【課題】３次元構造をもつ加工対象物の各面にガスクラスターイオンビームを照射することができ、かつ各加工対象面の照射位置におけるビーム電流値やビーム電流分布をプロセス中にも計測可能なコンパクトなステージ構造を有する加工装置を提供する。
【解決手段】ガスクラスターイオンビームに対する加工対象物の位置・角度を並進方向３自由度、回転方向３自由度の計６自由度で制御可能なパラレルリンク２０を具備し、パラレルリンク２０の可動テーブルの、加工対象物が搭載される上面側と反対の下面にビーム検出器を設置し、可動テーブルを上下反転可能とする。 （もっと読む）

【課題】彫刻欠陥、特にキャップの効果的な除去方法であって、彫刻エッジを損傷しない方法を提案する。
【解決手段】本発明は、フレキシブルキャリア上に堆積された金属膜からマスク投影レーザーアブレーション彫刻欠陥を除去する方法に関する。本発明によると、前記方法は、約１５００ＰＳＩから約３０００ＰＳＩの間で加圧された液体を前記欠陥上に噴霧することを含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマのエッチング工程によって発生する素子特性および信頼性の劣化を防止することのできる半導体素子のゲート形成方法と、プラズマのエッチング工程によって発生する上部の隅部における電界の集中現象を防止することのできる半導体素子のゲート形成方法を提供すること。
【解決手段】支持基板と、埋め込み絶縁層および半導体層からなる基板を備えるステップと、蒸気エッチング工程で前記半導体層をエッチングして互いに離隔した第１トレンチおよび第２トレンチを形成するステップと、前記第１トレンチおよび第２トレンチを備える前記基板の上面にゲート絶縁膜を形成するステップと、前記ゲート絶縁膜上にゲート導電膜を形成するステップとを含む半導体素子のトリプルゲート形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】細く深いバイアホールが設けられる場合でも、ソースインダクタンスを十分に低減し、高い放熱効率を得ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１上に化合物半導体領域２を形成し、その後、化合物半導体領域２上にゲート電極４ｇ、ソース電極４ｓ及びドレイン電極４ｄを形成し、更に、化合物半導体領域２上にソース電極４ｓに接続されるＡｕ膜１０を形成する。次に、ＳｉＣ基板１の裏面にレーザビームを照射して、ＳｉＣ基板１、化合物半導体領域２及びＡｕ層を貫通するバイアホール２１を形成する。次に、バイアホール２１の側面及びＳｉＣ基板１の裏面にわたってビア配線１４を形成する。次に、バイアホール２１内に溶融金属滴３２を充填し凝固させることにより、導通ビアを形成する。そして、溶融金属滴３２を充填する際に、ＳｉＣ基板１を溶融金属滴３２に対して相対的に振動させる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置とその製造方法において、絶縁膜のホール内に形成される導電性プラグ等の導電性材料のコンタクト抵抗が基板面内でばらつくのを防止すること。
【解決手段】シリコン基板３０の上方に第１の層間絶縁膜４５を形成する工程と、第１の層間絶縁膜４５の上方に強誘電体キャパシタQを形成する工程と、強誘電体キャパシタQの上方に、水素バリア絶縁膜５５、５７、６２と第２の層間絶縁膜５８とを有する積層膜を形成する工程と、エッチングにより積層膜にホール５８ｂ、５８ｃを形成する工程と、ホール５８ｂ、５８ｃ内に金属配線（導電性材料）６９を埋め込む工程とを有し、ホール５８ｂ、５８ｃを形成する工程において、水素バリア絶縁膜５５、５７、６２のエッチングを、第２の層間絶縁膜５８のエッチングとは異なるエッチング手法で行う半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの表面酸化膜処理を行う。特に、フッ酸水等のウェット系の洗浄では難しい開口した欠陥の内壁酸化膜を効率よく除去するようにし、また、酸化膜除去レートを工程中にコントロールすることにより、ウェーハの品質をできるだけ均一にする。
【解決手段】フッ化水素及び水蒸気を含む混合ガスを生成し、シリコンウェーハにこの混合ガスを噴射して酸化膜の除去等の処理を行う方法であって、フッ化水素と水蒸気との比を除去対象の酸化膜に合わせて変更可能なことを特徴とする処理方法を提供する。また、そのための混合ガスの発生装置、及び、その発生装置を含む酸化膜処理のための処理装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】腐食性ガスを使用する処理工程を有する基板処理装置において、大型基板を処理することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】腐食性ガスを用いて基板５０に処理を施す基板処理装置１０において、処理室１１と、処理室１１内に配置され、基板５０を収容可能な基板収容室１３と、基板収容室１３に腐食性ガスを流通させる腐食性ガス流通機構１５と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチングにおいて反応ガスのＨＦ濃度を高め、エッチングレートを向上させる。
【解決手段】フッ素含有原料とＨ_２Ｏ又はＯＨ基含有化合物とを含む原料ガスを大気圧近傍の生成部５のプラズマ空間５ｂに通し、ＨＦとＣＯＦ_２又はＦ_２とを含む反応ガスを生成する。反応ガスを輸送路１０で被処理物９の配置部２へ輸送し、エッチングを行なう。輸送工程中に反応ガスを凝縮部７で凝縮させて凝縮体を得、その後凝縮体を気化部８で気化させる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハのエッチングを精密に行う。
【解決手段】半導体ウェーハ表面にフッ化水素及びオゾンを含む混合ガスを噴射し、その半導体ウェーハ表面をモニタし、モニタ結果に基づいて、フッ化水素及び／又はオゾンの濃度を調整する。また、半導体ウェーハ表面をモニタ可能なモニタ装置と、フッ化水素及びオゾンを含む混合ガスを噴射可能なノズルと、このフッ化水素及び／又はオゾンの濃度を調整可能な調整器とを含む半導体ウェーハのエッチング装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】導電型が異なる不純物層を順に形成する場合に、先に形成した不純物層へのドーピング用の不純物が後に形成する不純物層に混入されることを抑制する。
【解決手段】ｐ⁺型第２ゲート層８を形成してから次のロットでｎ^-型チャネル層７を形成する工程に移行する前の工程として、ｎ^-型チャネル層７の成長温度よりも高い温度においてＣＶＤ装置内のＳｉＣコーティングの表面をエッチングするエッチング処理と、エッチング処理後にＣＶＤ装置内をｎ^-型チャネル層７の成長温度よりも高い温度で加熱する加熱処理とを行う第１の残留不純物除去工程と、ｎ^-型チャネル層７の成長レートよりも早い成長レートにて、後工程で成長させるｎ^-型チャネル層７と同じ導電型の不純物層をカーボン容器の内壁面のＳｉＣコーティングの表面にデポジションするデポジション工程を行う第２の残留不純物除去工程を行う。 （もっと読む）