【課題】光吸収が低減され、高輝度が可能な発光装置を提供する。
【解決手段】発光層と、上側電極と、前記発光層と前記上側電極との間に設けられ、前記発光層の側の第１の層と、前記第１の層のキャリア濃度よりも高いキャリア濃度を有し前記上側電極の側に設けられた第２の層と、を有する電流拡散層であって、前記発光層から放出された光を出射可能な凹部を有する電流拡散層と、前記発光層に対して前記電流拡散層とは反対の面の側に設けられた反射層と、を備えたことを特徴とする発光装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】分割が容易で、且つ実装基板へ精度良く取り付け可能な発光装置を提供する。
【解決手段】分割して形成された端面を外縁に有する第１の基板と、第１の電極と、一方の端部が前記第１の電極の一方の端部と対向する第２の電極と、を上面に有し、且つ前記第１の電極と接続された第１の引き出し電極と、前記第２の電極と接続された第２の引き出し電極と、を側面の隅部に有し、外縁が前記第１の基板の前記外縁よりも内側となるように前記第１の基板の上に積層された第２の基板と、前記第１の電極に接着された発光素子と、前記発光素子からの放出光を放出可能な第１の貫通孔を有し、且つ外縁が前記第１の基板の前記外縁よりも内側となるように前記第２の基板の上に積層された第３の基板と、を備えたことを特徴とする発光装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗の増加を抑制しノイズ低減が可能なスーパージャンクション構造を有する電力用半導体装置を提供する。
【解決手段】ｎ＋型ドレイン層１１上のｎ型ドリフト層１２、ｎ型ドリフト層１２中に膜面に沿って周期的配置の柱状のｐ型ドリフト層１４、ｎ＋型ドレイン層１１の下側接続のドレイン電極２９、ｎ型ドリフト層１２の表面領域に選択的配設のｐ型ドリフト層１４と接続のｐ型ベース層１５、ｐ型ベース層１５の表面に選択的配設のｎ＋型ソース層１６、ｎ＋型ソース層１６の表面に接したソース電極２６、ｐ型ベース層１５の表面に選択的配設のｐ＋型バックゲート層１７、ｐ＋型バックゲート層１７の表面に接したバックゲート電極２７、ｐ型ベース層１５及びｐ型ベース層１５の間のｎ型ドリフト層１２上にゲート絶縁膜２１を介して配設のゲート電極２５、及び一端がソース電極２６に、他端がバックゲート電極２７に接続の抵抗３３を有する。 （もっと読む）

【課題】モード分散による波形劣化が抑制可能な面発光装置及びその製造方法、並びに光伝送モジュールを提供する。
【解決手段】基板と、前記基板の上に設けられ、発光層を有する積層体と、前記積層体の主面の外周部と前記発光層の側面とを少なくとも覆うように設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜に隣接する前記積層体の主面の一部と前記絶縁膜の表面の一部とを覆うように設けられ、発光窓部となる開口部を有する電極と、前記開口部に設けられ、大きさが前記発光窓部の大きさよりも小さく且つ前記発光層からの放出光を集光可能なレンズ部を有する光学部材と、を備えたことを特徴とする面発光装置及びその製造方法、並びに光伝送モジュールが提供される。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの逆モード動作の特性改善が可能な超接合静電誘導型トランジスタを有する電力用半導体装置を提供する。
【解決手段】ｎ型ドリフト層１２と、ｎ型ドリフト層１２中に膜面に沿う方向に周期的に配置され、膜面に垂直な方向に伸長した複数の柱状のｐ型ゲート・ドリフト層１４と、ｎ型ドリフト層１２の一方の側の表面に設けられｎ型ドリフト層１２と電気的に接続されたドレイン電極２３と、ｎ型ドリフト層１２の他方の側の表面に設けられた低抵抗のｎ＋型ソース層１６と、ｎ＋型ソース層１６の表面に接するように設けられたソース電極２１と、ｐ型ゲート・ドリフト層１４に接続されたゲート電極２５とを有するノーマリオン型のＳＪ−ＳＩＴ１０と、ソース電極２１とゲート電極２５との間に接続され、ゲート電極２５の電圧がソース電極２１の電圧を超えないように維持する抵抗３３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】温度特性を有する出力電流が得られる定電流源回路を提供する。
【解決手段】本発明の定電流源回路は、正の温度特性を有する電流Ｉ３を出力する第１の定電流源回路１１と、負の温度特性を有する電流Ｉ５を出力する第２の定電流源回路１２と、第１の定電流源回路１１の電流出力ラインＬ１と、第２の定電流源回路１２の電流出力ラインＬ２との間に接続されたカレントミラー回路１３ａとを備えている。 （もっと読む）

【課題】Ｒａｉｌ ｔｏ Ｒａｉｌ動作する演算増幅器のトランスコンダクタンスを一定にする。
【解決手段】Ｒａｉｌ ｔｏ Ｒａｉｌオペアンプ５０には差動入力段１と出力段２が設けられる。差動入力段１には、第１の差動増幅部１１、第２の差動増幅部１２、及びバイアス切替部１３が設けられる。第１の差動増幅部１１には差動対をなすＮｃｈ ＭＯＳトランジスタＮＴ１及びＮＴ２が設けられ、第２の差動増幅部１２には差動対をなす定電流源１４とＰｃｈ ＭＯＳトランジスタＰＴ１及びＰＴ２が設けられる。バイアス切替部１３は、入力電圧Ｖｉｎレベルに応じて第１の差動増幅部１１のバイアス電流Ｉｂ６と第２の差動増幅部１２のバイアス電流Ｉｂ１とを切り替え、第１の差動増幅部１１及び第２の差動増幅部１２が共に動作する領域でのバイアス電流Ｉｂ６及びバイアス電流Ｉｂ１を補正する。 （もっと読む）

【課題】広い同相入力電圧範囲において、相互コンダクタンスの平坦性が改善された演算増幅器を提供する。
【解決手段】第１及び第２の差動対を有し、第１の電源電圧と前記第１の電源電圧よりも低い第２の電源電圧とが供給される差動入力回路と、前記第１の電源電圧と前記第２の電源電圧との間の同相入力電圧が前記第１及び第２の差動対にそれぞれ入力される場合、前記第１の差動対を構成するＦＥＴが動作することを検出し、前記差動入力回路の相互コンダクタンスを略一定値に保持するように前記第２の差動対を構成するＦＥＴの動作を調整可能な制御回路と、を備えたことを特徴とする演算増幅器が提供される。 （もっと読む）

【課題】光半導体素子が並設された小型の光半導体装置を提供する。
【解決手段】第１光半導体素子１１が載置された第１マウントベッド１２と、第１マウントベッド１２の周りに配置され、第１光半導体素子１１に第１接続導体を介して電気的に接続された複数の第１リード端子１３と、第１マウントベッド１２に沿って、第１光半導体素子１１に対して所定の間隔を有して配置されるとともに、第２光半導体素子１４が載置され、第１光半導体素子１１に対応する部位に貫通孔１５を有する第２マウントベッド１６と、第１リード端子１３に沿って、第２マウントベッド１６の周りに配置されるとともに、第１リード端子１３に重なるように折り曲げられ、電気的に絶縁されて第１リード端子１３に固着され、第２光半導体素子１４に第２接続導体を介して電気的に接続された複数の第２リード端子１７と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】高周波増幅トランジスタを流れる電流が制御電圧変動の影響を受けないようにする。
【解決手段】高周波電力増幅器５０には、バイアス回路１、増幅部２、及び高周波分離部３、端子Ｐｒｆｉｎ、端子Ｐｒｆｏｕｔ、端子Ｐｖｃｃ、端子Ｐｖｃｏｎ、及び端子Ｐｖｄｃが設けられる。バイアス回路１は、制御電圧Ｖｃｏｎと高電位側電源電圧Ｖｄｃが供給され、バイアス電流を生成し、ＮＰＮトランジスタＱ１乃至５、抵抗Ｒ１、及び抵抗Ｒ２が設けられる。高周波分離部３は、バイアス回路１から出力されるバイアス電流が入力され、バイアス電流を増幅部２の高周波増幅トランジスタであるＮＰＮトランジスタＱｒｆのベースに供給する。バイアス回路１は、ＮＰＮトランジスタＱｒｆを流れる電流に対して制御電圧変動の影響を与えない。 （もっと読む）