【課題】窒化ガリウム系化合物半導体エピタキシー層構造とその製造方法の提供。
【解決手段】本発明は一種の転位密度の少ない窒化ガリウム系化合物半導体エピタキシー層構造とその製造方法に関わるもので、おもに基板表面において、反応前駆物質Ｃｐ₂ＭｇおよびＮＨ₃による表面処理を行った後、窒化ガリウム系緩衝層を該基板に形成し、基板と緩衝層との間に境界層または境界区域構造を形成する。この構造は後工程において、窒化ガリウム系緩衝層の上に形成する窒化ガリウムエピタキシー層の転位密度を減少することにより、高品質なエピタキシー層を獲得し、転位密度の均一性を向上する。 （もっと読む）

【課題】 白色発光装置の提供。
【解決手段】 白色発光装置は二つの発光層を包含し、該二つの発光層がλ１とλ２波長の光を発生可能であり、更に第１蛍光粉を利用して該二つの発光層の二種類の波長の光の一部を吸収してλ３波長の光を発生し、第２蛍光粉を利用して該二つの発光層のうち一方の発光層の発生する光の一部を吸収し、λ４波長の光を発生し、該二つの発光層のλ１とλ２波長の光と単独のλ３波長の光の混合或いはλ４波長の光の混合により、白色光を発生する。 （もっと読む）

【課題】 分極反転層を具えた窒化ガリウム系発光ダイオードの提供。
【解決手段】 分極反転層を具えた窒化ガリウム系発光ダイオードは分極反転層（ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ ｉｎｖｅｒｔｅｄ ｌａｙｅｒ）を具え、それは透光導電層とｐ型半導体層の間に設置され、該ｐ型半導体層の表面のガリウム分極（Ｇａ−ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ）特性を窒素分極（Ｎ−ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ）に変換し、これにより該透光導電層と該ｐ型半導体層の間のコンタクト抵抗及び作業電圧を低減し、並びに光導効果を中断して光抽出（ｌｉｇｈｔ ｅｘｔｒａｃｔｉｎｇ）効率を増し、これにより外部量子効率を高める。 （もっと読む）