【課題】光の指向角を改善させることができるようにした半導体発光素子及びこれを備えた発光素子パッケージを提供すること。
【解決手段】本発明に従う半導体発光素子は、外側にラウンドされた側面を持つ複数の化合物半導体層を含む発光構造物と、上記発光構造物の上に第１電極部と、上記発光構造物の下に第２電極層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】パッケージの熱抵抗が改善された発光素子パッケージを提供すること。
【解決手段】本発明は、発光素子パッケージ及びその製造方法に関するものである。
本発明に従う発光素子パッケージは、上部にキャビティーを含むパッケージ本体と、上記パッケージ本体の表面に絶縁層と、上記絶縁層の上に複数の金属層と、上記キャビティーに発光素子と、上記発光素子に対応する上記パッケージ本体の下面に第１金属プレートと、を含む。 （もっと読む）

【課題】光抽出構造が形成されることで、発光効率及び信頼性を向上できる発光素子を提供する。
【解決手段】発光層を含む多層構造の半導体層と；前記半導体層上に単位構造のパターンで形成され、前記単位構造の壁面の傾きは、前記発光素子の主発光方向と平行な仮想の垂直線と前記壁面との間の角度が−４５゜〜＋４５゜である光抽出構造と；を含んで発光素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は光デバイス及びその製造方法に関するもので、本発明の目的は、電気的/熱的/構造的に安定して、ｐ型電極とｎ型電極を同時に形成することができる光デバイス及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】前記の目的を達成するために本発明に係る光デバイスは、ＧａＮ系層と、前記ＧａＮ系層の上に形成された高濃度ＧａＮ系層と、前記高濃度ＧａＮ系層の上に形成された第１金属−Ｇａ化合物層と、前記第１金属−Ｇａ化合物層の上に形成された第１金属層と、前記第１金属層の上に形成された第３金属−Ａｌ化合物層及び前記第３金属−Ａｌ化合物層の上に形成された伝導性酸化防止層と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

半導体素子パッケージング工程に使用されるダイ接着フィルムは、半導体素子が集積され、ソルダーバンプパターンが形成されたウエハーの表面に付着され、第１接着力を有する第１ダイ接着フィルムと、前記第１ダイ接着フィルム上に付着され、ウエハー、チップ、ＰＣＢ、フレキシブル基板に対する第２接着力を有する第２ダイ接着フィルムとを含み、半導体素子パッケージング工程でバックグラインディングテープとしての機能を行うことができ、バックグラインディング作業を終了した後、これを除去せずに再び接続部材にダイチップを接着するのに使用することができる。また、半導体素子パッケージング工程において、ダイチップを接続部材に接着させるダイ接着フィルムをバックグラインディング工程でバックグラインディングテープとして使用することができ、ダイシング工程時にウエハーを保護する手段として活用することで、ウエハーの表面上にソーイングバー、スクラッチ及びクラックなどが発生することを防止することができる。また、バックグラインディング工程を終了した後、バックグラインディングテープを除去しなければならない煩雑さをなくすことができる。また、ダイ接着フィルムをバックグラインディングテープとアンダーフィル素材として使用することで、半導体素子パッケージングの費用を節減することができる。 （もっと読む）

【課題】高性能かつ高信頼性を確保できる窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたバッファ層と、前記バッファ層上に形成された第１のＩｎ-ｄｏｐｅｄＧａＮ層と、前記第１のＩｎ-ｄｏｐｅｄＧａＮ層上に形成されたＩｎ_xＧａ_1-xＮ/Ｉｎ_yＧａ_1-yＮ超格子構造層と、前記Ｉｎ_xＧａ_1-xＮ/Ｉｎ_yＧａ_1-yＮ超格子構造層上に形成された第１の電極接触層と、前記第１の電極接触層上に形成され、光を放出する活性層と、第２のＩｎ-ｄｏｐｅｄＧａＮ層と、前記第２のＩｎ-ｄｏｐｅｄＧａＮ層上に形成されたＧａＮ層と、前記ＧａＮ層上に形成された第２の電極接触層と、を含む窒化物系３-５族化合物半導体の発光素子である。 （もっと読む）

【課題】発光素子の側方から放出された光を前方へ反射させるための反射幕の形成が容易であり、耐電圧特性を向上させることができ、熱伝導性に優れたセラミックまたはシリコンを通じて外部に熱を容易に放出できる発光素子パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子パッケージの製造方法は、第１基板１００に装着ホール１２０を形成する段階と、第２基板２００に貫通ホール２１０を形成する段階と、貫通ホール２１０の内側に金属膜２２０を形成する段階と、第２基板２００の上側面と下側面に、金属膜２２０と電気的に接続する少なくとも一対の金属層２３０を形成する段階と、第２基板２００上に第１基板１００を結合する段階と、装着ホール１２０に第２基板２００の上側面に形成された一対の金属層２３０と電気的に接続される少なくとも１つの発光素子３００を装着する段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】外部圧力の強度およびスリットに通過する液体の粘性度と誘電率を知ることが可能な、スリット弾性波を用いたＳＡＷセンサ素子を提供する。
【解決手段】素子内の液体を感知することができるように、その内部にスリット弾性波が通過するスリットを形成し、前記スリットを基準に上部と下部とに分けられる圧電基板と、前記圧電基板の一側に形成され、電気的な入力信号を前記スリット弾性波に変換する入力ＩＤＴと、前記圧電基板の前記入力ＩＤＴと反対の一側に形成され、伝播された前記スリット弾性波を受信して電気的な信号に変換する出力ＩＤＴと、前記圧電基板のスリット内に液体が入力されるようにする液体入力ポートと、前記圧電基板のスリット内の液体が出力されるようにする液体出力ポートと、を備えてなるスリット弾性波を用いたＳＡＷセンサ素子。 （もっと読む）

【課題】均一な白色光を発光できる発光素子パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子パッケージにおいて、パッケージボディと、該パッケージボディ上の少なくとも一側面に形成される電極と、パッケージボディ上に装着される発光素子と、該発光素子を均一な厚さに覆う蛍光体層と、を備える構成とした。発光素子から発光する光をその光経路差を最小限にしながら外部媒質を通じて放出できるようにしたため、発光素子の位置別の色座標均一度を向上させ、かつ、均一に波長の変換された光を放出することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】発光素子の発光効率と信頼性を向上させることができる窒化物系発光素子を提供する。
【解決手段】第１伝導性半導体層と、第２伝導性半導体層と、前記第１伝導性半導体層と第２伝導性半導体層との間に配置され、少なくとも一対の量子井戸層と量子障壁層からなる活性層と、前記第１伝導性半導体層と活性層との間、及び前記第２伝導性半導体層と活性層との間の境界面のうち、少なくともいずれか一つの境界面に配置され、エネルギーバンドギャップまたは厚さが変化する複数の層からなる第１層と、前記それぞれの第１層の間に配置され、前記第１層よりもエネルギーバンドギャップの大きい第２層と、を備える構成とした。 （もっと読む）