実質的に一様なキャビテーションの場を増強するためのシステム及び方法である。容器（１０３）を分割しているダイヤフラム（１０９）を有するシステム（１００）により、空洞Ｃの圧壊のため発生した第１のエネルギーパルスに対応して第２のエネルギーパルスが作られ、そして対応した変換器１２１−ｋを調整するか否かを決定するために使用される。システム（１６）において、変換器の組立体１５−ｉを有する空洞発生ユニット（１１）は、変換器の試験後、試験液から粒子除去（ＰＲ）液に動くことができる。別のシステムにおいては、センサー１７１−ｊのアレイを有するセンサー板（１７０）が、仮想ウエハーを提供する。キャビテーションの実質的に均一な場は、空洞増強液又は変換器エネルギーの調整により維持することができる。対象物保持機構が実質的に均一なキャビテーションを作る。キャビテーション密度を単調に減少させ及び／又は増加させる容器内の向かい合った変換器が、実質的に均一なキャビテーション密度を作る。 （もっと読む）

水性清浄化媒体が前記半導体表面に供給され、清浄化媒体がコロイド状の形状で懸濁されている清浄化粒子を含んでなり、そして機械的振盪が粒子に印加されて、清浄化段階の間の少なくとも一部の時間除去される清浄化段階を含んでなる、表面を清浄化する方法が開示されている。 （もっと読む）

開示されているのは平板状基板を処理するための装置で、それを構成しているものとして、スピン・チャック（２）はその基板を保持し、回転するためのもの、少なくとも１個のディスペンサー（３）は前記基板の少なくとも一面（Ｗ）の上に液体を供給するためのもの、液体捕集器（４）は回転中にその基板から遠心力で流出する液体を集めるために前記スピン・チャックの周囲を囲んでいる、この液体捕集器（４）は少なくとも２段の捕集器レベル（Ｌ１、Ｌ２）を有し、液体を別々の捕集器（４１、４２）に分離して集めている、持ち上げ手段（Ｈ）は回転軸（Ａ）に実質的に沿ってスピン・チャック（２）を液体捕集器（４）に対して相対的に少なくとも２段の排出レベル（Ｅ１、Ｅ２）に移動するためのもので、液体捕集器（４）の内部（４０）からのガスを別個に集める、少なくとも１個の排気制御手段（７１）が前記の少なくとも２段の排気レベルの少なくとも一方と関連していて、前記の少なくとも２段の排気レベル（Ｅ１、Ｅ２）の少なくとも一方でのガスの流動状態を別個に変化させる。
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基板表面に平行な最小平均速度ｖを生じるのに充分速い流れで基板表面上を流れる液体エッチング剤を流すことにより、少なくとも２つの異なる化学元素をベースとする半導体性を持つ材料を含んでなるグループから選択される、基板上の第１の材料を前記第２の材料に対して高い選択性をもって選択的にエッチングする方法が開示されている。
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少なくも２個の処理ユニットの複数の少なくも１個の直線状に配列されたアレイを備え、各処理ユニットにおいて１個の枚葉ウエハ形物品を処理でき、更に、かかる各処理ユニットにおいて１個の枚葉ウエハ形物品を処理し得る前記処理ユニット、少なく１個の枚葉ウエハ形物品を内部に貯蔵している少なくも１個のカセットを保持するためのカセット保持ユニット、及びカセットからウエハ形物品を取り上げてこれを処理ユニットの一つの中に置くための輸送システムを備えたウエハ形物品の処理用の装置が明らかにされる。本装置は、直線状トラック上に取り付けられた輸送ユニットを備える。前記輸送ユニットは、枚葉ウエハ形物品を、直線状トラックと平行な実質的に垂直な平面内に保持する。
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基質の表面に平行に最低平均速度ｖを生成させるほど十分に速い流速で基質の表面を横切って液状エッチング剤を流すことにより、第２の材料に対して高い選択性をもって基質の上の第１の材料を選択的にエッチングする方法が記載されている。
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超音波エネルギーを利用する平坦なプレート状基板を湿式処理するための装置及びこの装置に関連する方法が開示される。 （もっと読む）