多機能ダイ接着フィルム及びこれを用いた半導体素子パッケージング方法
半導体素子パッケージング工程に使用されるダイ接着フィルムは、半導体素子が集積され、ソルダーバンプパターンが形成されたウエハーの表面に付着され、第１接着力を有する第１ダイ接着フィルムと、前記第１ダイ接着フィルム上に付着され、ウエハー、チップ、ＰＣＢ、フレキシブル基板に対する第２接着力を有する第２ダイ接着フィルムとを含み、半導体素子パッケージング工程でバックグラインディングテープとしての機能を行うことができ、バックグラインディング作業を終了した後、これを除去せずに再び接続部材にダイチップを接着するのに使用することができる。また、半導体素子パッケージング工程において、ダイチップを接続部材に接着させるダイ接着フィルムをバックグラインディング工程でバックグラインディングテープとして使用することができ、ダイシング工程時にウエハーを保護する手段として活用することで、ウエハーの表面上にソーイングバー、スクラッチ及びクラックなどが発生することを防止することができる。また、バックグラインディング工程を終了した後、バックグラインディングテープを除去しなければならない煩雑さをなくすことができる。また、ダイ接着フィルムをバックグラインディングテープとアンダーフィル素材として使用することで、半導体素子パッケージングの費用を節減することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多機能ダイ接着フィルムに関するもので、より詳細には、半導体素子パッケージング工程でバックグラインディングテープとしての機能を行うことができ、バックグラインディング作業を終了した後、これを除去せずに、再び接続部材にダイチップを接着するために使用することができる多機能ダイ接着フィルム及びこれを用いた半導体素子パッケージング方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、半導体チップ製造工程には、所定厚さの半導体ウエハーに微細回路パターンを形成する工程と、ウエハーの背面をバックグラインディングする工程と、ウエハーを一定素子の規格に合わせて切断し、ダイチップを製造した後、それぞれのダイチップを半導体素子にパッケージングする工程とがある。
【０００３】
上記の各工程のうちウエハーの背面をバックグラインディングする工程では、微細回路パターンが形成されたウエハーの表面にバックグラインディングテープを付着した後、バックグラインディングテープのある側を研磨チャックに吸着させ、ウエハーの背面を研磨ダイに緊密に接触させた後、スラリーを投入しながら１５０〜２００μｍの厚さになるまでウエハーを研磨する。このような研磨過程でウエハーに大きな圧力または機械的な衝撃が加えられるが、このとき、バックグラインディングテープがウエハーの損傷を防止する機能を行うようになる。
【０００４】
しかしながら、従来には、半導体ウエハーのバックグラインディング工程を終了した後、ウエハーの上部からバックグラインディングテープを除去すべきであるという煩雑さがあった。そして、バックグラインディングテープの除去は、研磨工程の完了後、ウエハーの背面にダイシングフィルムを付着し、ダイシングフィルムを用いてウエハーをソーイングダイに定着させた状態で行われるが、この過程で、バックグラインディングテープが付着された反対側のダイシングテープの接着力がバックグラインディングテープの接着力より弱い場合、ウエハーがひっくり返される現象が発生するという問題点があった。
【０００５】
一方、半導体ウエハーのダイシング工程時、半導体素子が集積されたウエハーの表面にソーイングバー（ｓａｗｉｎｇ ｂｕｒ）、スクラッチ及びクラックなどの不良が誘発されるにもかかわらず、従来には、何らの保護手段も講じることなくダイシング工程を進行している実情である。そして、ダイシング工程の終了後、それぞれのダイチップをパッケージング対象体（例えば、リードフレーム）に実装するためにダイチップをピックアップする過程で、薄い厚さのダイチップを持ち上げるとき、ピックアップピンによって持ち上げる方向にダイチップが反ることがあり、このとき、ダイチップが過度に反る場合、ダイチップに予期せぬ欠点が誘発され、半導体素子の信頼性を低下させるという問題点があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決するためになされたもので、その目的は、半導体素子パッケージング工程において、ダイチップを接続部材に接着するダイ接着フィルムのみならず、ダイ接着工程以前のバックグラインディング工程でバックグラインディングテープとしての役割も行う多機能ダイ接着フィルム及びこれを用いた半導体素子パッケージング方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記のような目的を達成するための本発明に係る多機能ダイ接着フィルムは、 半導体素子パッケージング工程に使用されるダイ接着フィルムにおいて、半導体素子が集積され、ソルダーバンプパターンが形成されたウエハーの表面に付着され、第１接着力を有する第１ダイ接着フィルムと、前記第１ダイ接着フィルム上に付着され、第２接着力を有する第２ダイ接着フィルムとを含み、半導体素子パッケージング工程でバックグラインディングテープとしての機能を行うことができ、バックグラインディング作業の終了後、これを除去せずに、再び接続部材にダイチップを接着するのに使用することを特徴とする。
【０００８】
好ましくは、前記第１及び第２ダイ接着フィルムは、透明または半透明材質からなる。
【０００９】
本発明において、前記多機能ダイ接着フィルムは、前記第１ダイ接着フィルムと前記第２ダイ接着フィルムが互いにラミネートされた積層構造を有し、前記第１及び第２ダイ接着フィルムは、エポキシ系、アクリル系、シリコン系、ゴム系、ウレタン系及びエラストマー系から選択された一つの樹脂材である。
【００１０】
好ましくは、前記第１接着力は、シリコンウエハー表面付着を基準にして２５℃で１０〜２０００ｇｆ／ｃｍであり、前記第２接着力は、ＡＵＳ３０８表面付着を基準にして２５℃で１０〜２０００ｇｆ／ｃｍである。
【００１１】
好ましくは、前記第１及び第２ダイ接着フィルムは、７日間の８５℃／６０％湿度の耐湿性試験（Ｍｏｉｓｔｕｒｅ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ Ｔｅｓｔ；ＪＬ２）を基準にして０〜２％ｗｔの水分吸湿率を有する。
【００１２】
好ましくは、前記第１及び第２ダイ接着フィルムは、５０℃で１０４〜１０１０Ｐａの貯蔵弾性率を有し、より好ましくは、前記第２ダイ接着フィルムは、５０℃で１０６〜１０９Ｐａの貯蔵弾性率を有する。
【００１３】
好ましくは、前記第１ダイ接着フィルムまたは前記第２ダイ接着フィルムのうち少なくとも何れか一つのフィルムに導電性フィラーを含み、この導電性フィラーは、樹脂材の体積に対比して０．５〜７０体積％で含まれる。
【００１４】
また、前記導電性フィラーが含まれるフィルムと、前記導電性フィラーが含まれないフィルムとの厚さ比は、１０:１〜０．１:１であり、より好ましくは、４：１〜０．５：１である。
【００１５】
本発明において、前記導電性フィラーは、金、銀、銅及びニッケルから選択された一つの導電性金属、または前記導電性金属がコーティングされたコアシェル構造の有機物からなる。
【００１６】
本発明において、前記導電性フィラーの粒子直径は０．０５〜５０μｍである。
【００１７】
好ましくは、前記第１及び第２ダイ接着フィルムの間にポリエステル、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ビニル、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ炭酸エステル、ポリ塩化ビニル、ポリメチルメタクリレート、ポリアセタール、ポリオキシメチレン、ポリブチレンテレフタレート、アクリロニトリル―ブタジエン―スチレン及びエチレン―ビニルアルコール共重合体から選択された一つまたは二つ以上の物質からなる中間層が介在された多層構造からなる。
【００１８】
上記のような目的を達成するための本発明の一側面に係る多機能ダイ接着フィルムを用いた半導体素子パッケージング方法は、（ａ）半導体素子が集積され、ソルダーバンプパターンが形成されたウエハーの表面に、前記ダイ接着フィルムの第１ダイ接着フィルム面を対面させてダイ接着フィルムを接着する段階と、（ｂ）前記ウエハーの後面をバックグラインディングした後、ダイシングフィルムを接着する段階と、（ｃ）前記ダイ接着フィルムが付着された状態で前記ウエハーをそれぞれのダイチップに切断する段階と、（ｄ）前記ダイチップからダイシングフィルムを除去した後、前記ダイ接着フィルムの第２ダイ接着フィルム面を接続部材に対向させた状態でソルダーバンプを用いたフリップチップ工程によってダイチップと接続部材とを電気的に結合する段階とを含むことを特徴とする。
【００１９】
上記のような目的を達成するための本発明の他の側面に係る多機能ダイ接着フィルムを用いた半導体素子パッケージング方法は、（ａ）半導体素子が集積され、ソルダーバンプパターンが形成されたウエハーの表面に、前記ダイ接着フィルムの第１ダイ接着フィルム面を対面させてダイ接着フィルムを接着する段階と、（ｂ）前記ウエハーの後面をバックグラインディングした後、ダイシングフィルムを接着する段階と、（ｃ）前記ダイ接着フィルムが付着された状態で前記ウエハーをそれぞれのダイチップに切断する段階と、（ｄ）前記ダイチップからダイシングダイ接着フィルムのダイシングフィルム層を除去した後、接続部材に付着した後、前記ダイ接着フィルム面に再び他のダイチップを対向させた状態でソルダーバンプを用いたフリップチップ工程によって前記ダイチップと他のダイチップとを電気的に結合する段階とを含むことを特徴とする。
【００２０】
本発明において、前記接続部材は、ＰＣＢ、リードフレーム及びダイチップから選択された一つである。
【産業上の利用可能性】
【００２１】
本発明によると、半導体素子パッケージング工程において、ダイチップを接続部材に接着させるダイ接着フィルムをバックグラインディング工程でバックグラインディングテープとして使用することができ、ダイシング工程時にウエハーを保護する手段として活用することで、ウエハーの表面上にソーイングバー、スクラッチ及びクラックなどが発生することを防止することができる。また、バックグラインディング工程を終了した後、バックグラインディングテープを除去しなければならない煩雑さをなくすことができる。また、ダイ接着フィルムをバックグラインディングテープとアンダーフィル素材として使用することで、半導体素子パッケージング費用を節減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の好適な実施例に係るダイ接着フィルムを示した断面図である。
【図２】本発明の好適な実施例に係る半導体素子パッケージング方法を説明する工程フローチャートである。
【図３】本発明の好適な実施例に係る半導体素子パッケージング過程を示した工程断面図である。
【図４】本発明の好適な実施例に係る半導体素子パッケージング過程を示した工程断面図である。
【図５】本発明の好適な実施例に係る半導体素子パッケージング過程を示した工程断面図である。
【図６】本発明の好適な実施例に係る半導体素子パッケージング過程を示した工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、添付された図面を参照して、本発明の好適な実施例を詳細に説明する。
【００２４】
図１は、本発明の好適な実施例に係るダイ接着フィルムを示した断面図である。
【００２５】
図１を参照すると、本発明に係るダイ接着フィルム１００は、半導体素子が集積され、ソルダーバンプパターン５０が形成されたウエハー３０の表面に付着される第１ダイ接着フィルム１０と、前記第１ダイ接着フィルム１０上に付着された第２ダイ接着フィルム２０と、前記ダイ接着フィルム１００の両面に付着され、ダイ接着フィルム１００を保護する保護フィルム１１とを含む。
【００２６】
図１に示すように、前記保護フィルム１１は、ダイ接着フィルム１００の接着面を異質物などから保護するもので、ポリエチレンまたはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などを使用することができる。しかし、本発明がこれに限定されることはない。
【００２７】
前記ダイ接着フィルム１００は、前記第１ダイ接着フィルム１０と前記第２ダイ接着フィルム２０とが互いにラミネートされた積層構造を有する。
【００２８】
ここで、第１ダイ接着フィルム１０は、半導体素子が集積され、ソルダーバンプパターン５０が形成されたウエハー３０の表面に第１接着力で付着され、ウエハー３０の切断片であるダイとの高い接着力が要求される物質層である。そして、前記第２ダイ接着フィルム２０は、第１ダイ接着フィルム１０上に付着され、バックグラインディング工程時にウエハー３０を固定する研磨チャックに付着される物質層である。このような点を勘案して、前記第１接着力は、シリコンウエハー表面付着を基準にして２５℃で１０〜２０００ｇｆ／ｃｍの接着力を有し、前記第２接着力は、ＡＵＳ３０８表面付着を基準にして２５℃で１０〜２０００ｇｆ／ｃｍの接着力を有する。
【００２９】
また、半導体素子パッケージング工程中、ウエハー３０を切断するダイシング工程でウエハー３０に高い熱が発生し、これを冷却するために冷却水が使用される。したがって、ダイ接着フィルム１００は、耐湿性を有するので、水分の含湿率が低くなるべきである。このような点を勘案して、ダイ接着フィルム１００は、７日間の８５℃／６０％湿度の耐湿性試験（Ｍｏｉｓｔｕｒｅ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ Ｔｅｓｔ；ＪＬ２）を基準にして０〜２％ｗｔの水分吸湿率を有する。
【００３０】
一方、半導体素子パッケージング工程中、ダイチップのピックアップ工程時には、薄い厚さのチップを持ち上げるとき、ピックアップピンによって持ち上げる方向に反りが発生し、ダイをリードフレームに接着させるとき、チップマウントヘッド部分のサクションツールによって反りが発生する憂いがある。このような問題を防止するために、ダイ接着フィルム１００は、５０℃で１０４〜１０１０Ｐａの貯蔵弾性率を有し、より好ましくは、前記第２ダイ接着フィルムは、５０℃で１０６〜１０９Ｐａの貯蔵弾性率を有する。
【００３１】
また、前記ダイ接着フィルム１００は、バックグラインディングテープとしての機能を行うことができ、バックグラインディング作業後、これを除去せずに、ダイ接着フィルム１００が付着された状態でダイシング工程に引き続く。したがって、ダイ接着フィルム１００は、ダイシング工程時、半導体素子が集積されたウエハーの表面が見えるように透明または半透明材質からなる。
【００３２】
前記第１及び第２ダイ接着フィルム１０，２０を構成する樹脂材は、エポキシ系、アクリル系、シリコン系、ゴム系、ウレタン系、エラストマー系などを使用することができる。しかし、本発明がこれに限定されることはない。
【００３３】
また、第１及び第２ダイ接着フィルム１０，２０の間にポリエステル、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ビニル、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ炭酸エステル、ポリ塩化ビニル、ポリメチルメタクリレート、ポリアセタール、ポリオキシメチレン、ポリブチレンテレフタレート、アクリロニトリル―ブタジエン―スチレン、エチレン―ビニルアルコール共重合体などの物質からなる中間層が介在された多層構造のダイ接着フィルム１００が使用される。しかし、本発明がこれに限定されることはない。
【００３４】
また、ダイ接着フィルム１００の第１または第２ダイ接着フィルム１０，２０のうち少なくとも何れか一つには、ダイチップと接続部材とのフリップチップボンディング時、ダイチップと接続部材との電気的結合性能を良好にするために導電性フィラー２１が含まれる。例えば、導電性フィラー２１は、金、銀、銅、ニッケルなどの導電性金属または導電性金属がコーティングされたコアシェル構造の有機物から選択された何れか一つの物質からなる。しかし、本発明がこれに限定されることはない。また、導電性フィラー２１は、前記第２ダイ接着フィルム２０の樹脂材の体積に対比して０．５〜７０体積％で含まれており、０．０５μｍ〜５０μｍの粒子直径を有する。
【００３５】
図２は、本発明の好適な実施例に係る半導体素子パッケージング方法を説明する工程フローチャートで、図３乃至図６は、本発明の好適な実施例に係る半導体素子パッケージング過程を示した工程断面図である。
【００３６】
各図面を参照すると、本発明の好適な実施例に係る半導体素子パッケージング方法は、まず、図３に示すように、ダイ接着フィルム１００から保護フィルム１１を除去し、半導体素子が集積され、ソルダーバンプパターン５０が形成されたウエハー３０の表面に第１ダイ接着フィルム１０面を対面させて接着する（Ｓ１００）。
【００３７】
次いで、前記ウエハー３０が付着された第１ダイ接着フィルム１０上に備わった第２ダイ接着フィルム２０面を、ウエハー３０を固定するバックグラインディング研磨チャックに付着し、バックグラインディングを実施する（Ｓ２００）。
【００３８】
その次に、図４に示すように、ダイ接着フィルム１００が付着されたウエハー３０のバックグラインディングされた背面にダイシングフィルム４０を接着する（Ｓ３００）。
【００３９】
その後、図５に示すように、前記ウエハー３０の背面に付着されたダイシングフィルム４０をダイシングテーブルに付着して固定した後、ウエハー３０をダイシングソー７０でそれぞれのダイチップ１１０に切断する（Ｓ４００）。
【００４０】
その後、前記ダイチップ１１０をピックアップし、ダイチップ１１０からダイシングフィルム４０を除去する。その次に、図６に示すように、ダイチップ１１０をひっくり返し、導電性フィラー２１を含む第２ダイ接着フィルム２０を接続部材６０に対向させた状態で、ソルダーバンプ５５を用いたフリップチップ工程によってダイチップ１１０と接続部材６０とを電気的に結合してフリップチップボンディングを実施する（Ｓ５００）。このとき、導電性フィラー２１は、ダイチップ１１０と接続部材６０とが緊密に電気的に連結されるように助ける。
【００４１】
ここで、前記接続部材６０は、ＰＣＢ、リードフレーム及びダイチップのうち何れか一つであるもので、ダイチップと電気的に結合可能な部材である。しかし、本発明が接続部材６０の種類によって限定されることはない。
【００４２】
上述したように、本発明に係るダイ接着フィルム１００は、ダイチップ１１０を接続部材６０に接着するダイ接着フィルム１００としての本来の機能だけでなく、バックグラインディング工程時にバックグラインディングテープとしての機能を行い、フリップチップ工程でダイチップ１１０と接続部材６０との間でアンダーフィルとしての役割を同時に行う。
【００４３】
一方、上述した本発明の実施例以外にも、前記Ｓ３００段階でウエハー３０の背面に付着されたダイシングフィルム４０の代わりにダイシングダイ接着フィルム（図示せず）を付着し、ダイチップ１１０のダイシングダイ接着フィルム（図示せず）面を接続部材６０に接着し、ダイチップ１１０のダイ接着フィルム１００面には他のダイチップ（図示せず）を付着し、互いに異なる２個のダイチップを電気的に接続することもできる。
【００４４】
以上、本発明は、限定された実施例及び図面によって説明されたが、これによって限定されることなく、本発明の属する技術分野で通常の知識を有する者によって本発明の技術思想及び下記に記載される特許請求の範囲の均等な範囲内で多様な修正及び変形が可能であることは当然である。
【符号の説明】
【００４５】
１００ ダイ接着フィルム、１０ 第１ダイ接着フィルム、
１１ 保護フィルム、２０ 第２ダイ接着フィルム、
２１ 導電性フィラー
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多機能ダイ接着フィルムに関するもので、より詳細には、半導体素子パッケージング工程でバックグラインディングテープとしての機能を行うことができ、バックグラインディング作業を終了した後、これを除去せずに、再び接続部材にダイチップを接着するために使用することができる多機能ダイ接着フィルム及びこれを用いた半導体素子パッケージング方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、半導体チップ製造工程には、所定厚さの半導体ウエハーに微細回路パターンを形成する工程と、ウエハーの背面をバックグラインディングする工程と、ウエハーを一定素子の規格に合わせて切断し、ダイチップを製造した後、それぞれのダイチップを半導体素子にパッケージングする工程とがある。
【０００３】
上記の各工程のうちウエハーの背面をバックグラインディングする工程では、微細回路パターンが形成されたウエハーの表面にバックグラインディングテープを付着した後、バックグラインディングテープのある側を研磨チャックに吸着させ、ウエハーの背面を研磨ダイに緊密に接触させた後、スラリーを投入しながら１５０〜２００μｍの厚さになるまでウエハーを研磨する。このような研磨過程でウエハーに大きな圧力または機械的な衝撃が加えられるが、このとき、バックグラインディングテープがウエハーの損傷を防止する機能を行うようになる。
【０００４】
しかしながら、従来には、半導体ウエハーのバックグラインディング工程を終了した後、ウエハーの上部からバックグラインディングテープを除去すべきであるという煩雑さがあった。そして、バックグラインディングテープの除去は、研磨工程の完了後、ウエハーの背面にダイシングフィルムを付着し、ダイシングフィルムを用いてウエハーをソーイングダイに定着させた状態で行われるが、この過程で、バックグラインディングテープが付着された反対側のダイシングテープの接着力がバックグラインディングテープの接着力より弱い場合、ウエハーがひっくり返される現象が発生するという問題点があった。
【０００５】
一方、半導体ウエハーのダイシング工程時、半導体素子が集積されたウエハーの表面にソーイングバー（ｓａｗｉｎｇ ｂｕｒ）、スクラッチ及びクラックなどの不良が誘発されるにもかかわらず、従来には、何らの保護手段も講じることなくダイシング工程を進行している実情である。そして、ダイシング工程の終了後、それぞれのダイチップをパッケージング対象体（例えば、リードフレーム）に実装するためにダイチップをピックアップする過程で、薄い厚さのダイチップを持ち上げるとき、ピックアップピンによって持ち上げる方向にダイチップが反ることがあり、このとき、ダイチップが過度に反る場合、ダイチップに予期せぬ欠点が誘発され、半導体素子の信頼性を低下させるという問題点があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決するためになされたもので、その目的は、半導体素子パッケージング工程において、ダイチップを接続部材に接着するダイ接着フィルムのみならず、ダイ接着工程以前のバックグラインディング工程でバックグラインディングテープとしての役割も行う多機能ダイ接着フィルム及びこれを用いた半導体素子パッケージング方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記のような目的を達成するための本発明に係る多機能ダイ接着フィルムは、 半導体素子パッケージング工程に使用されるダイ接着フィルムにおいて、半導体素子が集積され、ソルダーバンプパターンが形成されたウエハーの表面に付着され、第１接着力を有する第１ダイ接着フィルムと、前記第１ダイ接着フィルム上に付着され、第２接着力を有する第２ダイ接着フィルムとを含み、半導体素子パッケージング工程でバックグラインディングテープとしての機能を行うことができ、バックグラインディング作業の終了後、これを除去せずに、再び接続部材にダイチップを接着するのに使用することを特徴とする。
【０００８】
好ましくは、前記第１及び第２ダイ接着フィルムは、透明または半透明材質からなる。
【０００９】
本発明において、前記多機能ダイ接着フィルムは、前記第１ダイ接着フィルムと前記第２ダイ接着フィルムが互いにラミネートされた積層構造を有し、前記第１及び第２ダイ接着フィルムは、エポキシ系、アクリル系、シリコン系、ゴム系、ウレタン系及びエラストマー系から選択された一つの樹脂材である。
【００１０】
好ましくは、前記第１接着力は、シリコンウエハー表面付着を基準にして２５℃で１０〜２０００ｇｆ／ｃｍであり、前記第２接着力は、ＡＵＳ３０８表面付着を基準にして２５℃で１０〜２０００ｇｆ／ｃｍである。
【００１１】
好ましくは、前記第１及び第２ダイ接着フィルムは、７日間の８５℃／６０％湿度の耐湿性試験（Ｍｏｉｓｔｕｒｅ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ Ｔｅｓｔ；ＪＬ２）を基準にして０〜２％ｗｔの水分吸湿率を有する。
【００１２】
好ましくは、前記第１及び第２ダイ接着フィルムは、５０℃で１０４〜１０１０Ｐａの貯蔵弾性率を有し、より好ましくは、前記第２ダイ接着フィルムは、５０℃で１０６〜１０９Ｐａの貯蔵弾性率を有する。
【００１３】
好ましくは、前記第１ダイ接着フィルムまたは前記第２ダイ接着フィルムのうち少なくとも何れか一つのフィルムに導電性フィラーを含み、この導電性フィラーは、樹脂材の体積に対比して０．５〜７０体積％で含まれる。
【００１４】
また、前記導電性フィラーが含まれるフィルムと、前記導電性フィラーが含まれないフィルムとの厚さ比は、１０:１〜０．１:１であり、より好ましくは、４：１〜０．５：１である。
【００１５】
本発明において、前記導電性フィラーは、金、銀、銅及びニッケルから選択された一つの導電性金属、または前記導電性金属がコーティングされたコアシェル構造の有機物からなる。
【００１６】
本発明において、前記導電性フィラーの粒子直径は０．０５〜５０μｍである。
【００１７】
好ましくは、前記第１及び第２ダイ接着フィルムの間にポリエステル、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ビニル、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ炭酸エステル、ポリ塩化ビニル、ポリメチルメタクリレート、ポリアセタール、ポリオキシメチレン、ポリブチレンテレフタレート、アクリロニトリル―ブタジエン―スチレン及びエチレン―ビニルアルコール共重合体から選択された一つまたは二つ以上の物質からなる中間層が介在された多層構造からなる。
【００１８】
上記のような目的を達成するための本発明の一側面に係る多機能ダイ接着フィルムを用いた半導体素子パッケージング方法は、（ａ）半導体素子が集積され、ソルダーバンプパターンが形成されたウエハーの表面に、前記ダイ接着フィルムの第１ダイ接着フィルム面を対面させてダイ接着フィルムを接着する段階と、（ｂ）前記ウエハーの後面をバックグラインディングした後、ダイシングフィルムを接着する段階と、（ｃ）前記ダイ接着フィルムが付着された状態で前記ウエハーをそれぞれのダイチップに切断する段階と、（ｄ）前記ダイチップからダイシングフィルムを除去した後、前記ダイ接着フィルムの第２ダイ接着フィルム面を接続部材に対向させた状態でソルダーバンプを用いたフリップチップ工程によってダイチップと接続部材とを電気的に結合する段階とを含むことを特徴とする。
【００１９】
上記のような目的を達成するための本発明の他の側面に係る多機能ダイ接着フィルムを用いた半導体素子パッケージング方法は、（ａ）半導体素子が集積され、ソルダーバンプパターンが形成されたウエハーの表面に、前記ダイ接着フィルムの第１ダイ接着フィルム面を対面させてダイ接着フィルムを接着する段階と、（ｂ）前記ウエハーの後面をバックグラインディングした後、ダイシングフィルムを接着する段階と、（ｃ）前記ダイ接着フィルムが付着された状態で前記ウエハーをそれぞれのダイチップに切断する段階と、（ｄ）前記ダイチップからダイシングダイ接着フィルムのダイシングフィルム層を除去した後、接続部材に付着した後、前記ダイ接着フィルム面に再び他のダイチップを対向させた状態でソルダーバンプを用いたフリップチップ工程によって前記ダイチップと他のダイチップとを電気的に結合する段階とを含むことを特徴とする。
【００２０】
本発明において、前記接続部材は、ＰＣＢ、リードフレーム及びダイチップから選択された一つである。
【産業上の利用可能性】
【００２１】
本発明によると、半導体素子パッケージング工程において、ダイチップを接続部材に接着させるダイ接着フィルムをバックグラインディング工程でバックグラインディングテープとして使用することができ、ダイシング工程時にウエハーを保護する手段として活用することで、ウエハーの表面上にソーイングバー、スクラッチ及びクラックなどが発生することを防止することができる。また、バックグラインディング工程を終了した後、バックグラインディングテープを除去しなければならない煩雑さをなくすことができる。また、ダイ接着フィルムをバックグラインディングテープとアンダーフィル素材として使用することで、半導体素子パッケージング費用を節減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の好適な実施例に係るダイ接着フィルムを示した断面図である。
【図２】本発明の好適な実施例に係る半導体素子パッケージング方法を説明する工程フローチャートである。
【図３】本発明の好適な実施例に係る半導体素子パッケージング過程を示した工程断面図である。
【図４】本発明の好適な実施例に係る半導体素子パッケージング過程を示した工程断面図である。
【図５】本発明の好適な実施例に係る半導体素子パッケージング過程を示した工程断面図である。
【図６】本発明の好適な実施例に係る半導体素子パッケージング過程を示した工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、添付された図面を参照して、本発明の好適な実施例を詳細に説明する。
【００２４】
図１は、本発明の好適な実施例に係るダイ接着フィルムを示した断面図である。
【００２５】
図１を参照すると、本発明に係るダイ接着フィルム１００は、半導体素子が集積され、ソルダーバンプパターン５０が形成されたウエハー３０の表面に付着される第１ダイ接着フィルム１０と、前記第１ダイ接着フィルム１０上に付着された第２ダイ接着フィルム２０と、前記ダイ接着フィルム１００の両面に付着され、ダイ接着フィルム１００を保護する保護フィルム１１とを含む。
【００２６】
図１に示すように、前記保護フィルム１１は、ダイ接着フィルム１００の接着面を異質物などから保護するもので、ポリエチレンまたはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などを使用することができる。しかし、本発明がこれに限定されることはない。
【００２７】
前記ダイ接着フィルム１００は、前記第１ダイ接着フィルム１０と前記第２ダイ接着フィルム２０とが互いにラミネートされた積層構造を有する。
【００２８】
ここで、第１ダイ接着フィルム１０は、半導体素子が集積され、ソルダーバンプパターン５０が形成されたウエハー３０の表面に第１接着力で付着され、ウエハー３０の切断片であるダイとの高い接着力が要求される物質層である。そして、前記第２ダイ接着フィルム２０は、第１ダイ接着フィルム１０上に付着され、バックグラインディング工程時にウエハー３０を固定する研磨チャックに付着される物質層である。このような点を勘案して、前記第１接着力は、シリコンウエハー表面付着を基準にして２５℃で１０〜２０００ｇｆ／ｃｍの接着力を有し、前記第２接着力は、ＡＵＳ３０８表面付着を基準にして２５℃で１０〜２０００ｇｆ／ｃｍの接着力を有する。
【００２９】
また、半導体素子パッケージング工程中、ウエハー３０を切断するダイシング工程でウエハー３０に高い熱が発生し、これを冷却するために冷却水が使用される。したがって、ダイ接着フィルム１００は、耐湿性を有するので、水分の含湿率が低くなるべきである。このような点を勘案して、ダイ接着フィルム１００は、７日間の８５℃／６０％湿度の耐湿性試験（Ｍｏｉｓｔｕｒｅ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ Ｔｅｓｔ；ＪＬ２）を基準にして０〜２％ｗｔの水分吸湿率を有する。
【００３０】
一方、半導体素子パッケージング工程中、ダイチップのピックアップ工程時には、薄い厚さのチップを持ち上げるとき、ピックアップピンによって持ち上げる方向に反りが発生し、ダイをリードフレームに接着させるとき、チップマウントヘッド部分のサクションツールによって反りが発生する憂いがある。このような問題を防止するために、ダイ接着フィルム１００は、５０℃で１０４〜１０１０Ｐａの貯蔵弾性率を有し、より好ましくは、前記第２ダイ接着フィルムは、５０℃で１０６〜１０９Ｐａの貯蔵弾性率を有する。
【００３１】
また、前記ダイ接着フィルム１００は、バックグラインディングテープとしての機能を行うことができ、バックグラインディング作業後、これを除去せずに、ダイ接着フィルム１００が付着された状態でダイシング工程に引き続く。したがって、ダイ接着フィルム１００は、ダイシング工程時、半導体素子が集積されたウエハーの表面が見えるように透明または半透明材質からなる。
【００３２】
前記第１及び第２ダイ接着フィルム１０，２０を構成する樹脂材は、エポキシ系、アクリル系、シリコン系、ゴム系、ウレタン系、エラストマー系などを使用することができる。しかし、本発明がこれに限定されることはない。
【００３３】
また、第１及び第２ダイ接着フィルム１０，２０の間にポリエステル、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ビニル、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ炭酸エステル、ポリ塩化ビニル、ポリメチルメタクリレート、ポリアセタール、ポリオキシメチレン、ポリブチレンテレフタレート、アクリロニトリル―ブタジエン―スチレン、エチレン―ビニルアルコール共重合体などの物質からなる中間層が介在された多層構造のダイ接着フィルム１００が使用される。しかし、本発明がこれに限定されることはない。
【００３４】
また、ダイ接着フィルム１００の第１または第２ダイ接着フィルム１０，２０のうち少なくとも何れか一つには、ダイチップと接続部材とのフリップチップボンディング時、ダイチップと接続部材との電気的結合性能を良好にするために導電性フィラー２１が含まれる。例えば、導電性フィラー２１は、金、銀、銅、ニッケルなどの導電性金属または導電性金属がコーティングされたコアシェル構造の有機物から選択された何れか一つの物質からなる。しかし、本発明がこれに限定されることはない。また、導電性フィラー２１は、前記第２ダイ接着フィルム２０の樹脂材の体積に対比して０．５〜７０体積％で含まれており、０．０５μｍ〜５０μｍの粒子直径を有する。
【００３５】
図２は、本発明の好適な実施例に係る半導体素子パッケージング方法を説明する工程フローチャートで、図３乃至図６は、本発明の好適な実施例に係る半導体素子パッケージング過程を示した工程断面図である。
【００３６】
各図面を参照すると、本発明の好適な実施例に係る半導体素子パッケージング方法は、まず、図３に示すように、ダイ接着フィルム１００から保護フィルム１１を除去し、半導体素子が集積され、ソルダーバンプパターン５０が形成されたウエハー３０の表面に第１ダイ接着フィルム１０面を対面させて接着する（Ｓ１００）。
【００３７】
次いで、前記ウエハー３０が付着された第１ダイ接着フィルム１０上に備わった第２ダイ接着フィルム２０面を、ウエハー３０を固定するバックグラインディング研磨チャックに付着し、バックグラインディングを実施する（Ｓ２００）。
【００３８】
その次に、図４に示すように、ダイ接着フィルム１００が付着されたウエハー３０のバックグラインディングされた背面にダイシングフィルム４０を接着する（Ｓ３００）。
【００３９】
その後、図５に示すように、前記ウエハー３０の背面に付着されたダイシングフィルム４０をダイシングテーブルに付着して固定した後、ウエハー３０をダイシングソー７０でそれぞれのダイチップ１１０に切断する（Ｓ４００）。
【００４０】
その後、前記ダイチップ１１０をピックアップし、ダイチップ１１０からダイシングフィルム４０を除去する。その次に、図６に示すように、ダイチップ１１０をひっくり返し、導電性フィラー２１を含む第２ダイ接着フィルム２０を接続部材６０に対向させた状態で、ソルダーバンプ５５を用いたフリップチップ工程によってダイチップ１１０と接続部材６０とを電気的に結合してフリップチップボンディングを実施する（Ｓ５００）。このとき、導電性フィラー２１は、ダイチップ１１０と接続部材６０とが緊密に電気的に連結されるように助ける。
【００４１】
ここで、前記接続部材６０は、ＰＣＢ、リードフレーム及びダイチップのうち何れか一つであるもので、ダイチップと電気的に結合可能な部材である。しかし、本発明が接続部材６０の種類によって限定されることはない。
【００４２】
上述したように、本発明に係るダイ接着フィルム１００は、ダイチップ１１０を接続部材６０に接着するダイ接着フィルム１００としての本来の機能だけでなく、バックグラインディング工程時にバックグラインディングテープとしての機能を行い、フリップチップ工程でダイチップ１１０と接続部材６０との間でアンダーフィルとしての役割を同時に行う。
【００４３】
一方、上述した本発明の実施例以外にも、前記Ｓ３００段階でウエハー３０の背面に付着されたダイシングフィルム４０の代わりにダイシングダイ接着フィルム（図示せず）を付着し、ダイチップ１１０のダイシングダイ接着フィルム（図示せず）面を接続部材６０に接着し、ダイチップ１１０のダイ接着フィルム１００面には他のダイチップ（図示せず）を付着し、互いに異なる２個のダイチップを電気的に接続することもできる。
【００４４】
以上、本発明は、限定された実施例及び図面によって説明されたが、これによって限定されることなく、本発明の属する技術分野で通常の知識を有する者によって本発明の技術思想及び下記に記載される特許請求の範囲の均等な範囲内で多様な修正及び変形が可能であることは当然である。
【符号の説明】
【００４５】
１００ ダイ接着フィルム、１０ 第１ダイ接着フィルム、
１１ 保護フィルム、２０ 第２ダイ接着フィルム、
２１ 導電性フィラー
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子パッケージング工程に使用されるダイ接着フィルムにおいて、
半導体素子が集積され、ソルダーバンプパターンが形成されたウエハーの表面に付着され、第１接着力を有する第１ダイ接着フィルムと、
前記第１ダイ接着フィルム上に付着され、第２接着力を有する第２ダイ接着フィルムと、を含み、
半導体素子パッケージング工程でバックグラインディングテープとしての機能を行い、バックグラインディング作業の終了後、これを除去せずに、再び接続部材にダイチップを接着するのに使用することを特徴とする多機能ダイ接着フィルム。
【請求項２】
前記第１及び第２ダイ接着フィルムは、透明または半透明材質からなることを特徴とする、請求項１に記載の多機能ダイ接着フィルム。
【請求項３】
前記多機能ダイ接着フィルムは、前記第１ダイ接着フィルムと前記第２ダイ接着フィルムが互いにラミネートされた積層構造を有し、前記第１及び第２ダイ接着フィルムは、エポキシ系、アクリル系、シリコン系、ゴム系、ウレタン系及びエラストマー系から選択された一つの樹脂材からなることを特徴とする、請求項１に記載の多機能ダイ接着フィルム。
【請求項４】
前記第１接着力は、シリコンウエハー表面付着を基準にして２５℃で１０〜２０００ｇｆ／ｃｍであり、前記第２接着力は、ＡＵＳ３０８表面付着を基準にして２５℃で１０〜２０００ｇｆ／ｃｍであることを特徴とする、請求項１に記載の多機能ダイ接着フィルム。
【請求項５】
前記第１及び第２ダイ接着フィルムは、７日間の８５℃／６０％湿度の耐湿性試験（Ｍｏｉｓｔｕｒｅ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ Ｔｅｓｔ；ＪＬ２）を基準にして０〜２％ｗｔの水分吸湿率を有することを特徴とする、請求項１に記載の多機能ダイ接着フィルム。
【請求項６】
前記第１及び第２ダイ接着フィルムは、５０℃で１０４〜１０１０Ｐａの貯蔵弾性率を有することを特徴とする、請求項１に記載の多機能ダイ接着フィルム。
【請求項７】
前記第２ダイ接着フィルムは、５０℃で１０６〜１０９Ｐａの貯蔵弾性率を有することを特徴とする、請求項６に記載の多機能ダイ接着フィルム。
【請求項８】
前記第１ダイ接着フィルムまたは前記第２ダイ接着フィルムのうち少なくとも何れか一つのフィルムに導電性フィラーを含むことを特徴とする、請求項１に記載の多機能ダイ接着フィルム。
【請求項９】
前記導電性フィラーは、樹脂材の体積に対比して０．５〜７０体積％で第１ダイ接着フィルムまたは第２接着フィルムのうち何れか一つに含まれることを特徴とする、請求項８に記載の多機能ダイ接着フィルム。
【請求項１０】
前記導電性フィラーが含まれるフィルムと、前記導電性フィラーが含まれないフィルムとの厚さ比は、１０:１〜０．１:１であり、より好ましくは、４：１〜０．５：１であることを特徴とする、請求項８に記載の多機能ダイ接着フィルム。
【請求項１１】
前記導電性フィラーは、金、銀、銅及びニッケルから選択された一つの導電性金属、または前記導電性金属がコーティングされたコアシェル構造の有機物からなることを特徴とする、請求項８に記載の多機能ダイ接着フィルム。
【請求項１２】
前記導電性フィラーの粒子直径は０．０５〜５０μｍであることを特徴とする、請求項８に記載の多機能ダイ接着フィルム。
【請求項１３】
前記第１及び第２ダイ接着フィルムの間にポリエステル、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ビニル、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ炭酸エステル、ポリ塩化ビニル、ポリメチルメタクリレート、ポリアセタール、ポリオキシメチレン、ポリブチレンテレフタレート、アクリロニトリル―ブタジエン―スチレン及びエチレン―ビニルアルコール共重合体から選択された一つまたは二つ以上の物質からなる中間層が介在された多層構造からなることを特徴とする、請求項１乃至１２のうち何れか一つの項に記載の多機能ダイ接着フィルム。
【請求項１４】
請求項１乃至１２のうち何れか一つの項によるダイ接着フィルムを用いた半導体素子パッケージング方法において、
（ａ）半導体素子が集積され、ソルダーバンプパターンが形成されたウエハーの表面に、前記ダイ接着フィルムの第１ダイ接着フィルム面を対面させてダイ接着フィルムを接着する段階と、
（ｂ）前記ウエハーの後面をバックグラインディングした後、ダイシングフィルムを接着する段階と、
（ｃ）前記ダイ接着フィルムが付着された状態で前記ウエハーをそれぞれのダイチップに切断する段階と、
（ｄ）前記ダイチップからダイシングフィルムを除去した後、前記ダイ接着フィルムの第２ダイ接着フィルム面を接続部材に対向させた状態でソルダーバンプを用いたフリップチップボンディング工程によってダイチップと接続部材とを電気的に結合する段階と、を含むことを特徴とする多機能ダイ接着フィルムを用いた半導体素子パッケージング方法。
【請求項１５】
前記接続部材は、ＰＣＢ、リードフレーム及びダイチップから選択された一つであることを特徴とする、請求項１４に記載の多機能ダイ接着フィルムを用いた半導体素子パッケージング方法。
【請求項１６】
請求項１３によるダイ接着フィルムを用いた半導体素子パッケージング方法において、
（ａ）半導体素子が集積され、ソルダーバンプパターンが形成されたウエハーの表面に、前記ダイ接着フィルムの第１ダイ接着フィルム面を対面させてダイ接着フィルムを接着する段階と、
（ｂ）前記ウエハーの後面をバックグラインディングした後、ダイシングフィルムを接着する段階と、
（ｃ）前記ダイ接着フィルムが付着された状態で前記ウエハーをそれぞれのダイチップに切断する段階と、
（ｄ）前記ダイチップからダイシングフィルムを除去した後、前記ダイ接着フィルムの第２ダイ接着フィルム面を接続部材に対向させた状態でソルダーバンプを用いたフリップチップ工程によってダイチップと接続部材とを電気的に結合する段階と、を含むことを特徴とする多機能ダイ接着フィルムを用いた半導体素子パッケージング方法。
【請求項１７】
前記接続部材は、ＰＣＢ、リードフレーム及びダイチップから選択された一つであることを特徴とする、請求項１６に記載の多機能ダイ接着フィルムを用いた半導体素子パッケージング方法。
【請求項１８】
請求項１乃至１２から選択された一つの項によるダイ接着フィルムを用いた半導体素子パッケージング方法において、
（ａ）半導体素子が集積され、ソルダーバンプパターンが形成されたウエハーの表面に、前記ダイ接着フィルムの第１ダイ接着フィルム面を対面させてダイ接着フィルムを接着する段階と、
（ｂ）前記ウエハーの後面をバックグラインディングした後、ダイシングダイ接着フィルムを接着する段階と、
（ｃ）前記ダイ接着フィルムが付着された状態で前記ウエハーをそれぞれのダイチップに切断する段階と、
（ｄ）前記ダイチップからダイシングダイ接着フィルムのダイシングフィルム層を除去した後、接続部材に付着した後、前記ダイ接着フィルム面に再び他のダイチップを対向させた状態でソルダーバンプを用いたフリップチップ工程によって前記ダイチップと他のダイチップとを電気的に結合する段階と、を含むことを特徴とする多機能ダイ接着フィルムを用いた半導体素子パッケージング方法。
【請求項１９】
前記接続部材は、ＰＣＢ、リードフレーム及びダイチップから選択された一つであることを特徴とする、請求項１８に記載の多機能ダイ接着フィルムを用いた半導体素子パッケージング方法。
【請求項２０】
請求項１３によるダイ接着フィルムを用いた半導体素子パッケージング方法において、
（ａ）半導体素子が集積され、ソルダーバンプパターンが形成されたウエハーの表面に、前記ダイ接着フィルムの第１ダイ接着フィルム面を対面させてダイ接着フィルムを接着する段階と、
（ｂ）前記ウエハーの後面をバックグラインディングした後、ダイシングダイ接着フィルムを接着する段階と、
（ｃ）前記ダイ接着フィルムが付着された状態で前記ウエハーをそれぞれのダイチップに切断する段階と、
（ｄ）前記ダイチップからダイシングダイ接着フィルムのダイシングフィルム層を除去した後、接続部材に付着した後、前記ダイ接着フィルム面に再び他のダイチップを対向させた状態でソルダーバンプを用いたフリップチップ工程によって前記ダイチップと他のダイチップとを電気的に結合する段階と、を含むことを特徴とする多機能ダイ接着フィルムを用いた半導体素子パッケージング方法。
【請求項２１】
前記接続部材は、ＰＣＢ、リードフレーム及びダイチップから選択された一つであることを特徴とする、請求項２０に記載の多機能ダイ接着フィルムを用いた半導体素子パッケージング方法。
【請求項１】
半導体素子パッケージング工程に使用されるダイ接着フィルムにおいて、
半導体素子が集積され、ソルダーバンプパターンが形成されたウエハーの表面に付着され、第１接着力を有する第１ダイ接着フィルムと、
前記第１ダイ接着フィルム上に付着され、第２接着力を有する第２ダイ接着フィルムと、を含み、
半導体素子パッケージング工程でバックグラインディングテープとしての機能を行い、バックグラインディング作業の終了後、これを除去せずに、再び接続部材にダイチップを接着するのに使用することを特徴とする多機能ダイ接着フィルム。
【請求項２】
前記第１及び第２ダイ接着フィルムは、透明または半透明材質からなることを特徴とする、請求項１に記載の多機能ダイ接着フィルム。
【請求項３】
前記多機能ダイ接着フィルムは、前記第１ダイ接着フィルムと前記第２ダイ接着フィルムが互いにラミネートされた積層構造を有し、前記第１及び第２ダイ接着フィルムは、エポキシ系、アクリル系、シリコン系、ゴム系、ウレタン系及びエラストマー系から選択された一つの樹脂材からなることを特徴とする、請求項１に記載の多機能ダイ接着フィルム。
【請求項４】
前記第１接着力は、シリコンウエハー表面付着を基準にして２５℃で１０〜２０００ｇｆ／ｃｍであり、前記第２接着力は、ＡＵＳ３０８表面付着を基準にして２５℃で１０〜２０００ｇｆ／ｃｍであることを特徴とする、請求項１に記載の多機能ダイ接着フィルム。
【請求項５】
前記第１及び第２ダイ接着フィルムは、７日間の８５℃／６０％湿度の耐湿性試験（Ｍｏｉｓｔｕｒｅ Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ Ｔｅｓｔ；ＪＬ２）を基準にして０〜２％ｗｔの水分吸湿率を有することを特徴とする、請求項１に記載の多機能ダイ接着フィルム。
【請求項６】
前記第１及び第２ダイ接着フィルムは、５０℃で１０４〜１０１０Ｐａの貯蔵弾性率を有することを特徴とする、請求項１に記載の多機能ダイ接着フィルム。
【請求項７】
前記第２ダイ接着フィルムは、５０℃で１０６〜１０９Ｐａの貯蔵弾性率を有することを特徴とする、請求項６に記載の多機能ダイ接着フィルム。
【請求項８】
前記第１ダイ接着フィルムまたは前記第２ダイ接着フィルムのうち少なくとも何れか一つのフィルムに導電性フィラーを含むことを特徴とする、請求項１に記載の多機能ダイ接着フィルム。
【請求項９】
前記導電性フィラーは、樹脂材の体積に対比して０．５〜７０体積％で第１ダイ接着フィルムまたは第２接着フィルムのうち何れか一つに含まれることを特徴とする、請求項８に記載の多機能ダイ接着フィルム。
【請求項１０】
前記導電性フィラーが含まれるフィルムと、前記導電性フィラーが含まれないフィルムとの厚さ比は、１０:１〜０．１:１であり、より好ましくは、４：１〜０．５：１であることを特徴とする、請求項８に記載の多機能ダイ接着フィルム。
【請求項１１】
前記導電性フィラーは、金、銀、銅及びニッケルから選択された一つの導電性金属、または前記導電性金属がコーティングされたコアシェル構造の有機物からなることを特徴とする、請求項８に記載の多機能ダイ接着フィルム。
【請求項１２】
前記導電性フィラーの粒子直径は０．０５〜５０μｍであることを特徴とする、請求項８に記載の多機能ダイ接着フィルム。
【請求項１３】
前記第１及び第２ダイ接着フィルムの間にポリエステル、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ビニル、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ炭酸エステル、ポリ塩化ビニル、ポリメチルメタクリレート、ポリアセタール、ポリオキシメチレン、ポリブチレンテレフタレート、アクリロニトリル―ブタジエン―スチレン及びエチレン―ビニルアルコール共重合体から選択された一つまたは二つ以上の物質からなる中間層が介在された多層構造からなることを特徴とする、請求項１乃至１２のうち何れか一つの項に記載の多機能ダイ接着フィルム。
【請求項１４】
請求項１乃至１２のうち何れか一つの項によるダイ接着フィルムを用いた半導体素子パッケージング方法において、
（ａ）半導体素子が集積され、ソルダーバンプパターンが形成されたウエハーの表面に、前記ダイ接着フィルムの第１ダイ接着フィルム面を対面させてダイ接着フィルムを接着する段階と、
（ｂ）前記ウエハーの後面をバックグラインディングした後、ダイシングフィルムを接着する段階と、
（ｃ）前記ダイ接着フィルムが付着された状態で前記ウエハーをそれぞれのダイチップに切断する段階と、
（ｄ）前記ダイチップからダイシングフィルムを除去した後、前記ダイ接着フィルムの第２ダイ接着フィルム面を接続部材に対向させた状態でソルダーバンプを用いたフリップチップボンディング工程によってダイチップと接続部材とを電気的に結合する段階と、を含むことを特徴とする多機能ダイ接着フィルムを用いた半導体素子パッケージング方法。
【請求項１５】
前記接続部材は、ＰＣＢ、リードフレーム及びダイチップから選択された一つであることを特徴とする、請求項１４に記載の多機能ダイ接着フィルムを用いた半導体素子パッケージング方法。
【請求項１６】
請求項１３によるダイ接着フィルムを用いた半導体素子パッケージング方法において、
（ａ）半導体素子が集積され、ソルダーバンプパターンが形成されたウエハーの表面に、前記ダイ接着フィルムの第１ダイ接着フィルム面を対面させてダイ接着フィルムを接着する段階と、
（ｂ）前記ウエハーの後面をバックグラインディングした後、ダイシングフィルムを接着する段階と、
（ｃ）前記ダイ接着フィルムが付着された状態で前記ウエハーをそれぞれのダイチップに切断する段階と、
（ｄ）前記ダイチップからダイシングフィルムを除去した後、前記ダイ接着フィルムの第２ダイ接着フィルム面を接続部材に対向させた状態でソルダーバンプを用いたフリップチップ工程によってダイチップと接続部材とを電気的に結合する段階と、を含むことを特徴とする多機能ダイ接着フィルムを用いた半導体素子パッケージング方法。
【請求項１７】
前記接続部材は、ＰＣＢ、リードフレーム及びダイチップから選択された一つであることを特徴とする、請求項１６に記載の多機能ダイ接着フィルムを用いた半導体素子パッケージング方法。
【請求項１８】
請求項１乃至１２から選択された一つの項によるダイ接着フィルムを用いた半導体素子パッケージング方法において、
（ａ）半導体素子が集積され、ソルダーバンプパターンが形成されたウエハーの表面に、前記ダイ接着フィルムの第１ダイ接着フィルム面を対面させてダイ接着フィルムを接着する段階と、
（ｂ）前記ウエハーの後面をバックグラインディングした後、ダイシングダイ接着フィルムを接着する段階と、
（ｃ）前記ダイ接着フィルムが付着された状態で前記ウエハーをそれぞれのダイチップに切断する段階と、
（ｄ）前記ダイチップからダイシングダイ接着フィルムのダイシングフィルム層を除去した後、接続部材に付着した後、前記ダイ接着フィルム面に再び他のダイチップを対向させた状態でソルダーバンプを用いたフリップチップ工程によって前記ダイチップと他のダイチップとを電気的に結合する段階と、を含むことを特徴とする多機能ダイ接着フィルムを用いた半導体素子パッケージング方法。
【請求項１９】
前記接続部材は、ＰＣＢ、リードフレーム及びダイチップから選択された一つであることを特徴とする、請求項１８に記載の多機能ダイ接着フィルムを用いた半導体素子パッケージング方法。
【請求項２０】
請求項１３によるダイ接着フィルムを用いた半導体素子パッケージング方法において、
（ａ）半導体素子が集積され、ソルダーバンプパターンが形成されたウエハーの表面に、前記ダイ接着フィルムの第１ダイ接着フィルム面を対面させてダイ接着フィルムを接着する段階と、
（ｂ）前記ウエハーの後面をバックグラインディングした後、ダイシングダイ接着フィルムを接着する段階と、
（ｃ）前記ダイ接着フィルムが付着された状態で前記ウエハーをそれぞれのダイチップに切断する段階と、
（ｄ）前記ダイチップからダイシングダイ接着フィルムのダイシングフィルム層を除去した後、接続部材に付着した後、前記ダイ接着フィルム面に再び他のダイチップを対向させた状態でソルダーバンプを用いたフリップチップ工程によって前記ダイチップと他のダイチップとを電気的に結合する段階と、を含むことを特徴とする多機能ダイ接着フィルムを用いた半導体素子パッケージング方法。
【請求項２１】
前記接続部材は、ＰＣＢ、リードフレーム及びダイチップから選択された一つであることを特徴とする、請求項２０に記載の多機能ダイ接着フィルムを用いた半導体素子パッケージング方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公表番号】特表２０１０−５２８４５０（Ｐ２０１０−５２８４５０Ａ）
【公表日】平成２２年８月１９日（２０１０．８．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−５４８９８１（Ｐ２００９−５４８９８１）
【出願日】平成１９年８月３日（２００７．８．３）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＫＲ２００７／００３７４８
【国際公開番号】ＷＯ２００８／０９６９４３
【国際公開日】平成２０年８月１４日（２００８．８．１４）
【出願人】（５０４１８１７３１）エルジー イノテック カンパニー リミテッド (56)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２２年８月１９日（２０１０．８．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年８月３日（２００７．８．３）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＫＲ２００７／００３７４８
【国際公開番号】ＷＯ２００８／０９６９４３
【国際公開日】平成２０年８月１４日（２００８．８．１４）
【出願人】（５０４１８１７３１）エルジー イノテック カンパニー リミテッド (56)
【Ｆターム（参考）】
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