【課題】層間絶縁膜を介して配線された上下の導電パターンが、これらの導電パターン形成後に接続配線によって接続された構成において、接続抵抗の上昇を防止でき、さらにこの構成を製造する際のプロセスタクトタイムの削減が図られる電子基板を提供する。
【解決手段】基板１上に設けられた第１導電パターン３と、これを覆う状態で基板１上に設けられた層間絶縁膜５と、第１導電パターン３上に一部を重ねた状態で層間絶縁膜５上に設けられた第２導電パターン９とを備えている。第２導電パターン９と第１導電パターン３とが重なる位置には、第２導電パターン９および層間絶縁膜５に開口部３１が設けられている。この開口部３１は第１導電パターン３を底面としており、この開口部３１の内壁を覆う接続配線３３により、第２導電パターン９と第１導電パターン３とが結線されている。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィを利用した微細加工を行うために使用される新規なフォトレジスト用化合物、上記のフォトレジスト用化合物を用いたフォトレジスト液、および上記のフォトレジスト液を使用して所望の表面をエッチングするエッチング方法の提供。
【解決手段】下記一般式(Ａ)で表される化合物。


[一般式(Ａ)中、Ｘ¹およびＸ²は、酸素原子、等を表し、ｍおよびｎは０〜３の範囲の整数を表し、Ｒ¹〜Ｒ³は水素原子または置換基を表し、Ｌ¹およびＬ²は二価の連結基を表す。] （もっと読む）

【要 約】
【課題】大面積の処理対象物にイオンを均一に照射するための技術を提供する。
【解決手段】
イオン化室１１内で生成されたイオンは、第一〜第三の電極板１７〜１９に形成されたイオン通過路１２を通り、イオン化室１１から処理室３０に放出される。第一〜第三の電極板１７〜１９は中心が処理対象物３３の回転軸線２４から離間して配置され、イオン通過路１２は、回転軸線を通る直線で挟まれた中央領域に配置されており、略垂直に入射するイオンは、処理対象物３３のどの位置でも略等しい時間照射され、処理対象物３３表面に均一にイオンが照射される。 （もっと読む）

本発明は、物質（１００，２００）を電子ビーム誘起エッチングする方法に関し、本方法は、少なくとも１種類のエッチングガスを、物体（１００，２００）に電子ビームが衝突する位置と同じ位置において、物体（１００，２００）に供給する方法ステップ、および、同時に、少なくとも１種類のエッチングガスによる自発的エッチングを減速または抑制するようにした少なくとも１種類のパッシベーションガスを供給する方法ステップを含むものである。 （もっと読む）

【課題】基板上のＩＴＯ表面を洗浄及び保護する方法を提供する。
【解決手段】プロセスチャンバＰＣ１００の内部に載置された基板上のＩＴＯ表面にその表面の汚染物の分子の結合エネルギーより強いエネルギーを持つ光を光源から照射し、その照射中又は照射後、直ちに同一チャンバ内にてシランカップリングのガスを供給する。これにより、基板上のＩＴＯ表面を洗浄及び保護することができる。 （もっと読む）

複数の基板を処理するための化学処理システム及び熱処理システムを有する高スループット処理システムが開示される。化学処理システムは、乾式の非プラズマ環境で複数の基板を化学処理するように構成される。熱処理システムは、化学処理システムで化学処理された複数の基板を熱処理するように構成される。
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【課題】 オゾンガスと紫外線とを併用する酸化による表面処理方法において、酸化効率を向上させることのできる手段を提供する。
【解決手段】 キセノンガス等の希ガスとオゾンガスとの混合ガスを被処理物に作用させ、その混合ガスに紫外光を照射作用させる。混合ガス中の酸素分子密度を減じることでオゾンガスの分解を促進して、酸化効率を向上させ、原子状酸素を有効に基板表面に到達させる。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ表面の金属汚染を簡便かつ高感度に分析するための手段を提供すること。
【解決手段】酸化膜付きシリコンウェーハ３を冷却しつつ、フッ化水素ガスと接触させることによりウェーハ表面に結露（但しシリコン酸化成分を含まない）を発生させることによって、シリコンウェーハ表面の酸化膜をエッチングする方法。上記方法によりシリコンウェーハ表面の酸化膜をエッチングにより除去し、酸化膜除去後のシリコンウェーハ表面に溶液を走査させた後、該溶液中の金属成分を分析することを含む酸化膜付きシリコンウェーハの金属汚染分析方法。上記金属汚染分析方法を使用する酸化膜付きシリコンウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】プロセス処理のばらつきを低減し、半導体基板の加工精度を向上することでばらつきの少ない半導体装置を製造できる半導体装置の製造方法およびエッチング幅の補正方法を提供する。
【解決手段】開口部が形成されたシリコン窒化膜と、このシリコン窒化膜の側面を覆う側壁保護膜とをマスクとして、シリコン酸化膜およびシリコン基板の一部をエッチングすることにより、シリコン基板に素子分離用トレンチを形成する（Ｓ１０８）。側壁保護膜は、シリコン窒化膜に関して開口部に隣接する隣接部の幅の計測値に基づいて膜厚調整して形成された酸化膜の一部からなる。 （もっと読む）

【課題】発光層から放出された光を有効利用し、発光素子の発光効率を向上させることができる発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の発光素子１においては、半導体基板２の表面上にＬＥＤ動作層３が積層されている。ＬＥＤ動作層３は、半導体基板２側から順に、第１のコンタクト層４、発光層５、第２のコンタクト層６を少なくとも積層させて有している。このＬＥＤ動作層３は、複数の凹部１１Ａからなる２次元回折格子１０Ａの他に、第１のコンタクト層４において厚み方向と直交方向（ＬＥＤ動作層の面方向と平行方向）に延在する空間層１２を有する。この空間層１２は、第１のコンタクト層４の側面に流動性光吸収物質を接触させ、その反対側からレーザ光を照射してレーザエッチングを行なうことにより形成される。 （もっと読む）