本発明は、フォトマスクの基板（１００）の端縁（３２，２３２）における、または端縁に近接した欠陥（３０，２００）の修復形状（６０，２６０）を測定する方法に関するものである。本方法は、走査型プローブ顕微鏡を用いて欠陥（３０，２００）を走査し、欠陥（３０，２００）の三次元輪郭（４０，２４０）を測定するステップ、走査型電子顕微鏡を用いて欠陥（３０，２００）を走査し、基板（１００）の少なくとも１つの端縁（３２，２３２）の進路（course）（５０，２５０）を測定するステップ、および、三次元輪郭（４０，２４０）と少なくとも１つの端縁（３２，２３２）の進路（５０，２５０）とを組み合わせることにより、欠陥（３０，２００）の修復形状（６０，２６０）を画定するステップ、を含む。 （もっと読む）

本発明は、物質（１００，２００）を電子ビーム誘起エッチングする方法に関し、本方法は、少なくとも１種類のエッチングガスを、物体（１００，２００）に電子ビームが衝突する位置と同じ位置において、物体（１００，２００）に供給する方法ステップ、および、同時に、少なくとも１種類のエッチングガスによる自発的エッチングを減速または抑制するようにした少なくとも１種類のパッシベーションガスを供給する方法ステップを含むものである。 （もっと読む）

本発明は、ガリウムで汚染された層（１２０），（２２０）の電子ビーム誘起エッチング方法に関する。本方法は、エッチングガスとして、少なくとも１種類の第１ハロゲン化合物を、電子ビームが層（１２０），（２２０）に衝突する位置に供給する方法ステップ、および、ガリウムを同位置において除去する前駆体ガスとして、少なくとも１種類の第２ハロゲン化合物を供給する方法ステップ、を含むものである。 （もっと読む）