【課題】ＭＥＭＳ構造体の構造寸法を広い範囲で調整できると共に、均一な寸法調整を行うことができ、或いは、動作態様を変化させないＭＥＭＳデバイスの調整方法及びこれを用いた製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＭＥＭＳデバイスの製造方法は、基板１０上に、ＭＥＭＳ構造体２０と、該ＭＥＭＳ構造体２０の周囲に外部に開口した空洞部を有する被覆構造とを形成する基板上構造形成工程と、その後、外部より前記ＭＥＭＳ構造体２０の周囲２０ＣにエッチングガスＥＧを供給して前記ＭＥＭＳ構造体の表面エッチングを気相で行う構造体エッチング工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低コストの装置構成で処理時間の短縮化及び処理精度の向上を図ることのできる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板における面の任意箇所に対して所定の処理を施す処理ヘッドと、基板を第１方向に駆動する第１駆動手段と、処理ヘッドを第１方向に直交する第２方向に駆動する第２駆動手段とを備え、基板を第１方向に駆動する動作と、処理ヘッドを第２方向に駆動する動作とを組み合わせて、処理ヘッドにより基板の面に対して２次元的な処理を施す基板処理装置であって、処理ヘッドを第１方向に駆動する第３駆動手段を備え、第１駆動手段が基板を第１方向に一定速度で駆動した状態を維持しつつ、第３駆動手段が処理ヘッドを第１方向に上記一定速度で駆動し且つ第２駆動手段が処理ヘッドを第２方向に駆動する。 （もっと読む）

本発明は、成長面（１０５）を含む支持体（１００）上でのエピタキシャル成長により窒化物単結晶を製造するための方法において、− 支持体（１００）上に犠牲床（１０１）を形成するステップと；− 前記犠牲床上にピラー（１０２）を形成するステップであって、前記ピラーがＧａＮエピタキシャル成長と相容性のある材料で作られているステップと；− 窒化物結晶層（１０３）がピラーの間に形成されたホール（１０７）内を支持体に至るまで延在しないような成長条件の下で、ピラー上に窒化物結晶層（１０３）を成長させるステップと；− 支持体から窒化物結晶層を除去するステップと、を含む方法に関する。
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【課題】ガスノズルの水平部とガス排気口を同一面方向に設けた場合でも、基板に対する処理ガスの接触時間を増加させ、基板に成膜される膜厚の均一性を向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板１５を所定の間隔で収容する処理室８と、該処理室内に基板を処理するガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内のガスを排気するガス排気手段とを具備し、前記ガス供給手段はガスノズル１１を有し、該ガスノズルは水平部と円弧状部と垂直部から構成され、前記水平部は前記ガス排気手段に隣接した箇所から前記処理室内に貫通され、前記円弧状部は前記ガス排気手段から遠ざかる様に前記処理室の内壁に沿って水平面内に円弧状に延在され、前記垂直部は前記処理室の内壁に沿って垂直に設けた。 （もっと読む）

【課題】被処理基板への入熱量を適正化して無駄な加熱をなくすると共に、無駄な処理をなくして処理時間を短縮することができる異物除去方法を提供する。
【解決手段】被処理基板に外径寸法測定用のレーザ光を照射する測定用レーザ光照射ステップと、測定用のレーザ光のうち、基板の端部に遮られたレーザ光を除く残りのレーザ光を受光してレーザ光の出力を検出する出力検出ステップと、回転する基板の回転角を検出する回転角検出ステップと、出力検出ステップで検出したデータと回転角検出ステップで検出したデータとに基づいて基板の外径寸法を算出する算出ステップと、算出した外径寸法に基づいて、基板の外周端から所定範囲の基板表面に対し、照射断面が矩形の異物洗浄用のレーザ光を照射すると共に異物と反応する処理ガスを噴射して所定範囲の基板表面に付着した異物を分解、除去する分解ステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】脆弱な低比誘電率層間絶縁膜を備えた半導体素子を有する半導体装置では、半導体素子の周縁部において層間隔離が生じる虞があった。
【解決手段】半導体素子１の主面には、回路素子が形成されており、また、比誘電率が２．５以下である絶縁層６を一層以上含む積層膜４が存在している。半導体素子１の周縁では、積層膜４が形成されておらず、積層膜４の下に位置する半導体基板２が露出している。半導体基板２の上面２ａのうち積層膜４から露出する部分には、切り欠き部３３が設けられている。 （もっと読む）

【課題】複数の処理を効率良く実行可能な真空処理装置の圧力制御方法を提供する。
【解決手段】ロードロック室５０、ＣＯＲ処理室１０、熱処理室３０及び大気搬送モジュール７０を有する真空処理装置１００において、熱処理室３０の真空引き中にロードロック室５０を大気状態にしてＣＯＲ処理前の被処理体を大気搬送モジュール７０からロードロック室５０に搬入し、熱処理室３０の真空引きを終了してロードロック室５０を設定圧力まで真空引きし、ロードロック室５０が設定圧力に到達したら真空引きを終了し、“ロードロック室内圧力＞熱処理室内圧力”となるように熱処理室３０を真空引きし、圧力条件が満たされた後にロードロック室５０と熱処理室３０とを連通させる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板自体がゆがんでいる場合などに、そのまま処理することを避けて無駄な被加工基板の処理を防止したり、処理してしまった被処理基板が所定の要件を満たさない場合に後工程で無駄に処理してしまうことを防止できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】被処理基板６０を保持する保持部１５と、レーザ光Ｌを照射するレーザ照射装置２０と、レーザ照射装置２０を移動させるレーザ移動部２２と、被処理基板６０の端部と、膜面６１の加工箇所の最も周縁側の位置を検出する検出器５０と、を備えている。検出器５０によって検出された被処理基板６０の端部の位置と膜面６１の加工箇所の最も周縁側の位置との位置関係が所定の条件を満たす場合にだけ、レーザ照射装置２０から照射されるレーザ光Ｌの膜面６１に対する照射位置を移動させて、被処理基板６０の膜面６１の縁部を除去する。 （もっと読む）

【課題】低ダメージで低コストなレジストの除去方法及び除去装置を提供する。
【解決手段】基板上の有機物を除去するための有機物の除去方法であって、触媒反応部内に、Ｈ_２ガスとＯ_２ガス又はＨ_２Ｏ_２ガスを導入し、Ｈ_２ガスとＯ_２ガス又はＨ_２Ｏ_２ガスを触媒と接触させることにより生成したＨ_２Ｏガスを触媒反応部から噴出させ、噴出したＨ_２Ｏガスにより基板上の有機物を除去することを特徴とする有機物の除去方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】基板にダメージを与えるプラズマを発生させずに気相でエッチングを行う。
【解決手段】シリコン酸化物１０１の除去に供される基板１０を格納したチャンバ２には大気圧よりも低圧のもと室温でテトラフルオロエチレンガスとオゾンガスが供される。オゾンガスはオゾン発生装置４から供される。オゾン発生装置４はオゾン含有ガスを蒸気圧の差に基づいてオゾンのみを液化分離した後に再び気化させて超高濃度オゾンガスを得る。チャンバ２は混合室と処理室を有するようにしてもよい。混合室、処理室はチャンバ２を上下二つの室に区画する仕切りによって成る。混合室にはテトラフルオロエチレンガスとオゾンガスが供される。混合室内のテトラフルオロエチレンとオゾンの混合ガスは基板１０を格納した処理室に移行する。仕切りは混合室内のガスを処理室内に移行させるシャワーヘッドを備える。シャワーヘッドは仕切りに複数の孔を形成して成る。 （もっと読む）