【目的】 主偏向領域面と共に副偏向領域面での焦点ずれを小さくする電子ビーム描画装置或いはその方法を提供することを目的とする。
【構成】 主偏向器２１４と副偏向器２１２と、前記主偏向器２１４及び副偏向器２１２内の電子ビーム２００の位置を平行移動させるアライメントコイル２１０を具備した電子ビーム描画装置において、前記副偏向器２１２によるビーム偏向の際に、前記アライメントコイル２１０により試料面に対する焦点ずれが最小となるように前記電子ビーム２００を移動させると共に、前記主偏向器２１４によるビーム偏向の際に、試料面に対する焦点ずれが最小となるように前記電子ビーム２００の焦点を補正することを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】 成形アパーチャの劣化を抑制しながら必要な電子ビームの強度分布を維持する電子ビーム装置を提供することを目的とする。
【構成】 電子ビーム２００を発生する電子銃２０１と、大きさの異なる複数の開口部が形成され、前記電子ビーム２００を受けて前記複数の開口部のいずれかを通過させ、残りの電子ビーム２００の通過を制限するＣＬ−ＡＰ２１０と、前記ＣＬ−ＡＰ２１０の開口部を通過した電子ビーム２００を所望の形状に成形する第１の成形アパーチャ２０３及び第２の成形アパーチャ２０６と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】 最良の電子ビームの加速電圧を取得する手法を提供することを目的とする。
【構成】 所定のビームブラー値以下となる電子ビーム２００の加速電圧値と、レジストヒーティングによる所定の誤差寸法値以下となる電子ビーム２００の加速電圧値と、所定のスループット値以上となる電子ビーム２００の加速電圧値とのうち、全てを満たす電子ビーム２００の加速電圧値を入力する入力部３５０と、前記入力された電子ビーム２００の加速電圧値で前記電子ビーム２００を加速して試料１０１に所定のパターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】分割したチップパタンに適切な補正や変換を行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】設計平面上の半導体装置のチップパタンＰ２９、Ｐ３０の存在する領域に、複数の計算領域Ａ１１、Ａ１２を互いに接するように設定することと、計算領域Ａ１１毎に計算領域の外側に隣接するように計算マージン領域５９を設け計算領域Ａ１１を計算マージン領域５９まで拡張することと、計算領域Ａ１１、Ａ１２毎に、計算領域Ａ１１に一部分でも配置されたチップパタンＰ２９、Ｐ３０を選択することと、計算領域Ａ１１、Ａ１２毎に、選択されたチップパタンＰ２９、Ｐ３０を補正することと、補正したチップパタンＰ２９ｂ、Ｐ３０ｂに基づいて、ウェハ上に実パタンを形成する。 （もっと読む）

【課題】描画時間の増加を抑え、描画精度の向上が可能なマスクパターン作成方法を提供する。
【解決手段】 マスクパターンのレイアウトデータを取得し、マスクパターンの配置面を格子状に区分した複数の第１の小領域のそれぞれにマスクパターンの配置に基いて第１の寸法補正量を設定した第１の補正マップを作成する。複数の第１の小領域と同一格子状に区分され、第１の小領域に対して位置をずらした複数の第２の小領域のそれぞれにマスクパターンの配置に基いて第２の寸法補正量を設定した第２の補正マップを作成する。そして、第１及び第２の補正マップに基づいてマスクパターンを補正する。 （もっと読む）

【課題】従来の気相成長装置は、安全性の観点から改良すべき点がある。本発明は、安全性を大幅に改善した新規な気相成長装置、及びこの装置におけるガス混合回避方法を提供するものである。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、チャンバー１０３に収容されたウェハ１０２上に、気相成長法により成膜するために、成膜に必要なガスを供給する第1の流路１０５ａ，１０５ｂと、この第1のガス流路のガスを制御するバルブ１０７Ａ、１０７ａ、１０７Ｂ、１０７ｂと、前記チャンバー１０３内をクリーニングするために、クリーニング用ガスを前記チャンバー１０３内に供給する第2の流路１０８と、前記チャンバー内のガスを排気する第3の流路１１０とを備えてなる気相成長装置であって、前記バルブを直列の2段構成（１０７Ａと１０７ａ、１０７Ｂと１０７ｂ）とし、その2段構成のバルブの間に圧力スイッチ１１４Ａ，１１４Ｂを設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ウエネルト電極における放電を抑制してＬａＢ₆ 等のエミッタを長期にわたり安定に使用することができ、エミッタの長寿命化及び動作の安定化をはかる。
【解決手段】 荷電粒子を放出するエミッタ１１と、このエミッタ１１を加熱するための加熱電源１５と、エミッタ１１との間に加速電圧が印加され、エミッタ１１から放出された荷電粒子を外部に引き出すための陽極１３と、エミッタ１１からの荷電粒子の放出量が一定となるように、エミッタ１１との間にバイアス電圧が印加されるウエネルト電極１２と、を備えた荷電粒子発生装置において、バイアス電圧の時間的変化率が所望の範囲内となるように、加熱電源を制御してエミッタ１１の設定温度を調整する。 （もっと読む）

【課題】 電気絶縁被覆材料によってモールドされた電子部品の温度をいかに短時間で高精度に安定させ、それ以降、温度を高精度で一定に保持するか、また、直流高電圧電源装置の出力高電圧をいか短時間に高精度で安定化させるかということを課題としている。

【構成】 電子部品を電気絶縁被覆材料で覆ってなるモールド物品の外面を覆う導電性の良好な熱伝導材料手段と、この熱伝導材料手段の外面に設けられて、熱伝導材料手段の温度を制御する温度制御手段と、前記熱伝導材料手段の外面に設けられて、その熱伝導材料手段の温度を検出する温度検出手段と、前記温度制御手段の温度を制御して、前記熱伝導材料手段の温度を一定に保ち、前記電子部品の動作を安定化させることを特徴とする電子部品装置。 （もっと読む）

【課題】 温度変動が発生するおそれのある冷却流体を用いながら、恒温流体の温度変動を十分に小さくして温度制御の精度を向上させる。
【解決手段】 恒温流体供給システムにおいて、温度調整されていない冷却流体１０１の供給を受け、温度が安定した第１の恒温流体１０２を供給する第１の恒温流体供給装置１０と、第１の恒温流体供給装置１０からの第１の恒温流体１０２を冷却流体として用い、第１の恒温流体１０２よりも安定した温度の第２の恒温流体１０３を供給する第２の恒温流体供給装置２０とを備えた。 （もっと読む）