【課題】 エッチング処理が困難な材料に対しても適用可能であり、サイドエッチングを抑制し、且つエッチング処理面が平滑である良好なパターン形状を得ることができるミストエッチング装置及びミストエッチング方法を提供すること。
【解決手段】 エッチング液をミスト化するミスト生成部と、エッチング対象物をエッチングするエッチング部とを備えており、前記ミスト生成部は、エッチング液が収容され且つミスト化されるミスト生成容器と、前記エッチング液をミスト化するミスト生成機構と、生成された前記ミストを前記ミスト生成容器外へ排出するミスト排出口とからなり、前記エッチング部には、前記ミストが導入されるミスト導入口と前記エッチング対象物とが備えられ、該エッチング部で前記ミストが蒸気化されることを特徴とするミストエッチング装置とする。 （もっと読む）

【課題】化学処理チャンバ及び／又は熱処理チャンバを保護するシステムを提供する。
【解決手段】内表面の少なくとも一部分上に形成された保護バリアを有する温度制御された化学処理チャンバを備え、基材上の露出表面層を非プラズマ環境の下で化学的に変化させる化学処理システムと；温度制御された熱処理チャンバを備え、化学変化された基材上の前記表面層を熱処理する熱処理システムと；前記熱処理システムおよび前記化学処理システムに接続された断熱組立体と；を備える処理システムにより上記課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】マスクに形成されたマスク膜のパターン形状を保ちながら、マスク膜に付着したシリコン酸化物を含む異物を除去することができるマスク洗浄方法、マスク洗浄装置及びペリクルを提供する。
【解決手段】マスクの洗浄方法は、シリコン酸化物を含む異物が付着したマスク膜を表面に有するマスクを用意する工程と、希フッ酸蒸気を含む洗浄ガスにおいて、マスク膜に対するエッチングレートよりも異物に対するエッチングレートが高くなる温度にマスクを保持する工程と、マスクの表面に洗浄ガスを供給して異物をエッチングする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層の上で導電層を迅速かつ容易にパターニングすると共に安定な性能を得ることが可能な薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】有機半導体層４の上に、開口部５Ａ，５Ｂを有する絶縁性保護層５を形成したのち、その絶縁性保護層５（開口部５Ａ，５Ｂを含む）を覆うように、電極層６を形成する。こののち、絶縁性保護層５の形成領域（開口部５Ａ，５Ｂを除く）における電極層６にレーザＬを照射し、その電極層６をレーザアブレーションにより選択的に除去してソース電極およびドレイン電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面を荒らすことなく微小な傷を除去することができる基板裏面平坦化方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷの裏面における傷Ｓの位置や大きさが検出され、位置や大きさが検出された傷Ｓへ選択的に多数のガス分子２８が集合して形成されたガス分子２８のクラスター２９が吹き付けられ、ウエハＷの表面に塗布されたフォトレジスト３０が露光される。 （もっと読む）

【課題】装置全体を大きくすることなく、基板への入射イオンビームの均一性を図ったイオンビーム発生装置を提供する。
【解決手段】放電槽２でプラズマを発生させ、引き出し電極７より環状のイオンビームを引き出し、偏向電極３０によって、該イオンビームを環状の中心方向に屈曲させて基板Ｗに対して、傾斜した方向から入射させる。 （もっと読む）

シリコン含有材料をエッチングする方法を説明する。この方法は、フッ素と比べた水素の流量比が従来技術で見られる流量比よりも大きい、または小さいＳｉＣｏｎｉ（登録商標）エッチングを含む。このように流れ比率を修正すると、エッチング後の表面の粗さが低減し、かつ高密度にパターニングされた区域と低密度にパターニングされた区域との間のエッチング速度の差が低減することが分かった。エッチング後の表面粗さを低減する代替手段には、前駆体流および／またはプラズマ出力をパルス化することが含まれ、それによって相対的に高い基板温度が維持され、複数のステップでＳｉＣｏｎｉ（登録商標）が実施される。これらの取組みのそれぞれは、単独または組合せで固体残留物粒径を限定することによって、エッチングされた表面の粗さを低減するのに役立つ。
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【課題】配線構造を形成する際に、ウェハ面内の配線溝の深さのばらつきを抑え、均一加工を実現する。
【解決手段】高炭素濃度絶縁膜１１４と、炭素を含まないまたは炭素濃度が低い低炭素濃度絶縁膜１１６との積層構造にドライエッチングで配線溝を形成する際、ＣＨＦ系ガスを添加した第１のエッチングガスを用いた第１のエッチング条件で低炭素濃度絶縁膜１１６に配線溝を形成し、当該配線溝底部に高炭素濃度絶縁膜１１４を露出させる。第１のエッチング条件の第１のエッチングガス中のＣＨＦ系ガスの分圧は、第１のエッチングガスに当該ＣＨＦ系ガスを添加していない場合の各膜へのエッチングレートを基準として、当該ＣＨＦ系ガスを添加することにより、高炭素濃度絶縁膜１１４に対するエッチングレートが低下するとともに、低炭素濃度絶縁膜１１６に対するエッチングレートを変化させない範囲に設定されている。 （もっと読む）

【課題】グリッド・アセンブリ内の熱ひずみが小さいイオンビーム発生器を提供すること。
【解決手段】放電チャンバの側壁（１Ａ）、取付けプラットホーム（４０）および抽出グリッド電極アセンブリ（２０）の熱膨張係数α_Ｐ、α_Ｍおよびα_Ｇが、α_Ｐ＞α_Ｍ≧α_Ｇの関係を有するように選択される。たとえば、放電チャンバ側壁の材料はステンレス鋼またはアルミニウムであり、グリッドの材料はＭｏ、ＷまたはＣであり、また、プラットホームの材料はＴｉまたはＭｏである。 （もっと読む）

【解決手段】ワークピースをテクスチャリングもしくは製造する方法を開示する。ワークピースは、たとえば太陽電池であってよい。テクスチャリングは、プラズマとプラズマシースとの間の境界の形状が絶縁性調整器により調整されたプラズマを用いたエッチングもしくは局所的スパッタリングであってよい。エッチング工程間もしくはスパッタリング工程間でワークピースを回転させてピラミッドを形成してよい。絶縁性調整器により調整されたプラズマから形成されるイオンにより、ワークピースの領域をエッチングもしくはスパッタリングして、ドーピングしてもよい。これらのドープ領域に金属層を形成してよい。 （もっと読む）