【課題】短時間で、エピタキシャル成長された基板の非接触材料特性評価を行うことのできる装置を提供する。
【解決手段】非接触な材料特性評価を行うための装置は、複数の基板１２を保持するように適合されたウエハキャリア１０と、材料特性評価装置２０、例えば、フォトルミネッセンス分光法を実行するための装置とを備えている。本装置は、載置されている基板１２を含むウエハキャリア１０の少なくとも一部に非接触な材料特性評価を行うように適合されている。 （もっと読む）

ウエハキャリア（１４０）は、中心軸（１４２）と、中心軸（１４２）と直交する略平坦な上面（１４１）と、ウエハ（５０）を収容するために上面（１４１）の下方に凹んだポケット（１４３）とを画定する本体を備えている。ウエハキャリア（１４０）の本体は、上面（１４１）の周囲に沿って上方に突出するリップ（１８０）を備えることができる。リップ（１８０）は、中心軸（１４２）から離れる半径方向外向き方向において平坦な上面（１４１）から上方に傾斜するリップ面（１８１）を画定している。ウエハキャリア（１４０）の本体は、処理装置（１０）のスピンドル（３０）上に、本体の中心軸（１４２）がスピンドル（３０）と同軸になるように取り付けられている。リップ（１８０）は、ウエハキャリア（１４０）の上面（１４１）の全体にわたるガス流のパターンを改良することができる。
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ウエハ処理プロセスおよび装置は、ウエハキャリア（８０）を備えている。ウエハキャリアは、ウエハ（１２４）を保持し、ウエハとウエハキャリアとの間の間隙（１３０）に充填ガスを注入するように構成されている。本装置は、ウエハの温度不均一の望ましくないパターンを緩和するために、充填ガスの組成、流量、またはそれらの両方を変化させるように構成されている。
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【課題】基板キャリアの処理面の全体にわたって、反応ガスの均一な分布をもたらし、反応ガスの速度が異なることによって引き起こされる乱流を回避することができる反応器及び方法を提供する。
【解決手段】この１又は複数のガス流れはキャリアガスと反応ガスとを含み、異なる部分は異なる濃度の反応ガスを含むように、ガス流れ生成器は構成される。基板キャリアが軸を中心として回転可能に設けられている場合、異なる濃度の反応ガスを含む前記１又は複数のガス流れを、軸から異なる半径方向距離に供給するように、ガス流れ生成器は構成される。基板キャリアの軸に近い部分に向かうガスは、比較的高濃度のキャリアガスと比較的低濃度の反応ガスを含み、基板キャリアの軸から遠い部分に向かうガスは、高濃度の反応ガスを含む。これにより、実質的に均一な速度で、チャンバー内の基板キャリアに向けて送達するように構成されたガス流れ生成器を備えている。 （もっと読む）

化学気相成長反応器１０用の流入口要素２２は、反応器の上流から下流への方向に対して横切る面において互いに並んで延在する、複数の細長い管状の要素６４、６５から形成される。管状の要素は、ガスを下流方向に放出する入口を有する。ウェハキャリア１４は、上流から下流への軸を中心に回転する。ガス分配要素は、軸を通って延在する中央面１０８に対して非対称であるガス分布パターンを提供することができる。 （もっと読む）

化学気相反成長応器及び方法。ＩＩＩ族金属源およびＶ族金属源を含むガス等の反応性ガスが、回転ディスク反応器のチャンバ１０内に導入され、ウェハキャリア３２と、高温基板温度、一般に、約４００℃を上回り通常は約７００〜１１００℃に維持される基板４０とに対して下方に向けられて、ＩＩＩ−Ｖ族半導体等の化合物を堆積させる。ガスは、反応器内に、望ましくは約７５℃、最も好ましくは約１００℃〜３５０℃の入口温度で導入される。反応器の壁は、入口温度に近い温度にすることができる。高温の入口温度を用いることにより、ウェハキャリアのより低い回転速度、より高い動作圧力、より低い流速、又はこれらのいくつかの組合せを用いることが可能になる。 （もっと読む）

基板（２０）上に化合物半導体を堆積させる方法が開示されている。この方法は、基板（２０）を収容している反応チャンバ（１０）内に、ガス状の反応物質（３０，３４）を導くことと、ガス状の反応物質（３０，３４）の一種を活性化させるには十分であるが、該反応物質を分解させるには不十分であるエネルギーを加えるために、該反応物質にエネルギー（３１ａ，３１ｂ）を選択的に供給することと、そして、該反応物質を他の反応物質と反応させるために、基板（２０）の表面において、該反応物質を分解させることとを含んでいる。好ましいエネルギー源（３１ａ，３１ｂ）は、マイクロ波放射線または赤外線放射線である。これらの方法を実行する反応装置（１０）も開示されている。
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化学蒸着装置において、ウエハキャリア（３２）は、ウエハを保持する上面（３４）および加熱要素（２８）からの輻射熱伝達によって加熱される底面（３６）を有している。ウエハキャリアの底面（３６）は、ウエハキャリアが互いに異なる箇所において互いに異なる厚みを有するように、凹部（５４）のような特徴部によって非平面になっている。ウエハキャリアのより厚い部分は、より高い熱抵抗を有している。互いに異なる箇所における互いに異なる熱抵抗によって、ウエハへの望ましくない熱伝達の不均一が打ち消されることになる。ウエハキャリアは、ウエハの縁の互いに離間している箇所と係合するための突起（５５３，８５３）を備えるポケットを有していてもよい。
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非接触な材料特性評価を行うための装置は、複数の基板（１２）を保持するように適合されたウエハキャリア（１０）と、材料特性評価装置（２０）、例えば、フォトルミネッセンス分光法を実行するための装置とを備えている。本装置は、載置されている基板（１２）を含むウエハキャリア（１０）の少なくとも一部に非接触な材料特性評価を行うように適合されている。
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回転ディスク式ＣＶＤ反応器用のウエハキャリア（３０）は、炭化ケイ素のようなセラミックの単一プレート（３２）であって、その上流面（３４）にポケット（３８）のようなウエハ保持特徴部を画定している単一プレート（３２）を備えており、プレート（３２）の中心領域（４４）においてプレート（３２）に取外し可能に取り付けられたハブ（４０）も備えている。ハブ（４０）は、セラミックプレート（３２）に集中応力を加えることなく、反応器のスピンドル（１６）への確実な接続をもたらすようになっている。プレート（３２）の洗浄中、ハブ（４０）を取り外しておくことができる。また、ウエハキャリア（３０）は、好ましくは、プレート（３２）の中心領域（４４）の上流面（３４）上にガス流促進要素（３４８，４４８）を備えている。ガス流促進要素（３４８，４４８）は、入射ガスの流れを上流面（３４）に沿って中心領域（４４）の流れ不連続部から離れる方に方向転換させるのを助長するようになっている。
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