー装置（１）を前記ウェハ（１２）に対し第２方向に移動させることによって、少なくとも１つの第２切込み溝を形成する工程を有する。この方法は、前記レーザー装置（１）を前記ウェハ（１２）に対し第２方向に移動させる工程の前に、前記第１格子構造（４、１４）を前記ウェハにする第２格子構造（４、１４）に変える工程を含む。本発明では、この方法に用いる装置および回折格子（４、１４）をも提供する。
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