【課題】リボンビームの角度均一性およびドーズ量均一性を向上させる方法を提供する。
【解決手段】リボンビームの均一性向上装置は第一の補正器―バーアセンブリ３０２と、その下流に距離Ｄだけ離れた位置に配置された第二の補正器―バーアセンブリ３０４とから構成される。各補正器は磁心部とその周りに配された複数のコイルを含み、コイルは個々に励起される。リボンビーム３０の各ビームレット３１〜３７は第一の補正器で個々に偏向される。例えば、ビームレット３２は小さな角度θで偏向される。各ビームレットは第二の補正器の位置で空間的に再配置され、ドーズ量均一性を向上できる。さらに、各ビームレットは第二の補正器で偏向されて平行にされる。すなわち角度均一性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】プラズマイオン注入装置において、注入されているイオンと基板との間の相互作用の不所望な効果を少なくとも部分的に補償する方法を提供する。
【解決手段】基板のプラズマイオン注入のための方法は、処理チャンバ、前記処理チャンバ内にプラズマを生成するためのソース、前記処理チャンバ内で基板を保持するためのプラテン、及びプラズマから基板へイオンを加速するための注入パルスを生成するパルスソースを含むプラズマイオン注入装置を与える工程と、注入処理に従い基板のプラズマイオン注入を実行する工程と、注入されるイオンと基板との間の不所望な相互作用の効果を少なくとも部分的に補償するよう注入処理中にイオンエネルギーを調節する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ファラデーカップに入ったイオンにより形成された正の電荷のカラムと電子とを分離しかつ電子を維持して、出力信号のエラーを防止するプラズマドーピング装置を提供する。
【解決手段】プラズマドーピング装置はプラズマドーピングチェンバーとワークピースを支持するためのプラズマドーピングチェンバー内に配置されるプラテンとチェンバーに結合されるイオン化可能なガス源とプラテンから間隔があけられたアノードとプラテンとアノードとの間に電圧パルスを適用するパルス源とを含む。電圧パルスはワークピースの近傍でプラズマシースを有するプラズマを生成する。装置はプラズマシースを横切る正イオンのサンプルを収集するための少なくとも一つのファラデーカップ３００を含む。ファラデーカップ３００は電子流出を抑制するために内部チェンバー３０８内に横方向の電場を生成するように形状付けられる。 （もっと読む）

【解決手段】ワークピースをテクスチャリングもしくは製造する方法を開示する。ワークピースは、たとえば太陽電池であってよい。テクスチャリングは、プラズマとプラズマシースとの間の境界の形状が絶縁性調整器により調整されたプラズマを用いたエッチングもしくは局所的スパッタリングであってよい。エッチング工程間もしくはスパッタリング工程間でワークピースを回転させてピラミッドを形成してよい。絶縁性調整器により調整されたプラズマから形成されるイオンにより、ワークピースの領域をエッチングもしくはスパッタリングして、ドーピングしてもよい。これらのドープ領域に金属層を形成してよい。 （もっと読む）

【解決手段】主軸（７）を有するイオンビーム（１０４）を操作するシステムは、自身の異なる領域に主に配置され、互いに独立して第１の電流（８０８または８１０において）および第２の電流（８０８または８１０において）をそれぞれ伝達するよう構成された第１のコイルおよび第２のコイルを有する上方部材を備える。下方部材は、第１のコイルおよび第２のコイルに対向して主に配置され、互いに独立して第３の電流（８１２または８１４において）および第４の電流（８１４または８１２において）をそれぞれ伝達するよう構成された第３のコイルおよび第４のコイルを有する。レンズ間隙（３０６）が、上方部材と下方部材との間に規定され、イオンビームを伝達するよう構成され、第１の電流から第４の電流によって、イオンビームにその主軸を中心とした回転力（Ｆ５、Ｆ６）を働かせる４５度四重極場が生成される。 （もっと読む）

【解決手段】 アモルファス化シリコンおよび結晶質シリコンの物理的特性および化学的特性の差異を利用するさまざまな方法を用いて、後続の注入処理で利用され得るマスクを形成する。一部の実施形態によると、アモルファスシリコンおよび結晶質シリコンの膜成長の差異を利用してマスクを形成する。他の実施形態では、アモルファスシリコンおよび結晶質シリコンの反射率または吸光率の差異を利用してマスクを形成する。他の実施形態では、ドープシリコンおよびノンドープシリコンの特性の差異を利用してマスクを形成する。 （もっと読む）

【解決手段】 水平面および非水平面を持つ基板を処理する方法を開示する。イオン注入装置を用いて粒子を基板に注入する。イオン注入時には、注入処理の性質上、表面に膜が成膜されてしまうことがある。この膜の厚みは、水平面上のほうが厚い。この膜が存在することによって、基板の特性に悪影響が出て変化してしまうことがある。これを改善するべく、水平面上に堆積した膜を除去する第２の処理ステップを実行する。一部の実施形態では、エッチング処理を用いてこの膜を除去する。一部の実施形態によると、この膜の材料の組成を変化させる物質変化ステップを用いる。この物質変化ステップは、エッチング処理に代えて、または、エッチング処理に加えて実行するとしてよい。 （もっと読む）

【課題】改良されたパターンド磁気ビットデータ記録媒体およびその製造方法が開示される。
【解決手段】一実施形態において、改良されたパターンド磁気ビットデータ記録媒体は、実質的に強磁性を示すアクティブ領域と、実質的に常磁性を示す非アクティブ領域とを備えてよく、非アクティブ領域は、少なくとも２つのグレインと、少なくとも２つのグレインの間に配される結晶粒界とを有してよく、少なくとも２つのグレインのそれぞれは、強磁性物質を含み、少なくとも２つのグレインは、反強磁性的に結合されてよい。 （もっと読む）

ポケット注入又はハロー注入を実行するための改良された方法が開示される。ハロー注入によって生成されるダメージ及び欠陥の量は、リーク電流を増大させ、ノイズマージンを減少させ、また、最小ゲート電圧を増加させることによって、半導体デバイスの性能を低下させる。ハロー注入又はポケット注入を低温で実行すると、結晶構造に生じるダメージが減少し、結晶のアモルファス化が改善される。低温を使用することにより、ホウ素又はリン等、より軽い元素をハロー注入に使用することができる。 （もっと読む）

【解決手段】 イオン注入装置において、イオン電流測定器は、ターゲット基板がプラテン上に位置していると仮定して当該ターゲット基板の表面と同一平面になるように、マスクの後方に、配置されている。イオン電流測定器は、イオンビームを横切るように並進させられる。マスクの複数の開口を通過するように方向付けられているイオンビームの電流は、イオン電流測定器を用いて測定される。このようにして、イオン電流測定器によって測定されたイオン電流プロフィールに基づき、イオンビームに対するマスクの位置およびマスクの状態を決定するとしてよい。 （もっと読む）