国際特許分類[H01L21/302]の内容

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【課題】炭化珪素半導体装置に含まれる炭化珪素層の側面の面方位を特定の結晶面により近づけることができる炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板1上に、主表面が設けられた炭化珪素層19が形成される。炭化珪素層19の主表面の一部を覆うマスク17が形成される。主表面に対して傾斜した側面SSが炭化珪素層19に設けられるように、マスク17が形成された炭化珪素層19の主表面に対して、塩素系ガスを用いた熱エッチングが行われる。熱エッチングを行う工程は、塩素系ガスの分圧が50%以下である雰囲気下で行われる。 (もっと読む)


【課題】改善されたイオンビームにより基板を加工するための方法、及び基板を加工するためのイオンビーム装置を提供する。
【解決手段】本発明は、イオンビーム装置(1) のイオンビーム源(1.1) によって発生し、基板(2) を加工するために基板(2) の表面(2.1) を向いたイオンビーム(I) により基板(2) を加工するための方法に関する。イオンビーム(I) は、炭素含有材料から少なくとも部分的に形成されたオリフィス板(1.3) によって導かれる。本発明によれば、炭素と反応する遊離体(E) が、イオンビーム(I) によってオリフィス板(1.3) から放出された炭素が酸化するように方向性のある流れでオリフィス板(1.3) と基板(2) との間に導かれる。 (もっと読む)


【課題】イオンビームを選択的に通過させるためのシャッタ装置に使用されるシャッタユニットにおいて、隣り合うシャッタ羽根間の隙間からイオンビームが漏れるのを防止し、かつ、シャッタ同士が干渉せずに動作できる構成を提供する。
【解決手段】本発明のシャッタユニットは、並置された複数のシャッタアームからなり、シャッタアーム各々の長手方向をx軸、並置方向をy軸、x軸とy軸に垂直な方向をz軸として、シャッタアームの各々がx軸方向に摺動可能であり、x軸方向先端にシャッタ羽根を有し、シャッタ羽根の各々について、隣り合うシャッタ羽根同士が、z軸方向にオフセットした形状によってz軸方向の見通し線を遮断するエッジ部を有する構成とした。 (もっと読む)


【課題】ガラス基板の表面における縁部を除く領域に凹凸形状を形成する。
【解決手段】基板の処理面の周縁部を選択的に覆うように配され、前記真空容器における前記ガス供給部側の内壁から前記基板ステージに向かって延在している延在部120と、前記基板の処理時において、前記ガス供給部と前記延在部と前記基板の処理面とで囲まれた第1の空間101と前記第1の空間より外側の第2の空間102とが互いに分離されるように前記基板の処理面の周縁部と前記延在部との距離を近づけ、前記基板の交換時において、前記基板の処理面の周縁部と前記延在部との距離を遠ざける距離調整機構20と、第1の排気装置に接続されており、前記基板の処理時において、前記第1の空間を減圧する第1の排気口12と、第2の排気装置に接続されており、前記基板の処理時において、前記第2の空間を減圧する第2の排気口140とを備える。 (もっと読む)


【課題】工程および装置構成を煩雑にすることなく、高エッチングレートで銅を異方性エッチングする装置、及びその方法を実施するプログラムを記憶した媒体を提供する。
【解決手段】チャンバ内に表面に銅膜104を有する基板101を配置し、チャンバ内を真空状態としつつ、チャンバ内に有機化合物106を供給し、銅膜に酸素ガスクラスターイオンビームを照射し、酸素ガスクラスターイオンビーム中の酸素ガスクラスターイオン107により、銅膜の銅を酸化させて酸化銅とするとともに、酸化銅と有機化合物を反応させて銅膜を異方的にエッチングする。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、小型で、複数の振動子の共振周波数の調整をほぼ等しい条件にて行うことができるシャッター装置集合体を提供する。
【解決手段】シャッター装置集合体10は、複数のシャッター装置1を有している。各シャッター装置1は、x軸方向に往復移動可能なシャッター部2と、シャッター部2をx軸方向へ移動させる駆動部3と、駆動部3とシャッター部2とをy軸方向にずれた状態にて連結し、駆動部3の駆動力をシャッター部2に伝達する連結部4とを有している。各シャッター装置1が有するシャッター部2は、y軸方向に並設されるとともに、同一のxy平面上に位置していること。 (もっと読む)


【課題】 基板上に形成されているシリコン膜と絶縁膜が積層している層状構造を有する積層膜に、基板面に垂直方向に形成されている孔又は溝の内側面に現れているシリコン層のドライエッチング深さの不均一化を抑制すること。
【解決手段】 基板上に形成されている、シリコン層と絶縁膜が積層している層状構造を有する積層膜に、基板面に垂直方向に形成されている孔又は溝の内側面に現れているシリコン層に対し、エッチングガスを用いてエッチングするドライエッチング方法において、エッチングガスとして、ClF、BrF、BrF、IF、IFから選ばれる少なくとも1種類のガスとFとを含有するガスを用いることを特徴とするドライエッチング方法。 (もっと読む)


【課題】半導体基板と発熱反応を起こすガスをエッチングガスとして用いつつ、量産化に対応可能な半導体基板表面をエッチングする装置を提供することを課題とする。
【解決手段】ロードロック室と、大気圧以下に減圧可能なエッチング室と、アンロードロック室と、前記ロードロック室から前記エッチング室を経て前記アンロードロック室にまで、半導体基板を収容したトレーを搬送する搬送機構とを有する半導体基板の表面エッチング装置を提供する。前記ロードロック室、前記エッチング室および前記アンロードロック室は、一方向に配列して構成される。前記エッチング室は、前記半導体基板の表面にプラズマにより活性イオンとすることなくエッチングガスを噴射する複数の第1開口部と、前記半導体基板の表面に冷却ガスを噴射する複数の第2開口部とを備え、前記第1開口部と前記第2開口部とが、前記搬送方向に沿って繰り返して配置されている。 (もっと読む)


【課題】電荷移動機構を使用して、小構造物に対して材料を局所的に付着させまたは材料を局所的に除去する。
【解決手段】加工物全体を浴に浸す必要なしに局所的な電気化学電池が形成される。この電荷移動機構を、荷電粒子ビーム231またはレーザ・システムとともに使用して、集積回路、マイクロエレクトロメカニカル・システムなどの小構造物220を改変することができる。この電荷移動プロセスは、空気中で、または実施形態によっては真空チャンバ204内で実行することができる。 (もっと読む)


【課題】特性の安定した高品質の半導体装置を得ることができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素層上に堆積法によってマスク層17が形成される。マスク層17がパターニングされる。パターニングされたマスク層17をマスクとして用いたエッチングによって炭化珪素層を部分的に除去することで、側壁20を有するゲート溝6が形成される。ゲート溝6の側壁20上にゲート絶縁膜が形成される。ゲート絶縁膜上にゲート電極が形成される。炭化珪素層は六方晶および立方晶のいずれかの結晶型を有し、ゲート溝の側壁は、炭化珪素層の結晶型が六方晶の場合には実質的に{0−33−8}面および{01−1−4}面のいずれか一方を含み、炭化珪素層の結晶型が立方晶の場合には実質的に{100}面を含む。 (もっと読む)


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