電子デバイスを形成する方法は、基材、ディファレンシャルエッチング層、及び半導体層を含むワークピースのある面上に金属層を形成する工程を含むことができる。ディファレンシャルエッチング層は基材と半導体層の間に位置することができ、半導体層はワークピースのある面に沿って位置することができる。本方法は、基材と半導体層の間からディファレンシャルエッチング層の少なくとも大部分を選択的に除去する工程、及び基材から半導体層と金属層を分離する工程をさらに含むことができる。選択的な除去は、ウェットエッチング、ドライエッチング、又は電気化学的な技術を用いて実施することができる。特定の実施形態では、金属層のメッキ及びディファレンシャルエッチング層の選択的な除去に同じメッキ浴を使用してもよい。
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【課題】高速なレーザの繰り返しオン−オフ動作を必要とせず、テクスチャ構造形成の際のレーザ照射時に、光入射側電極との接合部分にテクスチャ構造を形成しないというパターニングを行うことができる光起電力装置の製造方法を得ること。
【解決手段】テクスチャ構造を形成するための開口１０４を耐エッチング膜１０３上の凹部形成領域１０５ａにレーザ照射によって形成する際に、レーザ光の１パルス分の周期の間に、レーザ光の照射位置を、パターンの第１の辺の長さだけｘ軸方向に移動させ、ｘ軸方向の走査が終了すると、凹部形成領域１０５ａと電極形成領域１０５ｂのｙ軸方向の長さだけ、ｙ軸方向にレーザ光とシリコン基板１０１との間の位置をずらして、ｘ軸方向に沿って前記レーザ光の走査を行う。 （もっと読む）

【課題】反応性ガスの消費量を抑えることができるエッチング装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置は、シリンダ１５内の固体の二フッ化キセノンを気化させた二フッ化キセノンガスをエッチング室１１に供給し、該エッチング室１１内に搬入された試料Ｗをエッチングする。エッチング装置は、エッチング室１１内で移動可能に支持され、試料Ｗをエッチングする処理空間２２と、該処理空間２２に供給する二フッ化キセノンガスを一時的に貯留する貯留空間２３とに区画するとともに、処理空間２２と貯留空間２３との間で二フッ化キセノンガスを流通不能にするステージ２１を備えた。さらに、処理空間２２と貯留空間２３とを連通するバルブ４５ａを備えた配管４５と、バルブ４５ａを開閉制御してガスを処理空間２２に供給する制御装置１６とを備えた。 （もっと読む）

【課題】透明電極と金属電極との位置精度を向上させ、画像表示性能に優れた表示デバイスを低コストで実現する。
【解決手段】基板１上に透明電極と金属電極とが順次形成された映像表示装置の製造方法であって、基板１上に透明電極形成層２を形成するステップと、その後、透明電極形成層２の上に金属電極６をパターニング形成するステップと、その後、透明電極形成層２を所定パターンの透明電極９にパターニング形成するステップとを含み、透明電極形成層２をレーザーアブレーション法によりパターンニングする。 （もっと読む）

【課題】モノマーイオンの影響を最小にして表面粗さを低減し、かつ照射エリア内を均一に平坦化する。
【解決手段】ガスクラスターイオンビームを用い、固体表面を平坦に加工する方法において、ガスクラスターイオンビームの照射過程の少なくとも一部の期間において固体表面の法線とガスクラスターイオンビームとがなす照射角度を７０度より大きくし、かつモノマーイオンを分離せずにガスクラスターイオンビームをレンズ機構によってフォーカスさせて照射する。 （もっと読む）

【課題】熱処理装置における加熱温度を高くしても、シリコン基板下面の金属汚染を十分に抑制できるようにする。
【解決手段】シリコン基板Ｗを熱処理する熱処理装置４であって、シリコン基板Ｗを載置させて加熱する載置台２３を備え、載置台２３の上面に、シリコン、炭化シリコン、窒化アルミニウムのいずれかからなるカバー３５を配置した。載置台２３の上面をシリコン等のカバー３５で覆うことにより、シリコン基板Ｗ下面の金属汚染を抑制する。 （もっと読む）

【課題】シリコンエピタキシャル層と配線材料との間でショートが発生しない半導体装置の製造方法、コンタクトプラグの形成においてコンタクトホールの径の拡大を抑制する半導体装置の製造方法、これらの目的を効果的に達成できる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】シリコン表面に形成された第１の酸化シリコン膜２と、第１の酸化シリコン膜２とは形成方法の異なる第２の酸化シリコン膜３とを有し、各々の酸化シリコン膜２，３の少なくとも一部が露出して共存するシリコン基板１を前処理する前処理工程を備えた半導体装置の製造方法であって、前記前処理工程は、第１の酸化シリコン膜２を除去して前記シリコン表面を露出させるエッチング工程を有し、前記エッチング工程は、第１の酸化シリコン膜２と第２の酸化シリコン膜３とを同じエッチングレートでエッチングすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】犠牲層除去の速度を向上し、除去に要する時間の短縮を図ることができるマイクロマシン装置の製造装置及びマイクロマシン装置の製造方法を提供する
【解決手段】マイクロマシン装置１の製造装置としての薄膜装置３０は、主面上に、電界の作用により変形する機構を備え該変形に伴って電気特性を変化させるＭＥＭＳ素子１６と、犠牲層１８を介してＭＥＭＳ素子１６を覆うとともに、犠牲層１６に連通する開口形状部２１ａを有する第１封止体２１と、が形成された基板１１を収容するチャンバ３１と、基板１１が配されたチャンバ３１内に、エッチング処理により犠牲層１８を除去するエッチングガス３７ａを導入する導入部３３と、チャンバ３１内の流体を排出する排出部３５と、エッチング処理の間に、チャンバ３１内の流体の量を変動させる調整手段としての絞り部３４３６と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

急速熱プロセスの間に基板の均一な加熱または冷却を達成するための装置および方法が、開示される。より詳しくは、基板を横断する温度均一性を改善するために急速熱プロセスの間に基板を支持するエッジリングおよび／または反射体プレートの温度を制御するための装置および方法が、開示され、それは、エッジリングを加熱または冷却するためにエッジリングに隣接する熱質量またはプレートを伴う。
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【課題】基板に熱による悪影響を与えず、基板を効率良く加熱して基板表面のドライクリーニングを行うことができ、装置上の問題も生じないドライクリーニング方法を提供すること。
【解決手段】減圧排気可能な処理室内に設けられた載置台に基板を載置し、基板表面をドライクリーニングするドライクリーニング方法は、処理室内にクリーニングガスを導入し、クリーニングガスを基板上に吸着させる工程と、クリーニングガスを基板上に吸着させた後、処理室内に、熱エネルギーが与えられたエネルギー媒体ガスを導入し、該エネルギー媒体ガスから基板上の前記クリーニングガスに熱エネルギーを供給して、前記基板表面でクリーニング反応を進行させる工程とを含む。 （もっと読む）