電子デバイスの製造方法は、半導体材料を含む基板の側に近接しているパターン化された層を形成する工程を含むことができる。また、本方法は、基板の一部である半導体層、及びパターン化された層を基板から分離する工程を含むこともできる。 （もっと読む）

電子デバイスを形成する方法は、半導体材料を含む基材のある面上に電気化学プロセスにより金属層を形成する工程を含むことができる。本方法はまた、この面からある距離を置いて分離促進種を基材に導入する工程、及び基材から該基材の一部である半導体層と金属層を分離する工程を含むことができる。特定の実施形態では、分離促進種は、金属層に組み入れることができ、そして基材中に移動させることができ、特定の実施形態では、分離促進種は基材に注入することができる。さらに別の実施形態では、両方の技術を使用することができる。さらなる実施態様では、両面プロセスを実施することができる。
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電子デバイスを形成する方法は、基材、ディファレンシャルエッチング層、及び半導体層を含むワークピースのある面上に金属層を形成する工程を含むことができる。ディファレンシャルエッチング層は基材と半導体層の間に位置することができ、半導体層はワークピースのある面に沿って位置することができる。本方法は、基材と半導体層の間からディファレンシャルエッチング層の少なくとも大部分を選択的に除去する工程、及び基材から半導体層と金属層を分離する工程をさらに含むことができる。選択的な除去は、ウェットエッチング、ドライエッチング、又は電気化学的な技術を用いて実施することができる。特定の実施形態では、金属層のメッキ及びディファレンシャルエッチング層の選択的な除去に同じメッキ浴を使用してもよい。
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